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  • 安森美半导体在欧洲设立先进的传感器设计中心

    推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，)，宣布在欧洲设立一个新的传感器融合设计中心。该中心的团队积累了1,200多年在数字和模拟技术硅设计方面的经验。该中心使安森美半导体扩大其汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)和视觉应用的图像传感器的全球市场领先地位，具备新的成像和视频信号处理能力，用于自动驾驶系统。结合最近收购的毫米波雷达技术设计中心及以色列设计中心，安森美半导体独一无二地处于为下一代高度自动驾驶车辆提供传感器融合方案的优势地位。 图像传感器部汽车方案分部副总裁兼总经理Ross Jatou说：“汽车图像传感器市场正迅速增长，受着ADAS、视觉系统和新的图像传感器应用的更高配件率所带动，如驾驶员监控、电子车镜和360度感测。我们扩大设计能力，使我们能够拓展在已建立的细分市场的领先地位，并为新兴细分市场提供新的、世界一流的方案。” 该新的安森美半导体设计中心直接向图像传感器部汽车方案分部(ASD)汇报，位于英国布拉克内尔。它扩展了公司的全球传感器设计实力覆盖，现在的设计中心位于美国、英国、日本、印度和以色列。

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  • ADI公司已获收购凌力尔特公司所需的全部法律批复

    Analog Devices, Inc. 今天宣布，公司已收到中国商务部(“MOFCOM”)关于收购凌力尔特公司的法律批文。MOFCOM的批复是本次收购需要的最后一个法律批文，双方预计将于2017年3月10日完成收购。 ADI公司总裁兼首席执行官 Vincent Roche 表示：“随着最后一道法律批复的获准，交易即将完成，我们已经做好整合ADI与凌力尔特公司的准备。自从7月份宣布这项交易以来，双方公司一直紧密规划，准备在交易完成后迅速统一运营。现在整合阶段到来，我们期待要为客户、员工和股东创造更多价值。” 交易完成时，持有凌力尔特公司普通股的股东，每股可兑换46美元现金和0.2321股ADI公司普通股。交易结束后，凌力尔特公司将从纳斯达克全球精选市场交易中退市。 2017 年第二财季最新预期 ADI公司还修改了2017年第二财季的财务预期。公司收入和每股收益预计介于预期中点和高点之间。 首席财务官离职和任命临时首席财务官 公司同时宣布接受首席财务官 David Zinsner 的辞呈，2017年3月17日起生效。 Zinsner 先生将离开ADI公司，担任波士顿地区一家获得风险投资的技术公司的总裁。2017年3月18日起，ADI公司副总裁兼首席会计主管 Eileen Wynne 将接任临时CFO，直至 Zinsner 先生的正式继任者上任。公司已宣布开始寻找新CFO。 Roche 先生表示：“非常感谢Dave 8年来对ADI的无私奉献。任职ADI公司期间，他的专注、成就和专业水准堪称典范，预祝他在新的职业发展中一帆风顺。 ” ADI公司有强大的财务人才梯队，相信我们的长期首席会计主管 Eileen Wynne 定能出色地完成过渡任务。” Roche 先生补充说：“此外，ADI与凌力尔特公司合并后的前景令人期待。在Dave的监督下，合并计划已经接近完成。现已进入执行阶段，根据计划，我们的联合管理团队将大力推进两家公司的整合。”

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  • 巴西的Unitec公司获得Imagination MIPS CPU授权，用来开发瞄准智慧城市应用的芯片

