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  • 芯片到底可以变得有多小？

    1965年，计算机技术处在萌芽期，计算机工程先驱戈登?摩尔(Gordon Moore)写了一篇论文，冲击了科技产业。摩尔认为，计算机的性能每隔12个月翻一倍，成本下降50%。过去40年的历史证明摩尔定律相当正确。 现在摩尔定律进入困难时期。去年，英特尔曾表示，现在要让处理器的性能翻倍需要30个月的时间。2016年5月，曾经刊发一篇文章，标题就是“摩尔定律终结”。 的确，计算机性能的提升速度正在放缓。放缓还带来一个问题：许多下一代产品依赖于更快、更节能 、更便宜的芯片，而芯片的进步建立在一个假设之上，那就是摩尔定律仍然有效。如果芯片的提升速度放慢，甚至停滞，VR、AI、无人驾驶汽车、医疗、遗传工程，甚至连最新的智能手机都会受到干扰，无法快速推出。 真的会死亡吗?也许有些夸大。   芯片到底可以变得有多小 “必须”不是建议，而是物理的必然。几年来，计算机工程师不断缩小芯片的尺寸，获得更高的性能，但是这种策略渐渐走到了尽头。设计芯片时我们遇到了物理和几何瓶颈：要让芯片变小极为困难。 现代芯片设计将芯片组件之间的间隙缩小到十几纳米。如果不是工程师，可能不知道十几纳米是什么概念。一张纸的厚度约为0.1毫米，它相当于10万纳米。现在芯片中空间的尺寸大约相当于一张纸厚度的1/8000。虽然进一步缩小尺寸是有可能的，比如降到7纳米，不过按照产业的估计，即使只是开发一款7纳米原型芯片，成本也会达到1亿美元，目前全球只有3家企业可以做到：台积电、三星和英特尔。英特尔已经宣布，投入90亿美元开发7纳米处理器，开发至少要4年时间。 7纳米实际上已经做到了。如果想进一步缩小尺寸，进步的空间并不大。因此在7纳米之后，如果我们想提高计算技术的性能必须从两个方面下手：一是热管理，二是能源密度。热量和能源问题是巨大的设计难题，也是“设备杀手”。它们对创新至关重要，由于尺寸受到限制，热量和能源问题束手束脚，所以我们基本上只能维持现状。 第一步：减少热量 要让计算性能飞速提升，我们必须强化热量管理技术。打个比方：要让汽车跑得更快，我们需要安装更强大的引擎，装备更好的轮胎;但目前的问题在于，如果让引擎更强大，轮胎会爆胎。 热问题已经阻挡了某些计算机技术的进步，比如堆叠(stacking)，这种设计方案将计算机组件堆叠起来，比如处理器、内存、电源。采用堆叠设计，机器内部命令、电能移动的距离就会缩短，节省能源，提升处理速度。 虽然堆叠组件可以让计算机更快，但是生成的热量比分离更多。组件靠得太近为工程师带来挑战，他们要让设备在安全可行的温度下运行。正因如此，高通和英特尔已经抛弃了堆叠概念。英特尔组装和测试开发技术主管巴巴克?沙比(Babak Sabi)说：“从逻辑上讲，没有人能够真正将内存堆叠，除非有人可以拿出热解决方案……我不认为有人会使用堆叠技术。” 老式散热技术依赖于铜管和铝管，用垫片导热。但金属管和垫片太笨重了，装在笔记本、手机、汽车中效率不高。另外，老散热系统太坚硬，不够灵活，结果成为了设计的“噩梦”：你必须用铜垫片设计苗条性感的智能手机。 热技术阻碍了计算机整体性能的提升，但是技术正在快速进步，这是一个好消息。以后的热解决方案包括了凝胶、糊状物、新型柔性纤维，抛弃那些笨重坚固的材料。例如，NASA正在测试新散热材料，这种材料很轻很柔软，跟天鹅绒很相似。 第二步：增加能源密度 如果说热问题让摩尔定律“蹒跚前进”，那么能源密度问题则将摩尔定律变成了“跛子”。 所谓能源密度，就是说我们可以在特定空间内存储多少能源。能源密度越高，相同尺寸的电池就可以提供更多的电能。我们可以用赛车类比，如果说计算机处理器就是引擎，热管理是轮胎，那么能量密度就是燃油。 计算机及其它电子产品越来越快，越来越强，我们需要在更小的空间存储更多的能源，可惜电池技术进步缓慢。三星Note 7告诉我们：一面我们希望电池能够提供更多的电能，另一方面又要遵守严格的设计规范，二者必须平衡，如果平衡稍稍打破就会变成灾难。 能量密度问题成为一只拦路虎，影响了下一代计算产品的发展，比如机器人、无人机、太空探索设备、电子设备。在这些领域能量密度决定一切。对于消费者来说，由于能量密度没有大幅增加，所以我们会觉得手机电池不够用。 问题还不只这么简单，能量密度与热量管理问题是相互关联的。存储能源，充电，抽取电能，全都会产生热量。每一次当工程师在某方面取得进步，另一方面又会失常，导致问题变得更复杂。 未来的芯片技术 前路并非一片黑暗。我们应该保持乐观，相信科学家、工程师会在热量管理、能源密度方面取得突破。我之所以有信心，主要是因为克服技术、工程、设计问题是消费者渴望的。消费者想要更好的电池，它可以使用更长的时间，不让笔记本太热，消费者认为轻薄比强大的处理能力更重要。如果能够正确解决热量和能源密度问题，经济回报无疑是巨大的。 之所以乐观还有一个原因：当我们在热量、能源技术上前进一步，就会在其它地方取得相应的进步。如果真的做到了，新产品和新技术会变得更快，它们既可以保证摩尔定律继续有效，甚至还可以摧毁摩尔定律。技术的进步不是线性的，但最终它会带来更加激动人心的好消息。

