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  • 美国研发人员在石墨烯电子器件领域取得进展

     美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷(p型)的还原氧化石墨烯(rGO)转化为带负电荷(n型)还原氧化石墨烯的技术，该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管，有望在电子设备中得到应用。 石墨烯的导电性非常好但不是半导体，氧化石墨烯像半导体具有带隙却导电性差，而还原氧化石墨烯只带正电荷(p型)，可解决这一问题。北卡罗来纳州立大学材料科学与工程系的研究团队发明了利用p型rGO制备n型rGO的方法。首先，他们将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上，然后使用大功率激光脉冲来周期地冲击晶片上的化学基团。这种冲击可有效将电子转移，使p型rGO转化为n型rGO。整个过程在室温和常压下进行，完成时间小于1/5微秒。这种激光辐射退火方法提供了高度的空间和深度控制，使开发基于p-n结的二维石墨烯电子器件成为可能。 这一成果发表于美国物理联合会(AIP)《应用物理》期刊网站上。

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  • 为半导体续命 布鲁克海文实验室突破1nm制程工艺

     黑科技来了!当Intel、TSMC及三星都在制程之路上越走越难，眼看止步5nm工艺的时候，美国布鲁克海文国家实验室的科研人员放出了必杀招，再次将工艺制程压缩到了1nm。 这是由美国能源部DOE的布鲁克海文国家实验室创下的世界记录，他们制造了一个尺寸为1nm的印刷设备，通过电子束印刷实现，并不是我们常见的光刻印刷技术。更重要的是，这套电子束印刷通过电子显微镜实现，电子敏感性材料在聚焦电子束的帮助下尺寸得以缩小，以至于单原子可以被超控，材料性能也被极大的改变，实现从导电到光电传输两种状态的交互传输。 其中1nm印刷使用的STEM扫描投射电子显微镜来实现，每一平方毫米能实现1万亿个特征点features密度，通过修正，STEM在5nm半栅极和氢氧硅酸盐类抗蚀剂下实现2nm分辨率。 不过布鲁克海文实验室的研究距离量产还有很长距离，他们所用的材料并非硅基半导体而是聚甲基丙烯酸甲酯，光刻工艺使用的是电子束而非激光，但接下来方向已经非常明确，硅基材料试验已经被提上议程。 其实早在去年，同属美国能源部的劳伦斯伯克利国家实验室也宣布达到了1nm工艺，方式是通过纳米碳管和二硫化钼实现。如果需要投入商业量产，第一件事就是淘汰现有的激光光刻设备，无论哪家企业都承受不起这样的冲击，但至少实验室1nm的成功研制告诉了大伙，半导体还有很长的路可以走，应该能撑到传说中的The Machine或者量子计算机来救命。