    Imagination Technologies 宣布，巴西的 Unitec 半导体公司 (Unitec Semiconductores) 已选用 MIPS M-class CPU 作为其新款电源管理 IC 的控制器。这款芯片将被用在 Unitec Semiconductores 旗下子公司 Unitec Solutions 为 IoT 智慧城市应用开发的各项产品中。 精巧、高效率的 MIPS microAptiv MCU IP 内核是微控制器 (MCU) 和嵌入式应用的理想选择，可满足这些应用对于高性能、高效率以及安全性的即时需求。它是 Imagination 最精巧、最低功耗的 CPU 系列产品，与竞争对手同类型的集成式 MCU/DSP 解决方案相比，拥有更优异的性能。 Unitec 副总裁 José Vidal 表示：“通过半导体与解决方案的结合，Unitec 可为智慧城市、IoT、工业应用、生命科学以及其他令人振奋的领域开发具高度竞争力的产品。我们的目标是要通过创新，让人们的生活变得更美好。我们对 Imagination 有着非常正面的评价，从其提供的高品质与高性能 MIPS CPU IP 到绝佳的技术支持，因此期望未来能进一步与 Imagination 建立战略性合作关系。” Imagination 公司 MIPS 处理器 IP 执行副总裁 Jim Nicholas 表示：“巴西在多项因素的共同带动下，包括生态系统发展、工业政策、以及 IoT 与智慧城市等新兴市场的兴起等，已为半导体厂商开创了绝佳的商机。MIPS M-class CPU 是许多嵌入式 CPU 应用的理想选择，我们很高兴能获得 Unitec 这类创新公司的青睐，选用 MIPS 内核来开发其新的芯片产品。” 关于 MIPS 处理器 MIPS CPU IP 是低功耗、高效率32/64位处理器架构与内核的完整组合，涵盖了从适用于高端应用处理器的极高性能内核，一直到深度嵌入式微控制器所需的极精巧内核。MIPS CPU 在家庭娱乐、嵌入式和网络产品拥有稳固的市场地位，已内置于全球数十亿台的产品中，并拥有商用与开源软件、操作系统及工具的广泛生态系统支持。

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  • 智无界，造有型。贸泽电子倾力打造智造创新论坛

    半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 将于3月14日联合德州仪器、英特尔、安森美半导体、恩智浦等众多顶尖半导体厂商，在上海世纪皇冠假日酒店举办以智造为主题的 “2017 Mouser智造创新论坛”，旨在从元器件厂商的角度，向观众介绍在智能创造的领域中的精妙设计和更优选择。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表达了对中国智造崛起的殷切希望：“中国正在处于前所未有的科技变革之中，以科技创新为核心的智能创造，目前已渗透各行各业，逐渐改变着人们的生活习惯。中国市场是贸泽电子亚太市场战略的重中之重，智造创新论坛将成为一个与半导体厂商、创客们共同成长的平台。除此之外，贸泽电子快速响应创客的最新需求，广泛备货最新元器件，快速导入市场的同时无私提供专业的本地化服务，能让工程师们感受到贸泽电子精神中的速度与热情。” 诚然，受益于智能硬件、物联网、可穿戴设备等的迅速发展，上至政府层面的重点关注，下至普通爱好者玩家的热情参与，智能制造与智能创新正以不可阻挡之势席卷中国的各个角落。对贸泽电子来说，除了前瞻性地把握全球应用和技术的趋势，同时也需要更好地为设计工程师提供海量的半导体和元器件选择以及专业的技术支持。 根据市场调查机构IDC的预测，2020年全球物联网市场市值将达到1.7万亿美元。物联网已成为未来一段时间内最重要的一个技术和应用大趋势，会让人们的生活习惯发生巨大变化，每个产品都会是智能终端，都可以和用户产生化学反应。 田吉平副总裁对物联网有着自己的理解：“从碎片化、孤立化应用为主的起步阶段，迈入跨界融合、集成创新的新阶段，物联网大规模爆发式增长的序幕已经开启，智能硬件、可穿戴设备的迅猛发展，正是物与物、物与人加速连接的印证。物联网将信息化与传统领域深度融合，也在重塑生产组织方式，变革产业形态。如何运用新一代信息技术以及集成化硬件创造差异化的智能产品，满足不同场景下的用户需求，是我们想要通过物联网创新设计大赛来启发大家的初衷，希望广大创客、高校师生、工程师以及开源硬件爱好者在比赛中让创意尽情挥洒，让智造没有边界。” 贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服，通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件，为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

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  • 贸泽备货Microchip的16位PIC24F Curiosity开发板帮助新手用户快速上手