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  • 联发科推12核心手机芯片会受到大众青睐吗？

    当下联发科X30受阻于台积电的10nm工艺，不过台媒消息传出指联发科下一代芯片将采用台积电的7nm工艺，而核心数量更增加至12个，这意味着它希望继续增加核心数量意图发挥自己在多核方面的技术优势。   多核手机处理器已不再如以往那么受重视 自功能机时代进入智能手机时代以来，联发科以推多核处理器获得企业和用户的青睐，在那个时候这也是一个十分好的卖点，对于用户来说他们并不太了解手机处理器的性能，只是直观感觉上核心数量越多性能应该就越强，在这样的情况下联发科通过不断开发四核、八核直至十核处理器，迅速赢得市场份额的增长，在中国的市场份额直追高通。 在联发科不断以多核引领市场发展的时候，高通自主架构的研发却跟不上脚步，2015年高通被迫跟进采用了ARM的公版高性能核心A57推出八核处理器骁龙810，不过由于A57核心的功耗较大以及所采用的台积电20nm能效不佳导致骁龙810出现发热问题，同年高通在高端市场受挫，市调机构估计高端芯片骁龙8XX系列出货量同比下跌近六成。 受此影响，2015年底高通在高端芯片上回归自主架构，强调单核性能不再与联发科比拼多核性能，当年底推出的骁龙820仅有四个核心，去年高通的骁龙820大受市场欢迎，各手机企业纷纷采用该芯片推旗舰手机。 业界也开始认识到对于手机来说，单核性能更重要，因手机进行多任务处理的场景有限，一直在高端智能手机市场占有大多数市场份额的苹果一直都采用自家的A系处理器，而直到2015年的A9都只是采用双核架构，不过凭借着强大的单核性能和自有的iOS系统而获得最为流畅的使用体验。 多核手机处理器的局限 苹果在A9处理器之前一直都采用双核处理器原因是它认为双核对于手机来说已经足够，而且双核处理器可以更好的控制功耗，这也正是它在电池容量远小于Android手机的情况下依然获得不错的续航的原因。 华为海思是国内最强的手机芯片企业，2015年其推出的麒麟950是四核A72+四核A53架构，其A72核心的设计主频达到2.3GHz，不过当时有相关人士分析发现它搭载在手机上时四个A72核心全开的情况下主频被控制在1.8GHz左右，这有可能是它为了控制手机芯片的功耗避免手机出现发热问题。 高通的骁龙810出现发热问题，不过华为采用该款芯片为谷歌开发的nexus6P却并没有出现发热问题，有外国机构分析显示华为也是通过控制骁龙810的主频来避免了发热问题。 这说明对于手机来说，控制功耗是第一重要的，而过多的核心数量会导致功耗过大让手机芯片企业在开发高性能手机处理器的时候为了控制发热不得不限制手机处理器的单核性能，而对于手机来说恰恰是单核性能较多核性能更为重要，形成了一个矛盾。 如此也就说明联发科推12核心的手机处理器未必是一个正确的选择，反而不利于它提供较高的单核性能，而较高的单核性能恰恰对于手机来说更为重要。 当然多核处理器在手机上重要性不高并非说它没有用处，对于桌面PC和服务器来说多核性能恰恰是十分重要的，因为这些产品都需要进行多任务处理，而ARM架构处理器正在进入这些市场，手机芯片老大高通正在进入服务器市场，联发科据说也有意进入服务器市场，联发科在多核处理器研发上所拥有的优势或许有助于它未来进入PC和服务器市场。