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  • 台积电工程师窃取大量28nm机密投奔华力微被捕

     由于国家的大力扶持，中国内地半导体产业这两年突飞猛进，除了大力自主研发之外，还不断大举进行海外并购，增长十分之迅速。但是国内半导体产业由于起步较晚，起点低，所以中高端半导体人才也相对匮乏。 相比之下，台湾的半导体产业经过多年的发展已经非常的成熟和完善，特别是在上游的IC设计 、中游的晶圆代工以及下游的封测在全球都处于领先位置。台湾岛内也汇聚了大批的半导体人才。 IC Insights公布的2016年全球前二十大芯片厂预估营收排名上，台湾企业占据了三席(台积电、联发科、联电)，而中国大陆没有一家上榜 随着中国内地半导体产业的快速发展，对于半导体人才的需求缺口也是越来越大，于是很多国内的半导体企业都开始到台湾挖人。 疯狂挖角台湾半导体人才 早在2015年，展讯被紫光收购之后，业内就传紫光出3倍高薪到台湾挖角。此后，清华紫光集团还计划在台湾设立“紫光展讯分公司”，但是被台湾投审委员会认为紫光集团“有大量挖角台湾IC人才的疑虑，因此被驳回。 去年12月12日，美光高调宣布并购华亚科，成为台湾投资金额最高的外商。但农历年后，却有上百位华亚科工程师集体跳槽大陆紫光集团所属的长江存储，和安徽省的合肥长鑫。随后美光桃园厂区还传出，有离职的华亚科前员工“带枪投靠”，携带数据去大陆的某内存公司，回台湾后立即遭到调查局搜索的传闻。 一位曾向紫光求职的台湾工程师透露，紫光和合肥长鑫不但握有华亚科工程师名单，而且早已透过电话和微信建立网络，一个一个挖角，“华亚科的离职主管，都知道要挖谁，工程师们也知道想跳槽该向谁报名”。 今年1月，业内还传出上海华力微电子(Huali Microelectronics/HLMC，以下简称华力微)挖角了台湾联电(UMC)一队多达50人的28nm工艺研发团队的消息。 除了研发人才之外，台湾半导体行业的高端管理人才也是大陆企业争夺的对象。目前台湾半导体企业的高层人士高启全、蒋尚义、孙世伟等都已相继加盟大陆企业，近日业内还传出曾经的台积电功臣老将梁孟松或于5月出任中芯国际CTO或COO。 拓墣产业研究所指出，“中国大陆挖角主力集中在IC制造和设计端，这与目前中国晶圆厂快速扩张的步伐相对应。初步统计，目前中国正在建造和规划的12吋晶圆厂达11座，未来新增加12吋晶圆产能将逾每月90万片。” 台积电一工程师窃取大量28nm机密投奔华力微被捕 去年底，华力微二期总投资387亿元的300毫米生产线正式开工，预计2022年前投产，月产能可达4万片，工艺则涵盖28nm、20nm、14nm，重点满足国内设计企业先进芯片的制造需求。 随后在今年1月，业内有传闻称， 华力微从台湾联电挖走了将近50名的28nm工艺研发工程师团队，以求尽快量产自家的28nm工艺。不过随后联电方面对此予以否认，称只是内部人员正常流动。 据台湾媒体最新的报道称，台积电的一位徐姓工程师欲窃取机密投奔华力微被捕。台湾新竹“地方法院检察署”声称，该工程师离职时带走了大量商业机密材料，主要涉及台积电的28nm制造工艺，涉嫌违反营业秘密法与背信罪。 据报道，台积电前徐姓工程师在台积电服务6年多，今年1月提出辞呈，但在离职前，突然大量印制与28nm相关文件。后经主管约谈时，他坦承窃取制程文件，且受华力微电子之邀，从事28纳米研发工作。随后台积电人员陪同徐姓工程师到他家中，发现并带走相关文件，因他已违反营业秘密法与台积电相关规定，将他解雇，并报请新竹市调站侦办。 但是新竹检方调查发现，徐姓工程师去年12月曾到过上海华力微看厂，并已接受华力微的工作要约准备任职，意图在中国大陆使用非法窃得的台积电营业秘密。 近日新竹检方侦查结束，认定徐姓工程师触犯营业秘密法，意图在中国大陆非法使用营业秘密罪嫌及背信罪，对徐姓工程师提起公诉。不过目前尚不清楚，该徐姓工程师具体将多少机密泄露给了华力微。 业内分析人士称，28nm为台积电独揽技术，不少工程师投入心力发展，良率也很好，如果流到对手手中，等于花费大量时间、精力研发的关键技术，“1秒就整碗被端走”。 据了解，目前台积电正在评估此事件对于台积电所造成的不利影响。同时台积电表示将通知华力微，“不得使用从台积电非法取得的营业秘密”，如有必要将会采取行动维护自身利益。受此事件影响，华力微二期项目或将遭遇一定阻碍。

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  • 展讯Intel合作第二款芯片定位中低端,14nm三季度量产

     外电报导指出，英特尔和展讯合作的第二款14nm手机芯片将于第3季量产，与联发科、高通争抢中低端市场。 紫光展锐因为前几年获得英特尔入股，目前产品分别在台积电和英特尔下单制造，其中28nm产品线都是由台积电代工;进入1xnm世代后，则分别交由台积电和英特尔操刀。 虽然展讯切入4G市场的进度较缓，但已于今年2月登场的MWC上，展示与英特尔合作的首款X86架构手机芯片「SC9861G-IA」，抢攻市场的企图心不变。 展讯与英特尔合作第二款X86架构手机芯片产品代号为「SC9853」，同样采用英特尔的14nm制程，主打中低端市场，具体规格虽尚未公布，但预计会在第3季正式亮相。 展讯和英特尔在14纳米上，不但是技术合作，更扩展到终端消费者领域，英特尔背书让展讯在客户的手机宣传和外包装上，都打上“Intel Innovation”标志，类似过去在个人电脑(PC)时代“Intel Inside”的概念，深化彼此的合作。