    最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起备货Microchip Technology 的PIC24F Curiosity开发板。PIC24F Curiosity开发板价格实惠，为新手用户、设计师以及需要功能丰富的快速原型开发板的用户完整集成了16位开发平台。PIC24F Curiosity开发板集成有编程器/调试器，无需额外的硬件即可上手使用。 贸泽电子供货的Microchip Technology PIC24F Curiosity开发板是可以充分发挥16位eXtreme Low Power (XLP) PIC24F微控制器功能的理想平台。板载PIC24FJ128GA微控制器提供集成的加密引擎、ISO 7816支持和I2S支持。此款开发板的布局和外部连接非常方便开发人员访问独立于内核的外设(CIP)，使开发人员能够将各种系统功能集成到一个微控制器中，简化设计并降低系统功耗与物料成本。为简化编程，此开发板支持Microchip的MPLAB® X集成开发环境、MPLAB Xpress基于云服务的集成开发环境、XC16编译器以及MPLAB代码配置器。 PIC24F Curiosity开发板拥有丰富的用户接口选项，包括物理开关、LED和一个板载电位计。用户可以通过MikroElectronika mikroBUS™ Click板扩展功能，还可以利用Microchip BM71模块添加低功耗Bluetooth ® 通信功能。PIC24F Curiosity开发板无论是直接使用还是与扩展板搭配使用，都允许开发人员自由开发各种应用，包括物联网(IoT)、 外设测试、机器人开发以及概念证明设计。

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  • 东芝半导体竞争白热化，海力士备重金欲入主

             SK海力士(SK Hynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化，但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划，是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效，外界出现不同评价。   据韩媒Money Today报导，东芝为了弥补核能事业亏损，日前已决定全数出售半导体事业部股份。业界推算，依照100%股份市价再加20～30%的经营权移转贴水，总规模应在24兆～26兆韩元之间，可望打破韩国购并史上的最高纪录。   市调机构IHS的资料显示，2016年SK海力士在全球DRAM市场占有率为25.2%，仅次于三星电子(Samsung Electronics)48.0%位居第二，但在NAND Flash市场却仅有10.1%位居第五，远落后三星(35.4%)与东芝(19.6%)。   因此若SK海力士买下东芝半导体事业部，将可巩固市场地位，也可一口气拉近与三星的市占率差距，不论在DRAM或NAND Flash市场，SK海力士都将成为牵制三星的最大劲敌。   但业界有不同看法，认为SK海力士砸下天文数字入主东芝，不一定能保证取得综效，2013年美光(Micron)购并日本DRAM业者尔必达(Elpida Memory)就是最佳代表案例。   相关业者表示，东芝虽然是NAND Flash的发明者，拥有核心技术，但目前每家公司制程都不相同，如果没有谨慎评估技术上的加乘效果，冒然购并东芝，将来在生产上可能会出问题。   从SK海力士的资金调度能力来看，2016年底现金类资产为4.1兆韩元，贷款为4.3兆韩元，2017年营收规模及投资资金预估约为3兆～5兆韩元。若SK海力士决定投资东芝，有可能变更中长期设备投资计划，因此还能增加额外资金，加上公司稳健的财务结构，可再向银行贷款或由其他SK集团(SK Group)子公司取得支援。   韩国证券分析师表示，现阶段就算SK海力士愿意加入东芝股权竞争，也不一定能有斩获。因为日本政府将半导体视为国家策略产业，前次让尔必达落入美光之手，这次应不会轻易让SK海力士入主，成就韩国业者在半导体市场的寡占地位。   但就资金调度能力、股权转让时限(1年)、员工就业保障等东芝提出的三大条件来看，同时符合资格的竞争业者寥寥无几。   业界另一种观点认为，就算SK海力士不购并东芝的半导体事业，对本身也不会有负面影响。如同尔必达购并案结果，只要最后入主东芝的不是大陆业者，SK海力士都有机会坐收渔翁之利。光是参加股权竞标，观察其他竞争者的技术能力与经营策略，这些对SK海力士都是有利资讯。   据了解，前次参与东芝第一轮投标的有SK海力士、美光、威腾(Western Digital)、贝恩资本(Bain Capital)等多家业者，业界预估第二轮竞标可能就会有大陆业者参与，如清华紫光。   消息人士指出，SK集团为了筹绰逾20亿韩元的购并资金，目前正多方向投资公司、财务投资者(Financial Investor)提案;原本SK集团以通讯、能源、半导体为三大事业主轴，为了入主东芝也可能改变事业结构。但投资与否的最终决定权还是握在会长崔泰源手上。     【文章转载自网络，版权归原作者所有，若有侵权请联系删除】