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  • 联发科将采用台积电芯片制造下一代旗舰机产品

    不出意外的话，联发科将一如既往地选择台积电制造芯片。 根据DigITimes一份将要公开的报告，被业界视为手机处理器市场领导者高通背后的千年老二的无线芯片制造商联发科，将采用台积电的7nm工艺制造其下一代旗舰级产品。 目前，联发科正在使用台积电的10nm工艺生产其用于高端智能手机的芯片-Helio X30，除此之外，它的大部分其它产品也是采用台积电的各种制造工艺生产的。   据报道，联发科计划未来仍将芯片交给台积电代工，这一点都不奇怪，这两家台湾本土公司一直以来合作关系良好，而且也没有什么激励能让联发科抛弃台积电。 现在人们更感兴趣的是，在高端旗舰机处理器上一直碾压联发科的移动一哥高通(最近，联发科的高管承认其X30正在成为一颗商业上的哑弹)，会在它接下来的产品上使用哪家代工厂的哪种工艺。 下一代骁龙处理器将在哪里制造? 一直以来，高通都是在台积电那里制造其旗舰骁龙处理器。然而，从骁龙820/821开始，高通就红杏出墙，转投了三星的怀抱。 高通目前仍在和三星合作打造其旗舰芯片，最近发布的Snapdragon 835旗舰处理器采用了三星公司的10纳米LPE(“早期低功耗版本”)工艺进行制造。 不过，有一个大的开放性问题，即是：骁龙835的下一代将在哪里制造，采用什么工艺? 一方面，如果高通和三星继续保持合作，我们可以看到下一代Snapdragon将使用三星的性能增强型10纳米工艺，称为10纳米LPP(“低功率增强版本”)。 这项技术不会缩小硅片面积，但三星表示，它在性能上将明显超越10纳米LPE工艺。高通可以利用这个工艺，再加上改进架构，增强功能，就能打造出一个引人注目的下一代旗舰骁龙芯片。 与此同时，台积电即将推出的7纳米产品 - 预计(如果还没有)将很快进入风险生产阶段-将于2018年上半年正式投产。台积电承诺，该7nm工艺将在性能上显著超越自家的10nm工艺(可能也会超越三星的10nm工艺，假设台积电和三星的10nm工艺性能相当的话)，同时降低芯片面积。 如果高通公司回头选用台积电的7纳米工艺，那么这可能意味着台积电的收入将获得不错的增长，因为高通的高端智能手机芯片的出货量相当庞大。然而，如果高通仍然坚持使用三星的制造技术，我也一点都不会感到奇怪，因为三星是高通的高端处理器芯片的重要买家。 在高通公司确实选择与三星合作推出高端智能手机芯片的情况下，台积电可能将联发科视为一个重要的战略合作伙伴，它可以凭借联发科重新获得优质的Android智能手机芯片份额。 不过，毕竟高通公司在高端智能手机芯片市场占据主导地位，如果它的旗舰骁龙芯片都由三星制造，台积电想在这一领域重新获得市场份额，只有如下两个方法： 1、与设计自己的芯片，将之用于与搭载高通旗舰芯片的高端智能手机竞争的手机(比如iPhone)厂商合作; 2、与和自己合作打造通用商品芯片的芯片制造商分享收益。 台积电第一个方法落实得很好(它为iPhone、华为高端智能手机制造芯片，甚至包括小米的澎湃S1)，但它第二个方法还没有见到实效。

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  • EV集团推出全新掩模对准光刻技术突破速度和精度极限

    微机电系统(MEMS)、纳米技术以及半导体市场晶圆键合和光刻设备领先供应商EV集团(EVG)今日宣布推出IQ Aligner NT，旨针对大容量先进封装应用推出的全新自动掩模对准系统。IQ Aligner NT光刻机配备了高强度和高均匀度曝光镜头、全新晶圆处理硬件、支持全局多点对准的全 200 毫米和全300毫米晶圆覆盖、以及优化的工具软件。与EVG此前推出的IQ Aligner光刻机相比，产出率和对准精度都提升了两倍。这套系统最大程度地满足了对后端光刻最严苛的要求，成本相较竞争者降低30%。 该款IQ Aligner光刻机支持多种先进封装类型，包括晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)、扇出晶圆级封装 (FOWLP)、三维集成电路/硅穿孔(TSV)、2.5D中介层以及倒装芯片。 最新光刻技术要求 高级半导体封装技术正在不断发展演变，包括增加器件功能和降低每单元功能成本，以便支持全新的器件类型。为促进光刻技术的发展，需满足对先进封装市场的独特要求： · 严密的对准精度 · 管理调整圆晶片的翘曲和解决晶片和掩模版图尺寸不匹配实现优化覆盖的能力 · 对后端加工过程中发现的厚层抗蚀剂和介电层进行充分曝光的能力 · 为解决由于设备缩放而导致的收缩凸起和互连所需的更高分辨率 · 满足以上要求的同时，业界需要一个具有高成本效益和生产率的光刻工具平台   EVG IQ Aligner NT——全新自动掩模对准系统，产出率和对准精度提升两倍，为 EVG 光刻解决方案带来了全新应用 EVG执行技术总监Paul Lindner表示：“EVG凭借超过 30 年的光刻技术经验，推出全新IQ Aligner NT，突破了掩模对准技术的极限。作为光刻解决方案产品组合的最新成员，这套系统的产出率、精度以及性价比都达到了前所未有的高度，为 EVG 打开了全新的市场机遇。我们期待与客户紧密合作，全力满足他们对先进封装光刻技术的需求。” IQ Aligner NT通过改良先进封装光刻技术，将掩模对准性能提升至业界领先水平： · 与EVG此前推出的IQ Aligner光刻机相比，高功率镜头照明强度提升3倍，特别适合对与加工凸点、凸块以及其他陡峭斜面特征有关的厚层抗蚀剂和其他薄膜进行曝光 · 在 300 毫米基板上进行全亮场掩模运动，在暗场掩模对准和图案定位方面提供了最高的工艺兼容性和灵活性 · 双基板尺寸理念无需进行任何工具更换，为两种不同的晶元尺寸提供了快速方便的桥式工具 · 支持全自动以及半自动/手动晶圆装载操作，实现灵活性最大化 · 基于最新制造软件标准和协议的最新 EVG “CIMF框架”系统软件 卓越的对准精度和产出率 结合最先进的光学和机械工程与优化的工具软件，IQ Aligner NT的产出率增加了两倍(相较首次曝光> 200wph，相较顶侧对准> 160wph),对准精度提升了两倍(250nm 3-sigma)。通过更严格和精准的规范，能够帮助客户提高高端和高带宽封装产品的产量。