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  • 硬件芯片解密需要满足什么条件？

     何谓芯片解密，从字面上来说就是将程序从母片中提取出来，将提取出来的程序烧录到样片里面，使样片的功能和原来母片的功能一致的过程。(被提供将要解密带程序的芯片，我们行业俗称母片，程序提取出来后，烧到新的空白样片里面供测试使用用的，我们行业俗称样片)。一般用于电子产品克隆中，PCB抄板，机样生产。 目前来说芯片的解密的作用有以下几个方面： 翻版别人的电路，解密芯片就拿到了人家做的程序，就可以做一个跟别人一样的电子产品了。 获取一些机密的算法，目的跟1也差不多，就是更加高级的翻版。 解密被人的银行卡芯片，获取别人银行卡的信息，这个你懂的。 解密芯片获取更高的用户权限，从而做一些你懂的事情。 当然有些人也为了证明自己的水平和好玩，所以解密芯片。 芯片解密的方法(硬解密)： 1.开盖，用硝酸融掉表层环氧树脂使芯片暴露 2.寻找保护熔丝的位置并将保护熔丝暴露在紫外光下，一般用一台放大倍数至少100倍的显微镜，从编程电压输入脚的连线跟踪进去，来寻找保护熔丝。 3.FIB线路修改利用聚焦离子束进行线路修改，(A)、(B)将欲连接线路上的钝化层打开，(C) 沉积Pt材料将两个线路连接起来 4.以深圳橙盒科技芯片解密研究中心提供的ATMEGA8、ATMEGA8L芯片解密方案图为例，大家结合以上的一些方法，透过这个方案，来做一个简单的研究实验。 软解密： 是通过软件找出单片机的设计缺陷，将内部OTP/falsh ROM 或eeprom代码读出，但这种芯片解密方法并不是最理想的，因为他的研究时间太长。同一系列的单片机都不是颗颗一样。根据编制语言来选择调试工具来分析，一般用wdasm或ida，不过也可以向下面的vb用smartcheck wktvbde 等delphi和borland c 用dedevc应该什么都可以用了，它的反编译可以看到大部分未加密文字把相关地址和代码找到后，同时拷贝到一个文本文档中，以备自己参考和写教程(可以边追踪边记录，这是个好习惯)然后用动态调试工具(sice、trw、ollydbg等)来动态追踪。 探针技术，探针技能和FIB技能解密，是一个很盛行的一种芯片解密办法，可是要必定的本钱。首先将单片机的Config用烧写器保存起来，用在文件做出来后手艺补回去之用，再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用微形探针打听，得出成果后在显微镜拍成图像用FIB衔接或切开加工完结。当然，也有不必FIB用探针就能用编程器将程序读出。 紫外线光技术，是一个非常流行的一种方法，也是最简单的一种时间快、像我们一样只要30至120分钟出文件、成本非常低样片成本就行。首先将单片机的Config(配置文件)用烧写器保存起来，再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用不透光的物体盖住OTP/falsh ROM 或eeprom处，紫外线照在加密位上10到120分钟，加密位由0变为1就能用编程器将程序读出。 芯片解密现在市场上的价格大概是多少钱： 芯片解密的价格区间比较大，主要得看具体的型号! 从事芯片解密工作以来，经常接到客户各式各样的问题，今天我们来解释一下，为什么芯片解密同样都是针对芯片，在价格上会有那么大的差异呢? 有些芯片只要几百块钱，而有些就需要几万甚至十几万呢? 首先，芯片解密的价格和我们研发费用是挂钩的，方案花费的成本越高，相应的解密价格也会越高，相信这一点不用我过多的解释，大部分客户是能够理解的，所以不同的公司因为技术实力不同，方案开发所花费的成本也就不一样，另外一点，比如ATMEL系列的51单片机，因为在国内已经出现了几十年，而且所有的技术资料都是对外公布的，任何人都可以轻易的获得这方面的资料，所以在解密方案的研究上也会得心应手的多，自然成本就会很少，最重要的，这种芯片的加密方式一般不会太复杂，解密操作成本也低。 而有些芯片，比如STC单片机，它们是由美国设计，国内宏晶公司贴牌生产的，这类芯片在设计的时候就吸取了51系列单片机容易被破解的教训，改进了加密机制，在出厂的时候就已经完全加密，用户程序是ISP(在系统编程)/IAP(在应用编程)机制写入，编程的时候是一边校验一边烧写，无读出命令，这些都在很大程度上增加了解密的难度。STC芯片空间分为：1、BOOTLOAD 2、应用代码 3、EEPROM，我们解密主要是针对BOOTLOAD区进行破解，然后读出程序，针对这一点，最新版本的STC芯片去掉了BOOTLOAD区。以上种种都需要我们花费大量的人力物力才能研究成解密方案，并且很多设备成本动辄几百万上千万所以只能外借，综合成本要高出很多很多。 另外一点，不同设备上的芯片由于应用不同，即使是同一型号，在解密费用上也会存在很大的差别，有些程序烧的很满的甚至无法破解，特别是一些设备上会用到专用芯片，解密难度更是非常大，所以解密的费用也会比普通芯片高几倍，几十倍甚至百倍。 值得高兴的是，随着解密技术的发展以及我们对于不同芯片加密方式的深入研究，解密方案也在不断进行优化，从各个方面来缩减解密成本，降低解密价格，让更多的客户得到实实在在的利益。双高科技深圳MCU解密中心在这方面一直在努力，相信我们会实现大的突破，所谓难的不会，会的不难，有时候就是一个思路转变的问题.

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  • 称霸全球 中国自主研发光量子计算机诞生

     据中科院之声消息，5月3日，中国科学院在上海举办新闻发布会，宣布世界上第一台超越早期经典计算机的光量子计算机诞生。 据悉，该量子计算机是货真价实的“中国造”，是中国科学技术大学潘建伟教授及其同事陆朝阳、朱晓波等，联合浙江大学王浩华教授研究组攻关突破的成果。 据介绍，潘建伟、陆朝阳等利用自主发展的综合性能国际最优的量子点单光子源，并通过电控可编程的光量子线路，构建了针对多光子“玻色取样”任务的光量子计算原型机。 实验测试表明，该原型机的取样速度比国际同行类似的实验加快至少24000倍，同时，通过和经典算法比较，也比人类历史上第一台电子管计算机(ENIAC)和第一台晶体管计算机(TRADIC)运行速度快10-100倍。 潘建伟称，这是历史上第一台超越早期经典计算机的基于单光子的量子模拟机，为最终实现超越经典计算能力的量子计算奠定了基础。