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  • 全球半导体资本支出再增加，三星居榜

    近日，市调机构IC Insights统计指出，今年全球半导体资本支出将较去年再增加6%，预期三星、英特尔今年资本支出均年增逾两位数，台积电则减2%，使得台积电今年资本支出预估100亿美元，低于英特尔的120亿美元、退居第三位。 IC Insights统计，今年全球半导体资本支出将达723.05亿美元，其中，韩国三星今年资本支出居冠为125亿美元，年增11%;美国英特尔估为120亿美元，今年资本支出较去年大幅增加25%。台积电去年资本支出估约102.49亿美元新高，今年则是100亿美元，居于第三。 IC Insights统计中看出，前十大厂商有两家今年资本支出成长在两成以上，分别是英特尔的年增25%与格罗方德(GlobalFoundries)的33%。格罗方德去年资本支出大减62%，今年资本支出为20亿美元，且预计直接挑战7nm制程。 目前英特尔也在冲刺7nm制程。台积电更取得优势地位;董事长张忠谋2日表示，今年全球半导体市场会表现不错，预估将较去年成长4%-5%，台积电会优于产业成长率，预估今年台积电营收会有5%-10%成长，台积电的制程技术亦超越任何竞争者。 另外，DRAM市况持续看好，三星、海力士预估将增加资本支出11%与16%。另一家存储器厂美光，去年资本支出成长28%;美光去年底收购华亚科后，今年资本支出则年减13%为50亿美元。 此外，晶圆代工厂中芯去年资本支出大增87%，但今年预估资本支出年减12%为23亿美元。至于联电去年资本支出估达28.42亿美元新高，今年预估降3成至20亿美元。   【文章转载自网络，版权归原作者所有，若有侵权请联系删除】

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  • e络盟现已发售是德科技超低成本示波器系列

    e络盟—全球领先的电子元器件与开发服务分销商正在发售是德科技超低成本示波器系列。该系列拥有50至100 MHz 型号，可提供专业级的功能、业界领先的软件分析功能及6合1的综合仪器特性，性价比极高且节省工作台空间，带给用户更多价值。 Keysight InfiniiVision 1000 X系列示波器专为价格敏感电子设计工程师、学生和业余爱好者而开发。相较于Keysight 1000系列产品，功能更多且性能进一步加强。 1000 X系列使用是德科技独有的MegaZoom IV定制 ASIC 技术，能够确保高达50,000 波形/秒的波形捕获率，更易于观察到随机和罕见的毛刺与异常状况，而其他相同价位的示波器很可能会错过这些现象。该1000 X还拥有 高达2 GSa/s 的采样率，并标配有两根探头。同时，标配段存储功能可提供最大限度的存储深度，并协助更快速的测试。 除了示波器功能， 1000 X系列还是一台串行协议分析仪、数字电压表和频率计数器。而EDUX1002G和DSOX1102G两个型号还具备频率响应分析仪和WaveGen函数发生器的功能。内置的WaveGen和频率响应分析功能让您可以非常方便地教授波特图的基本原理。 1000 X系列具有专业品质的测量和软件分析能力，能够提供24种典型的示波器测量，以快速分析信号并确定信号参数。选通FFT功能还可进行更多的信号分析，允许用户在同一屏幕上关联时域和频域现象。模板极限测试功能可以帮助用户轻松检测信号异常和错误。1000 X系列支持针对各种常用的嵌入式和汽车串行总线应用进行解码、触发和分析，其中包括I2C、SPI、UART/RS232、CAN和LIN等。 主要功能包括： ● 50 MHz 至 100 MHz – 完全可升级 ● 50,000 波形/秒的波形捕获率可获取更多微小信号 ● 6合1综合仪器，整合了示波器、频率响应分析仪、WaveGen函数发生器、串行协议分析仪、数字电压表、频率计数器。 ● 内置频率响应分析仪配备波特图绘制功能 ● USB存储 ● 连接兼容和线下分析软件 ● 多种语言支持 InfiniiVision 1000 X系列因其低成本和易用性，是学生和新手们的理想选择。行业标准字体前面板内置帮助系统，因此新用户们可以快速分析信号并交付最终结果。该系列还包含了一个教育工作者资源套件，令示波器教学实验更简便。此资源套件附有教师用教具以及学生的学习资源，包括内置培训信号、专为大学生编写的全套示波器实验室指南和教程，以及面向教授和实验室助理的示波器基本原理幻灯片课件。 是德科技副总裁兼数字和光产品中心总经理Dave Cipriani表示：“在设计1000 X系列时，我们寻求了多种途径以大幅降低成本并同时提供高品质的产品。我们非常高兴能为客户提供这样一款低价的解决方案，其具有出色的测量性能和软件分析能力。“ Premier Farnell集团测试与工具产品负责人James McGregor进一步补充道：“由传统设计院推动产品发展并由此扩张的市场，已经演进至由初创企业与企业家进行推进，因此市场对高价值测试仪器的需求日益增加。1000 X系列所具有的重要功能具有专业水准，同时具有入门级的价格，是市场上出类拔萃的产品。该系列配置多种功能与工具，可以与Premier Farnell共同帮助各类用户将其产品投放市场。“ Keysight InfiniiVision 1000系列通过Farnell element14 和e络盟 在欧洲及亚太地区销售。