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  • \"芯科技 智社会 创未来\"—东芝再次发力慕展

    21ic讯—2017年3月10日消息，日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)存储&电子元器件解决方案公司旗下东芝电子有限公司宣布，将在3月14至16日的慕尼黑上海电子展E4馆4300展位上，以“芯科技 智社会 创未来”为主题，展示东芝针对“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”4大应用领域所研发的最新技术、产品和解决方案呈现给迅猛增长的中国ICT市场。 依托领先的芯片技术，构建智能的社会生活，从而开创充满想象力的未来——这主题不仅仅展示了东芝作为先进半导体技术和产品的全球领导者的社会责任和愿景，更是对东芝半导体现状的描述。依托该主题，东芝本次展会将展出以应用领域划分的“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”的最新技术和产品。具体包括： 一、“Automotive”：以“提供安全舒适驾驶”为主旨的东芝汽车电子解决方案 这一系列方案包括已经被广泛用于量产车型仪表盘的显示控制器CapriconTM系列、旨在致力于实现更安全舒适驾驶体验的ADAS方案中所用到的图像识别处理器ViscontiTM系列、基于符合中国5.8GHz标准的ETC全套RF解决方案以及众多针对未来无人驾驶、车联网和新能源汽车应用的车载器件和解决方案。 二、“IoT”：以“连接人与物”为己任的东芝物联网解决方案 这一系列方案代表了东芝技术对人、物相连的最新贡献以及其对未来IoT发展趋势的把握。相关解决方案包括基于东芝蓝牙组网技术的智能照明方案、ApP LiteTM智能穿戴(血压测量)解决方案、TransferJetTM结合15W中功率无线充电二合一解决方案，以及基于移动外围器件(MPD)的VR解决方案等。 三、“Industrial”：以注重“保护环境”为标准的东芝工业电子解决方案 以高效、低功耗和高可靠性著称面向工业应用的东芝产品正在让生活变得更绿色环保。东芝本次带来的工业类产品种类齐全、可靠性高、性能出众。其中工业类产品相关的解决方案尤为精彩，包括更高效的大功率压接器件IEGT的解决方案、低压MOS管应用于无人机/电动工具的解决方案、节能环保低功耗的步进电机高效驱动解决方案、风扇马达控制解决方案，以及高效逆变器解决方案。 四、“Memory & Storage”：以“支撑信息社会”为目标的东芝存储解决方案 信息社会依托于信息存储，东芝凭借着最全面的存储产品线以及最前沿的存储技术成为信息社会发展的可靠支撑。本次展会上，东芝将带来其最新3D BiCS FLASHTM技术、东芝企业级SSD和HDD系列产品，以及东芝存储产品在服务器/云存储、数据中心等领域的用户案例。 在此，再次欢迎各位莅临东芝展台，参展信息如下： 1. 时间：2017年3月14日(周二)～16日(周四) 2. 地点：中国・上海新国际博览中心(Shanghai New International Expo Centre) 3. 展位：E4馆4300

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  • 安森美半导体图像传感器增强数字X光机拍摄的病人安全

    2017年3月8日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出一款新的CCD图像传感器，能在降低X射线剂量的条件下做视频成像，增强病人进行数字X光机拍摄的安全。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。   安森美半导体图像传感器增强数字X光机拍摄的病人安全 KAF-09001图像传感器提供与现在的KAF-09000相同的关键成像性能，用于数字X光机拍摄图像捕获，但采用了一种改进的输出架构，支持高灵敏度的视频模式，有利于病人定位，同时最大限度地降低总的X射线曝光。 KAF-09001分辨率为900万像素，与现有的KAF-09000具有同样的高灵敏度、低噪声的12微米(µm)像素。新的器件采用四输出设计，支持达20 MHz的读出速度，全分辨率时的帧速率增加了10倍，当该器件采用3 x 3 binning模式时，视频预览达10帧每秒(fps)。 安森美半导体图像传感器部工业方案分部副总裁兼总经理Herb Erhardt说：“KAF-09001令数字X光机拍摄系统能够提供更多的功能，而不牺牲灵敏度或成本。该新器件具备的改进证实我们致力为工业市场开发和提供最先进图像传感器的实力，包括医疗等专门应用。” 安森美半导体现提供KAF-09001的标准和工程级版本，采用符合限制使用有害物质指令(RoHS)的CERDIP-60封装，集成一个CuW散热板。该器件无论采用密封还是带玻璃配置都具有黑白光谱灵敏度。