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  • 传高通与大唐电信将在中国建智能手机芯片工厂

     据台湾地区媒体称，高通将与大唐电信，以及半导体基金北京建广资产联手，在中国内地建立一家智能手机芯片合资工厂。 报道称，该合资工厂预计将于今年第三季度正式成立，大唐电信和北京建广资产所占股份将超过50%，而高通主要扮演技术供应商的角色。 该合资公司主要生产低于10美元的入门级智能手机芯片，因此不会与高通自家芯片业务产生竞争，因为高通的业务主要专注于高端智能手机芯片。 但毫无疑问，该合资工厂将对台湾地区的联发科和内地的展讯通信带来冲击。当前，联发科和展讯通信是入门级智能手机芯片的主要两家供应商。 联发科稍早些时候曾预计，公司第二季度营收将达到561亿美元至606亿美元，环比增长约8%。 报道还称，在与高通合作之前，大唐电信和北京建广资产也曾接触过联发科。但受台湾地区相关政策的影响，最终未能达成合作，如今反而多了一家新竞争对手。

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  • 被赶超？英特尔恐将沦为全球半导体市场老二？

     在全球存储器市场上，从2016年至今，DRAM(动态随机存储器)和NAND Flash(NAND闪速存储器)市场价格一涨再涨。韩国存储器大厂三星则因此大大受益。并且，美国市场研究机构IC insights预测，继中国台积电市值赶超美国英特尔之后，三星就很有可能在2017年第二季度取代英特尔，成为全球半导市场老大。 IC insights公布数据显示：在全球半导体市场上，从2016年第一季度到2017年第一季度，三星半导体销售额逐个季度递增;2017年第一季度，英特尔半导体销售额反倒比起上一个季度减少15亿美元左右。IC insights还预测：2017年第二季度，英特尔半导体销售额144亿美元，三星半导体销售额149.4亿美元，比英特尔多出大约5亿美元。 2017年第二季度，在全球半导体市场上，三星半导体销售额超过英特尔。 仅2016年下半年，在全球DRAM市场上，英特尔没占到什么市场份额，三星占得大约50%市场份额;而在全球NAND Flash市场上，英特尔占得市场份额介于6%到7%之间，三星占得36%以上市场份额。所以，DRAM和NAND Flash市场价格双双快速上涨，自然导致了三星半导体销售额逐个季度递增。从2016年第一季度到2017年第一季度，DRAM市场价格上涨45%，NAND Flash市场价格上涨40%。加之，整个2017年，DRAM和NAND Flash市场价格依然会很坚挺。 2016年下半年，在全球DRAM市场上，三星和海力士合占70%以上市场份额。 2016年下半年，在全球NAND Flash市场上，三星占得36%以上市场份额。 2016年，在全球半导体市场上，三星半导体销售额仅次于英特尔。 当然，英特尔也深知，台积电和三星等重量级竞争厂商正给自身带来冲击，英特尔必须有所改变。比如，英特尔正向人工智能、云计算、车联网和物联网等新领域拓展业务。再有，英特尔会紧随三星步伐，同样在2017年投产10nm制程工艺。英特尔向媒体称，英特尔所研发10nm制程工艺，要优于台积电和三星所研发10nm制程工艺。这等于是说，就算英特尔市值落后于台积电，就算英特尔半导体销售额落后于三星，但英特尔在技术研发上却依然领先于同行中其他竞争厂商。 结语：在过去一年多时间，全球存储器市场价格大幅上涨，对华为来说不是什么好事。另外，可能会有人分不清本文所说半导体、存储器、DRAM和NAND Flash之间关系。简单来说，半导体包含存储器，存储器包含DRAM和NAND Flash。

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  • 专业的培训模块和多样的交互式测验，遇见属于你的SimpleLinkTM Academy