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  • Maxim任命李艇为大中华及南亚太区销售副总裁

    Maxim宣布任命李艇为大中华及南亚太区销售副总裁，立即生效。 加入Maxim之前，李艇先生任职于欧司朗光电半导体，担任大中华区销售副总裁，率领庞大的销售及市场营销团队。在此之前，他是飞思卡尔半导体亚太地区渠道业务高级总监，负责拓展亚太市场，包括中国、香港、台湾、韩国、南亚及印度。更早之前，他还曾担任安华高科技中国区总经理，以及意法半导体的领导职位。 “李艇是一位经验丰富的销售领袖，对半导体产业、泛亚洲地区、大企业客户、中小企业客户和分销渠道都有深刻的理解，”Maxim全球销售及市场营销副总裁David Loftus表示，“李艇在上述各领域的成功，以及丰富的销售经验和卓越的沟通能力，使他成为Maxim的最佳选择。” 李艇先生拥有华东师范大学电子工程专业学士学位，以及复旦大学管理学院MBA硕士学位(麻省理工斯隆商学院-复旦国际MBA项目。

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  • 张忠谋对台积电信心满满，对东芝案表示“在观察”

    台积电董事长张忠谋昨日表示，看好今年台积电营运将成长5～10%，仍会优于全球半导体产业成长率。他并信心满满地指出，台积电制程技术超越任何竞争者。对于各界关注台积电是否参与东芝释股案，张忠谋只简短表示：「我们在观察」。 台积电董事张忠谋昨天下午出席交大颁授博通共同创办人亨利.山缪利名誉博士典礼。他表示，与山缪利不仅是客户的伙伴关系，两人更有长达25年的交情。 他称赞山缪利从工程师起家，更是能将知识转化为经济，创造利润的成功企业家。 对今年产业景气的看法，张忠谋典礼后受访表示，「不错啦!」。2000年以前半导体业平均年成长15～16%，台积电则是年增30～40%。他并加重语气重复两遍强调：「是每一年喔!」全球半导体产业今年预估成长4～5%，台积电则会有5～10%的成长。 他说：「这是以美元来衡量，新台币(计价)我就不知道啦，因为汇率变来变去的。」 他指出，台积电晶圆代工所服务的客户，双方都是结成紧密伙伴关系。不同于记忆体晶片厂，需在市场上比价格。台积电与博通，及之后并入的安华高科技后，都是关系良好的伙伴。 张忠谋表示，半导体是基础产业，不会没人要。不像PC般，一下子没人要，半导体总会有人要，不论是透过PC、手机或是物联网(IoT)等都要用。 对于指派台积电共同执行长魏哲家参选半导体产业协会理事长，是否视为接班人选?张忠谋直言：「这都是你们在猜测!」。他说，很早就说过接班是两人：刘德音与魏哲家。两人会在6月的股东会董事选举后，双双进入董事会。 谈及今年春节在夏威夷跌倒受伤，张忠谋昨表示，当时医生说需要二至三周，可复原到80～90%。现在已过一个月，恢复得很好、没伤及视力。他表示，「以后会更小心」，他话锋一转接着指出：「以前也很小心，但显然不够小心」。 张忠谋说，他平日阅读时喜欢聆听萧邦、和莫札特的乐曲，今年是台积电30周年庆，将于10月举行音乐会，将以他最爱的「贝多芬第九号交响曲」，与贵宾分享。 张忠谋昨天受访时显露好心情，透露夫人张淑芬昨天启程赴印度。但228四天连假，他们每分钟都在一起。 近日日本东芝准备出售晶片事业股权，鸿海董事长郭台铭已高调表达兴趣，传出台积电也有意参与。 张忠谋昨天针对媒体的提问，只简短回答：「我们在观察」，并未就此案表示意见。   【文章转载自网络，版权归原作者所有，若有侵权请联系删除】

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  • 东芝NAND或花落台积电，高通之仇终得报