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  • 半导体产业2017集成电路进入重大变革期

    半导体产业协会(SIA)6日发布的报告显示，全球半导体市场在2017年迎来良好开局，受中国市场强劲表现的推动，1月份全球芯片销量同比增长13.9%，达到306亿美元，增幅创2010年11月以来最高。报告显示，1月面向中国市场的芯片销售同比增长20.5%，面向美国市场的销售增长13.3%，对日销售增长12.3%，对欧销售增长4.8%。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 全球电子制造业景气度正在持续稳定升温，从数据上来看，我国芯片的进口量在不断增加。随着更多终端的智能化，将继续为全球电子消费需求带来增量。 值得注意的是，中国每年消费的半导体价值超过1千亿美元，占全球出货总量的近1/3，但中国半导体产值仅占全球的6%～7%。中国的许多用于装配个人计算机、智能手机以及其他设备的芯片、半导体等严重依赖进口。随着集成电路消费的不断增长，产品的国产化迫在眉睫。 集成电路在信息安全中处于关键地位。发展集成电路是实现信息安全的基石，涉及CPU、存储芯片、特色半导体、特种计算机及打印机等环节的自主可控。全球集成电路产业已进入重大调整变革期，行业集中度不断提升，国内相关公司也将通过资本运作，研发核心技术、扩大产能、提升经营规模，以对抗外部的激烈竞争从而维护国家信息安全。

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  • 国产芯片这里找：2016年中国半导体行业设计/制造/封测十强名单公布！

    根据中国半导体行业协会统计，2016年中国集成电路产业销售额达到4335.5亿元，同比增长20.1%。其中，设计业继续保持高速增长，销售额为1644.3亿元，同比增长24.1%;制造业受到国内芯片生产线满产以及扩产的带动，2016年依然快速增长，同比增长25.1%，销售额1126.9亿元;封装测试业销售额1564.3亿元，同比增长13%。 根据海关统计，2016年集成电路进口3425.5亿块，同比增长9.1%;进口金额2270.7亿美元，同比下降1.2%。出口集成电路1810.1亿块，同比下降1%;出口金额613.8亿美元，同比下降11.1%。 为推动我国半导体产业发展，中国半导体行业协会同时发布“2016年中国集成电路设计十大企业”，“2016年中国半导体制造十大企业”、“2016年中国半导体封装测试十大企业”、“2016年中国半导体功率器件十强企业”、“2016年中国半导体MEMS十强企业”、“2016年中国半导体材料十强企业”，“2016年中国半导体设备五强企业”，企业分类以主营业务为主，十强及五强企业销售额暂不公布， 具体名单如下： 一、2016年中国集成电路设计十大企业   据了解，2016年因为未完成收购，北京君正并未统计在此次排名中，而且2017年兆易创新又以65亿元并购北京矽成，预计2017年全国十大设计企业排名会发生巨大变更。 2016年12月1日，北京君正公告称，拟以发行股份及支付现金的方式购买北京豪威100%股权、视信源100%股权、思比科40.43%股权，交易价格合计为126.22亿元。交易后，公司将控制思比科94.29%股份。根据公告，北京豪威、思比科的主营业务均为图像传感器芯片的设计与销售，位于集成电路产业链的前端环节，与集成电路生产及应用环节紧密相连。 盈利能力方面，北京豪威业绩补偿方承诺北京豪威2017年、2018年、2019年净利润为5.8亿元、6.8亿元、8.5亿元。思比科业绩补偿方承诺，思比科2017年度、2018年度、2019年度的净利润数分别不低于3300万元、3960万元、4752万元。 2017年2月13日，兆易创新公告称，拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成(ISSI)100%股权，交易价格共计为65亿元。其中发行股份支付对价为45.5亿元，现金支付对价为19.5亿元。北京矽成(ISSI)的主营业务为提供高集成密度、高性能品质、高经济价值的集成电路存储芯片的研发、销售和技术支持，以及集成电路模拟芯片(ANALOG)的研发和销售。 北京矽成2014、2015和2016年1-9月实现未经审计的营业收入分别为20.38亿元、19.36亿元和15.75亿元;同期分别实现归母净利润1564.04万元、5720.34万元和7549.63万元。2016年上半年北京矽成的SRAM产品收入在全球SRAM市场中位居第二位，仅次于Cypress;DRAM产品收入在全球DRAM市场中位居第八位。 二、2016年中国半导体制造十大企业   2016年中芯国际销售总额达到29亿美金，再创新高，收入同比上升30.3%。其中，净利润率和中芯国际应占利润均创新高，分别为11%和3.766亿美金。 中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，中芯国际连续第八个季度收入创新高，达到8.148亿美元，同比上升33.5%，环比上升5.2%。2017年目标年收入成长20%，开始将部分28/40纳米相容的产能转化为28纳米产能，在2017年我们的成长动力还包括更多样化的成熟制程。 三、2016年中国半导体封装测试十大企业   2016年11月8日，Qualcomm位于上海外高桥自由贸易区的新公司高通通讯技术(上海)有限公司正式开业，新公司将与全球领先的半导体封装和测试服务提供商安靠公司进行合作，开展半导体制造测试业务。 高通通讯技术(上海)有限公司关注对Qualcomm产品质量和性能至关重要的芯片测试和系统级测试环节，未来还将拓展至晶圆级测试。结合Qualcomm的工程技术优势与安靠公司丰富的测试经验，成为Qualcomm制造布局和半导体业务运营体系中的重要一环，有望显著缩短产品上市周期、提升产品质量和成本效率。 四、2016年中国半导体功率器件十强企业   2016年1月19日，瑞能半导体有限公司(WeEN)在上海宣布正式开业，它是由恩智浦与北京建广资产管理有限公司联手投资建立的合资企业，集结恩智浦先进的双极性功率技术和建广资产在中国制造业和分销渠道的强大资源网络。 瑞能半导体首席执行官MarkusMosen先生表示，瑞能半导体目前在功率半导体器件市场的占有率接近7%，未来希望在2019年实现销售额翻番，市占率超过10%，这样才能够在市场上拥有话语权。 五、2016年中国半导体MEMS十强企业   六、2016年中国半导体材料十强企业   七、2016年中国半导体设备五强企业   注：中国半导体行业协会根据行业季度统计报表及各地方协会统计数据评选出“2016年中国集成电路设计十大企业，中国半导体制造、封装测试、功率器件、MEMS、设备及材料十大(强)企业”名单，未填报报表或地方协会未纳入统计范围内的企业不在评选范围内。