     在TI，我们充分认识到，互联技术行业的竞争正在愈演愈烈。在这个大背景下，TI不断寻求全新的方法，希望在帮助开发人员更快适应行业最新趋势并伴随行业共同快速成长的同时，能够率先将产品推出市场，为用户提供创新型互联应用。 去年，TI发布了全新资源——SimpleLink™ Academy。这个经过精心策划、由数十个培训模块所组成的集合由论题专家开发，目的是帮助开发人员在使用SimpleLink微控制器(MCU)平台进行开发时有更高的工作效率。每个培训模块都可以提供详细的背景信息、交互式小测验、编码训练等。通过这个动手学习的方法，用户可以对SimpleLink MCU平台有一个更全面的了解，并且能更好地从总体上理解TI RTOS、TI Driver API和连通性的繁杂之处。 图1：不同主题内不断增加的培训模块列表 图2：交互式小测验示例 图3：基于任务的练习 TI Resource Explorer保驾护航 SimpleLink学院通过TI Resource Explorer提供支持，而Resource Explore则是针对TI嵌入式处理器件的一个综合全面且支持云端的开发资源库。在这里，用户可以找到针对每一个SimpleLink MCU的统一、整合的文档、代码示例、API指南、培训等。通过在TI Resource Explorer内访问SimpleLink Academy，开发人员能够实现在SimpleLink Academy培训模块以及开发人员在开发初期所需的其他资源间的无缝切换。TI Resource Explorer和其内容可通过dev.ti.com进行云端访问，或者在Code Composer StudioTM 集成式开发环境(IDE)内进行访问。这个无缝集成使得开发人员能够将示例项目轻松导入到IDE中，以开展进一步开发。 不断扩充的培训内容 正如TI此前所分享的那样，SimpleLink Academy的培训内容将不断增加。目前，以下主题及更多其它主题已正式上线： l TI Drivers：利用 TI Drivers进行配置和开发。TI Drivers是在SimpleLink软件开发套件(SDK)内为SimpleLink MCU提供的一组标准化功能API l POSIX：利用POSIX这个IEEE标准接口，在不同OS/内核之间实现应用代码的可移植性 l TI-RTOS：使用TI-RTOS对多线程应用进行开发 l FreeRTOS：用FreeRTOS启动开发工作 l Wi-Fi®：将Wi-Fi连通性添加到下一个项目中 l Bluetooth® 低能耗：利用其它支持Bluetooth低能耗的产品创造定制配置文件和交换数据 l 专有RF：开发基于Sub-1 GHz RF的多节点应用