    近日，东芝(Toshiba)出售NANDFlash事业群的竞标案炒得热闹，近期台湾经济部工业局也找台湾多家存储器相关业者密谈应对之策，将再找晶圆代工业者作第二轮商议，业界透露，台积电有意借由此案进入3DNAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略，一报大客户高通(Qualcomm)被抢之仇。 近期工业局找钰创、华邦、群联、力晶、力成等5家台湾存储器相关业者密谈，商讨东芝NANDFlash存储器部门释股案中，是否有机会凝聚力量帮台湾争取到NANDFlash产业落地深耕，有2009年台湾创新存储器公司(TIMC)计划翻版的影子。据了解，与会业者提出建言，希望由政府主导，统筹成立一个单位来竞标东芝股权，协助台湾半导体产业更上一层楼，而如此行礼如仪的会议，最后不意外地以没有结论作为收场;另外，工业局也将再与晶圆代工业者作第二轮的商议，传出台积电、联电等接获邀请。 日前传出台积电出马竞标东芝释股案，台积电表示，不回应市场谣言。然相关业者透露，台积电有意借由参与此案，来进入3DNAND芯片代工领域，且说服东芝能在台湾设立3DNAND晶圆厂，借由台积电高效率的生产管理，帮助东芝扩产并降低生产成本。半导体人士透露，台积电此策略最大目的是全面反击三星，因为三星半导体长久以来牢不可破的秘诀，是用DRAM和NANDFlash赚的钱来补贴逻辑产品的亏损，2年前更牺牲利润吃下高通14纳米和10纳米制程订单，让台积电的16纳米迎来首次的挫败，所幸台积电是独吃苹果(Apple)订单才扳回一城。 台积电若能与东芝联手，不但能帮助东芝扩大3DNAND市占率，更能成为东芝在生产端的最佳伙伴，东芝能更聚焦在3DNAND技术的开发上;再者，台积电跨入存储器生产制造的策略，会让三星措手不及，未来恐不能一直拿存储器赚的钱来补贴晶圆代工事业，因为现在对手已经大军攻向自己的3DNAND核心事业了。业界进一步透露，这次东芝释股案开出的条件有“四不”：不能是NANDFlash同业、不能有大陆资金、不能取得技术/IP、不能拿公司主导权，意即SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)、紫光集团都出局，但同时还要能拿出70亿美元，相当于新台币2,000多亿元的资金。因此，不少业界人士议论，东芝真正的心眼，是利用沸沸扬扬的招标案来营造自己奇货可居的身价，然后逼日本政府出手援助，但实际上，东芝不希望有任何公司得标，再不然，能符合上述条件的，可能只有类似私募基金等财务伙伴。过去日本最后一家DRAM厂尔必达(Elpida)也为了逼政府出手金援，迳自宣布破产保护，只是最后弄巧成拙触怒当时政府、银行团等导致大势已去，如今东芝的处境虽然不像当年尔必达艰辛，但要以高调的竞标案重演逼政府出手相救的戏码，业界也好奇接下来的发展。 台湾半导体业者认为，以东芝开出的“四不”条件，台积电是最适合的人选，东芝最担心的无非是引狼入室，但台积电的经营管理一向十分正派，不用担心会出现经营权抢夺戏码，与东芝之间是逻辑和存储器事业互补，只是70亿美元是一笔大数目，最后要怎么筹资是最大问题。东芝将储存事业包括NANDFlash芯片、固态硬碟(SSD)事业独立成为新公司“ToshibaMemory”将于4月1日成立，目前由东芝持股100%，之后再考虑由第三方注资，东芝释股比重从20%提升至50%，而分拆出去的储存事业2015年(2015年4月~2016年3月)营收为8,456亿日圆，利润为1,100亿日圆。   【文章转自网络，版权归原作者所有，若有侵权请联系删除】  