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  • 大联大友尚集团推出基于TI高性能MCU的EtherCAT 接口参考解决方案

    致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于TI C2000 Delfino™TMS320F2837xD的EtherCAT接口参考解决方案。 大联大友尚代理的TI最高性能的C2000 Delfino™TMS320F2837xD是一款功能强大的32位MCU，具有双CPU和双CLA，总系统吞吐量高达800 MIPS。凭借新的VCU和TMU 加速器、PWM增强功能以及16位精度ADC和更多模拟和控制外设，该微控制器可以应对最高级的控制环路挑战，例如工业驱动器和伺服电机控制、太阳能逆变器和转换器、数字电源、电力输送以及电力线通信等等。 其32位C28x架构CPU的内核可提供200MHz的信号处理性能，成有模拟和控制外设，允许设计人员整合控制架构。其CLA实时控制协处理器是一款独立的32位处理器，运行速度与主CPU相同，并与主C28x CPU同时执行代码。双C28x+CLA架构可在各种系统任务之间实现智能分区，并可有效加倍实时控制系统的计算性能。C28x CPU的性能还通过新型TMU加速器和VCU加速器得到了进一步提升，TMU加速器可快速执行包含变换和转矩环路计算中常见的三角运算的算法;VCU加速器可缩短编码应用中常见的复杂数学运算的时间。   图示1-大联大友尚推出的基于TI高性能MCU的EtherCAT接口参考设计系统架构图 大联大友尚基于TI Delfino™TMS320F2837xD 32位MCU的EtherCAT接口参考设计演示如何将C2000 Delfino MCU连接到EtherCAT™ ET1100从站控制器。该接口支持多路解复用地址/数据总线以实现最大带宽和最小延迟，并支持SPI模式以实现低引脚数EtherCAT通信。从站控制器可减少基于100Mbps以太网的Fieldbus通信处理负载，因此可消除针对这些任务的CPU开销。   图示2-大联大友尚推出的基于TI高性能MCU的EtherCAT接口参考设计展示板照片 方案特性：用于连接Beckhoff ET1100 EtherCAT从站控制器的高带宽、低延迟接口;具有多路解复用地址/数据总线的异步16位并行接口;可消除针对EtherCAT帧处理的CPU开销;包括ET1100双端口RAM直接内存读/写示例代码。

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  • e络盟推出嵌入式设计专辑

    [中国—2017年3月9日] 全球领先的电子元器件与开发服务分销商 e络盟 因其业界领先的设计和技术知识以及可为客户从概念到设计整个流程持续提供可靠的支持服务而广受赞誉。e络盟认为任何设计流程都不尽相同，为此持续通过不同渠道为客户提供广泛支持。继《工程师基本设计技巧》首发成功后，e络盟此次推出完全专注于嵌入式设计的系列丛书之二。 e络盟持续提供世界领先的专业产品及服务支持，且与多家制造商发展了独家合作伙伴关系，能够为设计师的嵌入式项目开发提供完美支持。随着嵌入式领域迅速扩张，对单板计算功能的需求也逐渐上升。基于此，e络盟旗下AVID和英蓓特科技积极利用其与制造商的独家协议优势，为工商业应用提供定制服务。 e络盟与德国赫优讯自动化系统有限公司(简称赫优讯，Hilscher Gesellschaft für Systemautomation mbH)合作，在定制化结构设计中将树莓派与赫优讯的网络芯片netX相结合，创建了适合工业环境的边缘网关。该项目正是e络盟与一家企业从设计到生产整个阶段取得的成功合作的典型案例。e络盟可为定制化解决方案开发提供极大的灵活性，且比从零起点开始设计一块开发板更经济高效。无论是初创企业还是最大的半导体制造商，e络盟都积累了丰富的合作经验，因而能够为项目开发提供全面的设计支持服务，尤其是具备潜在复杂需求的项目。 设计技巧系列丛书最新一册从工程师的角度为设计工程师提供项目建议，这也能够反映出他们在嵌入式应用开发方面所面临的独特挑战。e络盟团队的许多成员本身都是工程师，所以最能了解设计人员所需的信息和资源。 e络盟下一辑设计技巧手册将专注于创客人群，现正征集内容。e络盟及其社区号召全球创客参与并提供设计建议以供收录。若有兴趣提供设计建议，敬请访问e络盟社区。

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  • Littelfuse 增加对 Monolith Semiconductor的投资