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  • 下一代龙芯3A4000首次曝光！

     日前，龙芯在发布会上发布了3A3000和一系列产品。而且发布会上还公布了龙芯开发者计划、龙芯高校计划、龙芯产业基金。不过，笔者本文介绍的是龙芯正在研发的下一代CPU——3A4000。 龙芯3A4000的设计指标如何，要实现这个指标有何难度?龙芯3A4000性能会有哪些可能性呢? 关于3A4000的进度 关于龙芯3A4000，龙芯对其寄予了厚望，特别是吸取了3A2000和3A3000的不足后，做了修改，而且改动比较大。 龙芯方面最理想的目标是实现GCC编译器下SPEC06定点20分，不过这个是最理想状态下的，毕竟CPU公司跳票或者没能达到计划的情况很常见，即便是Intel、AMD都有这种黑历史。 先介绍一下3A4000的进度。3A4000的研发会比较慢，主要是两个目标定的很高，一个是GCC编译器下，SPEC2006测试能达到10/G，另一个是主频到2G。 10/G是什么概念呢?AMD的Zen大概也就这个水平——AMD自己公布的是3.4G，31.5分，换算以下就是9.26/G。不过由于一些优化选项没开，而且编译器是GCC4.6，换一下GCC编译器版本，多开一些优化，10+/G的成绩Zen还是能达到的。 Intel的Haswell，像赛扬的话，因为没有AVX指令带来的向量优化，以及缓存被“阉割”等因素，也就9.3/G，而i5-4460因为不像赛扬被“阉割”，可以到11/G，网友测试Skylake，大约也就11+/G(毕竟Intel这些年在挤牙膏)。 因此，如果龙芯3A4000能到10/G，那在微结构上和Intel、AMD的差距就比较小了。不过，考虑到越往上走，微结构优化难度越大,像3A4000基本上是3A3000里一点一点的抠，因而要实现这一目标的难度很大。 难度到底有多大呢?作为参照，以AMD的实力憋出Zen都用了九牛二虎之力，而龙芯3A3000的微结构GS464E除了带宽是K10的两倍之外，总体上GS464E和K10相当，等于是龙芯要完成AMD从K10到Zen的跨越。 AMD憋出Zen都用了这么久，龙芯要实现这一点，难度可想而知。 第二是主频，龙芯3A3000主频上不去，固然有自身后端设计能力相对有限的因素，但也和人力、财力，以及和代工厂的能力息息相关，而境内的代工厂在同制程下只有台积电的60%，和龙芯长期合作的ST在同制程下也只有台积电的80%，而台积电和Intel又有一定差距。 另外，如果主频要做上去，IC设计公司和代工厂就必须建立非常密切的关系，要开放一些技术资料，像Intel和曾经的AMD、IBM都是IDM厂商，因此可以开放技术资料设计和工艺制造不断磨合。 虽然IBM和AMD把晶圆厂卖了，但依旧和GF保持了过去的密切联系，很多技术储备和资料也都保留了下来，这样就可以继续做高主频CPU，但龙芯和ST不可能建立这种关系。 而境内的一些代工厂，在技术实力上还有待提高——境内工艺的一致性比境外工艺有一定差距，包括不同批次的一致性，仿真模型和实际晶体管参数的一致性都和国外工艺有一定差距，设计时要多留些裕量，蒙特卡罗仿真也要把参数波动范围设大一些。 龙芯3A2000在研制中就因为和境内代工厂磨合多耗费了1年时间，而在ST流片的3A3000则非常顺利了，从立项到流片也就用了1年时间左右。 换言之，就是龙芯即便和境内代工厂建立了密切的合作关系，境内代工厂也只能说：臣妾做不到啊! 此外，微结构越复杂，后端设计压力就越大，比如像把A53主频做到2G和把Zen的主频做到2G完全不是一个档次的工作难度。 像3A4000这种CPU的微结构，设计目标接近Haswell的东西，对于任何一家国内团队来说，后端设计难度都非常大，而且龙芯3A3000和龙芯3A4000，还是使用同样的制造工艺，这样就不可能通过工艺的提升来提升主频，完全靠自身的设计能力把主频提升30%，难度可想而知。 最后，虽然目前微结构优化的成果比较喜人，而且已经有仿真结果了。但由于要达到2G主频，最后可能会做一些权衡。最后能拿出怎么样的产品，只有等待时间检验了。 笔者做一个预测，龙芯3A4000可能会采用ST 28nm FD SOI工艺，如果抢时间的话，保守估计主频1.8-2.0，SPEC06 GCC编译器下定点16-18分。 如果多花费一些时间进行优化，而且龙芯团队发挥正常的话，3A4000主频为2G，SPEC06 GCC编译器下定点18+分。 如果龙芯团队超水平发挥，ST也没有掉链子，也许能实现GCC编译器下SPEC06 定点20分。 关于龙芯走自主道路和发展方向 必须强调的是，虽然网络上充斥着对龙芯各种不靠谱的报道，但龙芯对自己的能力，与Intel、AMD的差距认识的非常清楚。 在2020年前，龙芯主打方向是工控、网安，以及石油、电力、交通、金融等行业应用，这些行业应用一方面事关国家信息安全，另一方面在替换上不像桌面和手机存在庞杂的软件生态的问题。 对于龙芯的PC，3A3000主要针对的是党政军办公和龙芯爱好者、开发者。龙芯既没有能力，也没有心思进军民用市场与Wintel一争高下。 龙芯的思路是分步走，第一步能自己养活自己，在特殊市场和一些行业嵌入式应用赚钱，能够养队伍，赚来的钱能支持龙芯3号系列芯片的研发。这方面已经取得了不菲的成绩，可以说龙芯是在几家有官方背景的IC设计公司中获得政府经费支持最少的，也是极其罕见的可以实现政府断奶，自收自支、自负盈亏的。 第二步是特定市场，比如党政军办公PC，并鼓励开发者、爱好者使用龙芯电脑。同时进一步开拓行业市场，让更多的行业和嵌入式设备使用龙芯，扩大自己的根据地，增加市场份额和营业收入，并逐步建立起产业联盟和特定市场的软件生态——比如软件满足党政军办公使用，或者满足对保密要求比较高的科研单位，或十大军工的科研院所使用。 第三步才是进军民用市场。到这一步还非常遥远，有很长的路要走。龙芯目前，还处于第二步。 龙芯的路之所以会这么难，因为万事靠自己，不可能像合资公司那样，获得国家巨额经费支持，去境外弄一个内核，然后去用台积电最好的工艺做一个CPU/SoC，也不可能像一些公司买ARM的IP做集成，而且还有现成的AA体系来支撑商业化。 龙芯必须自己扩展指令集，开发各种IP，自己根据开源软件改写操作系统，自己建产业联盟和软件生态。这种做法步子自然是比与境外厂商合作或者合资的来的慢，但胜在根基扎实，不仅可以实现自主可控，而且可以掌握设计高性能CPU的能力。 而合作/合资，就意味着很多东西境外厂商已经帮你做好了，你就捡现成的就行了，而且合资或者合作中，肯定有很多限制条件，老外也不是活雷锋，会把技术倾囊相授。 比如汽车厂在合资中，就有图纸上一条线，中国工程师都不能改，要改的话，也必须经老外层层上报由外国公司决定。这种限制性条款就杜绝了中国工程师通过修改原始设计，逐步吃透国外技术的可能性。 长远来看，采用合资/合作模式，不仅无法形成独立于AA、Wintel的第三级，而且自己的能力发展就受到了制约。这也是为何几大车厂与国外巨头合资N多年，但在自主创新上，依旧乏善可陈的原因。