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  • 三星状况频出，或召回18nmPC存储器

    三星近来状况频传，在 Galaxy Note 7 电池出包与管理层级涉及行贿被起诉后，近日业界又传出其产业重心记忆体模组产品良率出问题需紧急召回，由于三星于 PC DRAM 市占过半，这次良率出问题除了可能让三星集团的处境雪上加霜外，也会让价格已上扬的 PC DRAM 价格再度飙高。 近来市场中得知三星自 2 月中旬陆续召回部分序号的 18nm 制程的记忆体模组，因这批 18nm 制程的 PC 记忆体，在部分组装场中装机测试后发现会导致系统出错出现蓝色荧幕（blue screen）当机，这也让三星不得不主动召回相关的记忆体模组。 此次出问题的为 18nm 制程的 8Gb PC 记忆体颗粒，可用来生产 4GB 与 8GB 的记忆体模组，此次召回名单多为一线 PC-OEM 厂商居多，就目前得知包含华硕（ASUS）、惠普（HP）、联想（Lenovo）、戴尔（Dell）等个人电脑品牌均受牵连，需召回的总数达到十万组记忆体模组以上，而且总数与受影响的品牌可能会持续扩大。由于 PC 记忆体短缺，因此部分采用此批次记忆体的产品可能已出货到市面，可能让回收成本与难度增加不少。   根据相关厂商表示，初期原厂仅告知部分制程发生问题，导致这批 18nm 记忆体模组有产品不良的现象，不过事隔二周在代工厂中又有相同情形，安装的同样是 18nm 的记忆体，因此不太可能为单纯生产过程中偶发事件。 业内人士也分析，由于先前 PC DRAM 的成本压力下，三星积极把 PC 记忆体转进至 18 奈米制程，如此一来生产成本的竞争优势才能拉大，方能维持获利，后来又逢记忆体价格上涨与缺货，让三星不得不加快脚步供货，因此极有可能在这个时程压缩，操之过急下，让整个产品产生设计上的瑕疵，造成此一状况。 由于 18 奈米制程的产品占三星半导体的 20% 产值，此次产品出问题的层面如再继续扩大，对近来受 Galaxy Note 7 手机业务影响的三星可能蒙受更大损失，也让外界对其产品可靠度再次失去信心，这也是此次三星为何迅速秘密召回的主因。 由于三星记忆体市占几近半数，在这波记忆体模组供货短缺价格上扬的情况下，三星记忆体召回若持续扩大，记忆体模组的价格可能会再次拉高，而其他记忆体厂商也可能因此得利。