    Littelfuse, Inc.于今天宣布其向 Monolith Semiconductor 公司增加 1500 万美元的投资。Monolith Semiconductor 公司位于德克萨斯州，是一家开发碳化硅技术的初创公司。碳化硅是一种快速兴起的半导体材料，与常规硅相比，它使功率器件能够在更高的开关频率下工作。它可以显著的提高逆变器和电机驱动器的运行效能并降低系统成本。 Littelfuse 高级副总裁兼半导体产品总经理和首席执行官 Ian Highley 表示：“我们很高兴与 Monolith 经验丰富的碳化硅和功率半导体专家团队一道拓展我们的合作化伙伴关系。随着更高效、更强大的功率电子器件的需求不断增加，我们为这种颠覆性的技术所提供的机会而感到兴奋”。 Monolith Semiconductor 首席执行官 Sujit Banerjee 博士说：“在我们离我们的技术的商业化越来越近的路上，Littelfuse 一直是我们伟大的合作伙伴。我们正在与 Littelfuse 密切合作，定位我们的组合产品系列来为我们的客户开发创新的解决方案”。 在此次增加投资后，Littelfuse 目前拥有 Monolith 公司的多数股权，并开始将 Monolith 纳入其经营财务业绩之中。Littelfuse 此前宣布，其 2017 年第一季度每股收益指导含有为资助 Monolith Semiconductor 公司开发活动的 0.03 美元的开支。这项额外投资预计将于 2017 年第二至第四季度将每股收益减少 0.09 美元。 根据与 Monolith Semiconductor 公司的协议，Littelfuse 承诺，一旦 Monolith 达成一定进度指标，就会增加其投资额度。

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  • UL环境部和绿色电子委员会(GEC)针对手机产品推出UL ECOLOGO/EPEAT联合认证

    获得UL 110可持续性标准认证的手机品牌可以在全球政府和机构使用的采购评级系统-EPEAT中迅速注册其产品。 日前，UL环境部和EPEAT认证系统管理者——绿色电子委员会(GEC)共同宣布，手机的可持续性认证标准ANSI(美国国家标准学会)/ UL 110被EPEAT(电子产品环境影响评估工具)认证系统采用，成为全球公共和私人集团采购商用于识别和购买可持续性IT产品的标准。 UL ECOLOGO/EPEAT联合认证适用于，希望获得最新版本的UL 110标准认证，并且需要获得EPEAT注册的采购和投标资格的手机品牌商。   UL 110标准将于2017年3月24日作为ANSI标准发布。基于新的UL 110标准，EPEAT认证系统中，关于新的手机类别的注册产品预计将于7月1日提供给消费者。 领先的全球品牌和无线服务供应商将致力于推动即将推出的EPEAT手机类别和UL ECOLOGO/EPEAT联合认证流程。几个世界上最受欢迎的手机品牌已经开始了UL ECOLOGO/EPEAT联合认证的预评估流程，与此同时，全球的无线运营商表示有兴趣与供应商合作，要求手机需通过UL ECOLOGO/EPEAT联合认证并获得认证标志。 绿色电子委员会首席执行官Nancy Gillis说道：“GEC很高兴能与UL环境部在UL ECOLOGO/EPEAT联合认证上合作。可持续性手机的购买需求大增。我们渴望将符合UL ECOLOGO认证的手机同时加入EPEAT的认证系统，从而集团采购商可以不断地利用其购买力来实现其机构的可持续发展目标。” UL环境部全球副总裁兼总经理Alberto Uggetti表示，“UL对UL ECOLOGO/ EPEAT联合认证可以满足制造商、采购商和消费者对评估手机的健康和可持续性的需求感到兴奋。 UL 110即将作为ANSI标准发布，为EPEAT手机类别设置了标准，并为政府和公司购买者识别和购买可持续性手机提供了可靠的资源。” 获得UL ECOLOGO/EPEAT联合认证标志的手机不仅要获得专门针对手机而定制的基于生命周期的标准认证，同时还会被EPEAT系统进行持续验证。这种前所未有的前后市场认证组合确保了品牌商/制造商的可持续性声明的可靠性。 UL环境部在2013年开始UL 110的标准更新，两年后，基于生命周期评估的新版草稿标准被广泛采纳。更新的多属性标准涉及多项环境指标的评估，例如材料、包装能源消耗、消费后管理、延长使用周期、生产制造和运营以及公司执行等。

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  • TE Connectivity 推出 LGA 3647 插座产品系列

    全球连接和传感器领域领军企业 TE Connectivity(TE)今日宣布推出其全面的 LGA 3647 插座及硬件产品系列整体解决方案。这些产品专为 Intel 公司最新服务器平台特定的新型处理器而设计。TE 推出的 LGA 插座及硬件可共同在处理器和印刷电路板(PCB)之间提供全面的电气互连。LGA 3647 插座作为首款采用两片式设计的 LGA 插座，适用于较大规格的处理器，并且能够在改善翘曲问题的同时提供更好的平面度、可靠性和连接性。 TE 的 LGA 3647 产品系列包括： · LGA 3647 P0插座和P1插座能够兼容 Intel 最新型处理器 · 夹具能够更好地实现对齐，并使手指远离插座接触区 · 垫板可为 PHM 提供定位和对齐，并可在装入插座时提供必需的弹簧承载力 · 背板可为垫板组件提供安装点