    半导体 芯片产业 龙芯

  • 英特尔芯片价格下滑 或是AMD强劲挑战所致

     据外媒报道，英特尔近日表示，至少到今年年底前，公司高端处理器的价格将出现下滑。分析人士认为，这主要是受AMD Ryzen处理器的强劲挑战所致。 今年第一季度，英特尔台式机和笔记本电脑处理器价格处于上升趋势。这推动了英特尔客户端计算事业部(CCG)营收达到了80亿美元，同比增长了6%。 但如今，英特尔PC处理器却面临着AMD最新的Ryzen处理器的严峻挑战。Ryzen系列处理器的性能与英特尔高端处理器的性能相当，但价格却远低于英特尔。 例如，AMD Ryzen 7 1800X是一款8核处理器，也是运行速度最快的Ryzen处理器，售价仅499美元。相比之下，英特尔的同级别产品酷睿i7-6900K售价高达1089美元，而10核的酷睿i7-6950X更是高达1723美元。 在上周四的财报电话会议上，当被问及处理器价格下滑是否是因为AMD Ryzen处理器竞争所致时，英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)避开了该问题，称市场动态是一个原因。 调研公司Tirias Research分析师吉姆· 麦克格雷格(Jim McGregor)称，十多年来，业界普遍认为AMD处理器的性能要低于英特尔的同级别产品。为此，PC厂商也开始逐渐放弃AMD。但如今，随着Ryzen处理器的上市，他们又重新与AMD展开合作。 麦克格雷格说：“如今，AMD推出了一款有竞争力的产品，且价格明显低于英特尔。对于想提高利润率的PC厂商而言，这颇具吸引力。” 目前还很难判断AMD Ryzen处理器对英特尔芯片的整体影响，但调研公司Mercury Research分析师迪恩·麦卡隆(Dean McCarron)称，在零售店等场所，Ryzen处理器上市后，英特尔盒装处理器的价格就进行了下调。 目前，Ryzen处理器仅对英特尔高端处理器带来了冲击。但今年晚些时候，AMD还将面向主流市场(相对低端)推出新处理器。届时，可能对英特尔同级别产品带来更大威胁，因为低端市场对价格更加敏感。 麦卡隆说：“竞争是一件好事，英特尔肯定感受到了AMD的压力。” 当然，AMD Ryzen处理器也并不是导致英特尔下调处理器价格的唯一原因。另外一个原因是，消费者从低端处理器向高端处理器过渡的步伐放缓。分析人士认为，英特尔需要调整高端处理器的价格，从而吸引更多消费者购买。

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  • 闪存市场将发生巨变 3D NAND走上舞台3D

     3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出，这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。 DRAMeXchange最新的预测显示，NAND闪存制造商们已经将他们晶圆厂的焦点转向了3D NAND，相比传统的2D NAND来说，前者更加密集、快速而且生产成本更低。 根据DRAMeXchange的研究，紧随着领先3D NAND生产商如三星和镁光的脚步，大多数NAND供应商将会在2017下半年开始大量生产64层3D NAND芯片。 今年早些时候，西数和其搭档东芝共同推出了一个64层NAND产品，该产品的行业密集度为每个闪存单元存储三位数据。 3D NAND闪存芯片基于垂直叠加或3D技术，西数和东芝称之为BiCS(Bit Cost Scaling)。西数目前已经发布了基于64层NAND闪存技术的第一款512Gb 3D NAND芯片试点产品。 报告中指出，西数的64层产品样本将会在五月底推出，而大规模产品将最早会在今年下半年推出。 对于企业来说，3D NAND产品的增长将意味着会有更便宜的非易失性存储，可以应用在数据中心和工作站中。 DRAMeXchange表明，即便有了3D NAND的增长，但NAND闪存的供应预计仍然会保持紧张，由于苹果正在为发布下一代iPhone备货中，其组件以及SSD的需求仍保持稳定。 DRAMeXchange还指出，3D NAND如今构成了三星和镁光各自一半以上的NAND闪存输出量。SK Hynix同样准备发布72层NAND芯片。为了成为行业领先的厂商，SK Hynix将会在下半年开始大量生产72层芯片。 三星仍然是3D NAND技术领域的领跑者，DRAMeXchange表示。该公司的48层芯片被广泛地应用在企业级和消费级SSD中，包括移动NAND产品。 镁光在三星之后，是第二大的3D NAND供应商，同样在其总NAND闪存输出量中占有50%以上的技术账单。镁光目前的主要收益来自于主要存储模块制造商对32层芯片的需求，而且其自身品牌的SSD发货量也很可观。

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  • 三星半导体组件驱动Galaxy S8

     三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。随着3D FinFET结构的进一步增强，与具有相同面积缩放的第一代10LPE(低功耗早期)工艺相比，10LPP允许高达10%的性能或15%的功耗。去年10月，三星半导体是业界率先在10LPE上开始批量生产片上系统(SoC)产品的行业。最新的高级Galaxy S8 Android智能手机由其中一些半导体元件提供支持。 三星半导体元器件 为了满足广泛客户对10nm工艺的长期需求，三星半导体已经开始在韩国华城最新的S3线安装生产设备。新的生产线预计将在2017年第四季度投产。 半导体元件 高性能智能手机 三星电子公司铸造营销副总裁李妍表示：“凭借我们10LPE的成功经验，我们已经开始生产10LPP，以保持我们在先进节点铸造市场的领先地位。 “10LPP将是高性能智能手机，移动计算和网络应用的关键流程产品之一，而三星半导体将继续提供最先进的逻辑处理技术。”Lee补充说。 三星组件