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  • 二极管鲜为人知的特性

    我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、 正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。   图1 二极管导通压降测试电路   图2 导通压降与导通电流关系 2、 正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表 1 导通压降与导通电流测试数据   图3 导通压降与环境温度关系曲线 3、二极管漏电流与反向电压的关系 在二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估二极管性能的重要参数，二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系如图4所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基管的漏电流可忽略。   图4 反向电压与漏电流关系曲线 4、二极管漏电流与环境温度的关系 其实对二极管漏电流影响最大的还是环境温度，下图5是在额定反压下测试的关系曲线，从中可以看出：温度越高，漏电流越大。在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低二极管的工作温度。   图5 漏电流与环境温度关系曲线 5、二极管反向恢复时间 如图6所示，二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔，实际上是释放二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间，而在高频脉冲下不但会使其损耗加重，也会引起较大的电磁干扰。所以知道二极管的反向恢复时间正确选择二极管和合理设计电路是必要的，选择二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的，但大多数厂家都不提供该参数数据。   图6 二极管恢复时间示意图 6、二极管反向电压裕量的意义 我们都知道二极管有个反向击穿的极限电压，绝大多数的二极管厂商都没把它写入数据手册，但在大多数情况下为了节省成本不可能将二极管反向耐压降额到50%左右使用，那么反向电压裕量是否足够，这对评估该二极管反向耐压应降多少额使用较为安全是有一定意义的。从下表中可看出，反向电压的裕量并不像网上所说的那样是额定反压的2~3倍。 膝点反向电压为漏电流突变时的反向电压点。(二极管在常温某电压点下，其漏电流突然一下增大了几十上百倍，例如：SM360A二极管在78V时漏电流为20μA，但在79V时漏电流为2 mA，79V即为膝点反向电压)膝点反向电压虽然未使二极管完全击穿，但却严重影响了二极管的正常使用。而在高温下漏电流更易突变，此时的膝点反向电压就更低。所以一个二极管的反向电压应降额值为多少才较为正确合理，更应该从物料的使用环境温度和实际使用的导通电流来测试膝点反向电压值，然后再来确定裕量降额值。 表2 二极管反向电压测试数据   好的电路设计在对二极管参数的选择时，不仅要考虑常温的参数，也要考虑在高低温环境下的一些突变参数。知道二极管的这些特性关系往往会给工程师的选管以及电路故障的分析带来事半功倍的效果。

    半导体 二极管

  • Littelfuse将携最新产品技术亮相2017年上海慕尼黑电子展助力“中国制造2025”

    中国，上海，2017年3月8日讯 -全球电路保护领域领先企业Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)宣布3月14日-16日期间将携各种最新产品和技术亮相在上海新国际博览中心举办的第16届慕尼黑上海电子展(electronica China)(展位号E5.5256)，Littelfuse的技术专家将出席本次展会，并谈谈他们将如何帮助设计师打造更安全、更具性价比的电子产品和系统。 现场展示的产品包括了Littelfuse过去一年的突出研究成果。包括以下领域产品、技术的应用：汽车变速箱传感器、安全传感器和太阳能感应;汽车升降门感应;商用车(CVP)显示;乘用车(PCP)显示;汽车电子;包含洗衣机/咖啡机在内的电器&白色家电; LED照明;数据中心和云基础设施;半导体;建筑/家具自动化&物联网;移动和可穿戴、消费类电子产品。 Littelfuse已连续两年参加上海慕尼黑电子展，坚持带来不断创新的技术和产品。Littelfuse亚太区销售副总裁Peter Kim先生表示：“Littelfuse是电路保护的全球领军企业，在电源控制和感应方面拥有不断增长的全球平台。我们正在给许多快速发展的行业带来新的产品和技术，我们希望通过加大创新技术投入促进全球领域的智能智造，特别是中国市场。” 除此之外，来自Littelfuse的技术专家将出席同期举行的三项论坛，并现身说法带来主题演讲： l 国际电动车创新发展论坛 主题：高可靠性电动汽车的电路保护 主讲人：李晓辉 时间：3月14日 15:35 - 16:00 地点：E2馆二楼 M19会议室 l 国际连接器创新论坛 主题：USB-C的威胁和保护 主讲人：游恭豪 时间：3月15日10:20 -10:50 地点：E5馆二楼M32会议室 l 国际汽车电子创新技术大会 主题：采用 TMR 技术的汽车传感器以及实现更加舒适和节能的驾驶的电子解决方案 主讲人：褚贵庭、戴泰初 时间：3月15日14:00 -14:30 地点：E2馆二楼 M19会议室 “引领思潮”视频 由9个Littelfuse高管录制的短视频组成的“引领思潮”系列将在展会期间播出，视频主题和发言人包括： · 数据中心和“云”基础设施——John Collins，全球工业市场主管 · 电器/白色家电——Will Li，全球传感器、电子产品经理 · LED照明——Todd Phillips，全球电子市场战略经理 · 建筑/家具自动化——Tim Patel，全球电子市场战略经理 · 移动和可穿戴、消费类电子产品——Saad Lambaz，全球电子标准经理 · 汽车电子——Eyal Altman，汽车电子商务副总裁&总经理 · 半导体洞察、创新和影响力——Corey Deyalsingh，功率半导体电子主管 · 商用车——Kerri Hood，汽车区域销售经理 · 汽车工业——以汽车为基础的解决方案汇总

    半导体 littelfuse 慕尼黑电子展

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