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  • 三星如何一步步走向芯片业务发展道路

     半导体业务正为三星电子创造源源不断的利润，但是该公司在40多年前进军芯片行业时并非一帆风顺。 作为三星集团的董事长，李健熙(Lee Kun-hee)现在因为心脏病丧失了能力，无法继续运营公司。当年，李健熙在推动公司进军半导体行业时受到了来自三星管理层的质疑。知情人士称，首批质疑者中就包括三星创始人、李健熙的父亲。当时，三星更为出名的业务是其食品、纺织品以及物流，并且刚刚开始在国内生产黑白电视机。 进军芯片行业 但是到了1974年，李健熙非常看好芯片行业的潜力，以至于他自己掏腰包收购了当时陷入财务困境的韩国半导体公司50%股份。他最终也说服了自己的父亲。 “他们相信未来将处于一个信息科技世界中，于是他们作出了一个十分重要的决定，”三星执行副总裁E.S.Jung表示，他负责三星半导体研发中心。 三星半导体部门一开始为手表生产芯片。1980年，三星半导体部门并入三星电子。 英特尔、三星等公司半导体收入 李健熙的赌博取得回报。1992年，三星成为首家开发出64Mb DRAM内存芯片的公司，遥遥领先于日本竞争对手。DRAM芯片是一个关键PC零部件。 主导存储芯片市场 现在，三星在全球DRAM芯片市场的份额约为50%，在全球存储芯片市场的份额约为37%。在高端半导体代工领域，三星还是后起之秀，该领域被台积电主导。尽管三星芯片代工业务规模不大，但是已经拥有苹果公司、高通公司等重要客户。 三星还开创了半导体行业的先河，利用大尺寸硅晶圆扩大生产。硅晶圆是半导体的基础材料。竞争对手由于缺少三星的技术，只能使用尺寸更小，磁盘形的晶圆生产。生产同等数量的芯片，小尺寸晶圆的效率更低，成本更高。三星是首批使用8英寸和12英寸晶圆生产芯片的公司之一。 行业专家称，三星之所以能够成为第一大存储芯片制造商，主要源于该公司在研发上进行了大笔投资。 “三星始终保持领先，所以即便在市场低迷时，我们的生产仍在继续，”E.S.Jung称，他从1985年开始在三星供职，“即便是其他公司陷入亏损，我们依旧能够盈利。”

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  • 10nm还是16nm，联发科采用哪个更助于竞争

     据报道，全球第二大手机芯片企业联发科在近日确定减少对台积电6月至8月约三分之一的订单，在当前的环境下是一个合适的选择，转而采用16nm FinFET工艺和10nm工艺可以更好的应对高通等芯片企业的竞争。 2016年联发科大卖的芯片是helio P10，当时中国大陆两大手机品牌OPPO和vivo大量采用该款芯片，在OV两家的出货量连续翻倍增长的情况下，联发科的出货量也节节攀升，甚至一度在中国大陆市场的份额超过高通，而helio P10正是采用台积电的28nm工艺。 去年三季度高通的中端芯片骁龙625转而采用三星的14nm FinFET工艺，先进工艺带来了更好的性能，特别重要的是降低了功耗。骁龙625是八核A53架构，在14nm FinFET工艺的支持下，表现出了优异的性能和功耗，据测试该款芯片在运行大型游戏等应用时候运行非常稳定。 高通的中高端芯片骁龙653则继续采用台积电的28nm工艺，骁龙653为四核A73+四核A53架构，A73本就是高性能高功耗的核心，骁龙653虽然较骁龙625有更高的性能，但是被发现出现一定的发热问题，在运行大型游戏时候会由于发热量太大性能迅速下降以保持芯片的正常运行。 在骁龙625的优异表现影响下，高通今年推出的中高端芯片骁龙653的继任者骁龙660已确定转而采用三星的14nm FinFET。在高通全面转向更先进的14nm FinFET工艺情况影响下，联发科理所应当放弃落后的28nm工艺。 不过联发科今年的错误在于它太过于激进，其高端芯片helio X30和中端芯片helio P35都直接跳过台积电的16nm FinFET转用最先进的10nm工艺，希望通过引入先进的工艺实现在中高端市场同时挑战高通的目标。 结果却因为台积电的10nm工艺并没能如期在去年底量产，正式量产后又遭遇了良率过低的问题被迫进行改进，这就导致了联发科的helio X30一再延期，如今中国大陆手机品牌普遍已放弃采用该芯片。联发科的helio P35如果能在二季度量产还能获得了一些中国大陆手机品牌采用，如果延迟到三季度投产的话那时候又要与苹果的A11处理器抢10nm工艺产能，从台积电一直优先照顾苹果的情况来看真到那时P35的量产必然又只得再延期了。 在这种情况下，偏偏联发科还遭遇了另一个问题，那就是中国移动早在2015年底就宣布要求手机厂商和芯片厂商要支持LTE Cat7以上技术，中国移动占有中国智能手机市场约六成市场份额，对智能手机市场有重要的影响力。联发科在helio X30和P35上市之前，其他手机芯片都只能最高支持LTE Cat6技术，这也是中国大陆手机品牌纷纷放弃联发科芯片的重要原因之一。 笔者认为，联发科在当下应该放弃10nm工艺，转而采用台积电的16nm FinFET或该工艺的改进版即12nm FinFET，这两项工艺技术成熟，产能充足，而在能效方面比三星的14nm FinFET更先进，同样有助于它与高通竞争，以迅速稳住当下正逐渐流失的中国大陆手机品牌客户。

    半导体 联发科 16nm 10nm

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