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  • 7nm工艺之争打响，三星VS台积电

    在半导体代工市场上，台积电一直都以领先的工艺著称，三星为了赶超台积电选择直接跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET工艺，台积电虽然首先开发出16nm工艺不过由于能效不佳甚至不如20nm工艺只好进行改进引入FinFET工艺，就此三星成功实现了领先。 2015年三星成功在年初量产14nmFinFET工艺，而台积电的16nmFinFET工艺则延迟到同年三季度量产。在台积电成功量产16nmFinFET工艺后却优先照顾苹果用于生产A9处理器，而帮助它研发16nmFinFET工艺的华为海思则没获得礼遇导致采用该工艺的麒麟950芯片延迟到11月初发布。 于是双方将目光聚焦于10nm和7nm工艺上，希望争取先量产。在过去一年时间，台媒屡屡发布消息指台积电的10nm工艺进展快速，不过最终在去年10月份三星宣布自家的10nm工艺正式量产并采用该工艺生产出高通的骁龙835芯片，再次领先于台积电。 在MWC2017上联发科大事宣传其采用台积电的10nm工艺生产的helio X30芯片，不过暂未知哪个手机企业会采用该款芯片，而早前传出消息指曾计划采用该款芯片的小米已放弃引入。采用三星10nm工艺生产的骁龙835则被中兴和索尼采用并在MWC2017上展示，预计4月份三星采用该款芯片的高端手机galaxy S8将会大规模上市，从事实上来说这次三星和高通成为10nm工艺的赢家! 当前三星和台积电正积极推动它们的7nm工艺量产，各方的消息指它们有可能本年底或明年初量产7nm工艺。在最关键的EUV(极紫外光微影)设备方面，三星早在2016年就已花费1.78亿美元从ASML采购EUV设备，而台积电则预计从今年1月装设EUV设备，从这个方面来说前者已抢先一步。 台积电今年还面临着其他的问题，当下它的10nm工艺良率过低迫使它集中资源提升良率，同时在开发16nmFinFET的改进工艺12nmFinFET，接下来又需要确保有足够的产能满足苹果将用于iPhone8的A11处理器对10nm工艺产能的强大需求，这导致它难以集中更多资源开发7nm工艺。 三星虽然也面临着10nm工艺良率的问题，不过它除了这方面需要投入资源外并无需更多需要担心的地方因此可以将更多资源集中于7nm工艺，在加上在EUV技术方面先于台积电进行投入，故有可能在7nm工艺上先于台积电量产。 三星和台积电在7nm工艺上有可能真正实现对半导体老大台积电的超越，虽然在命名上这两者的10nm工艺与Intel的10nm一样，不过业界普遍认为它们的7nm工艺才能实现领先于Intel的10nm，当前它们的10nm估计只是稍好与Intel的14nmFinFET，Intel预计今年下半年会量产10nm工艺，也因此它们才如此看重谁抢先量产7nm工艺。 【文章转载自网络，版权归原作者所有，若有侵权请联系删除】

    半导体 三星 台积电 7nm

  • 高成本效益的实用系统方法解决QFN-mr BiCMOS器件单元测试电源电流失效问题

    摘要 本文探讨一套解决芯片单元级电测试过程电源电流失效问题的方法。当采用QFN-MR(四边扁平无引线–多排引脚封装)的BiCMOS (双极互补金属氧化物半导体)芯片进入量产预备期时，电源电流失效是一个进退维谷的制造难题。 本文介绍了数种不同的失效分析方法，例如，数据分析、实验设计(DOE)、流程图分析、统计辅助分析和标杆分析，这些分析方法对确定问题的根源有很大的帮助，然后使用统计工程工具逐步滤除可变因素。 本项目找到了电流失效问题的根源，并采用了相应的解决措施，使电源电流失效发生率大幅降低，与主要竞争对手旗鼓相当。最终，这个项目只通过优化公司内部资源，就提高了封装测试总体良率，而没有增加额外制造成本。 这些改进措施还提高了产品质量，降低了客户投诉质量问题的风险。在全部解决措施落实到位后，随着量产成功，该项目节省制造成本38.25万美元。 1.0 前言 为了能够在技术快速变化的半导体工业中生存，不管是企业内部用户，还是外部市场客户，半导体厂商必须在客户心目中树立良好的形象，这是半导体企业保持市场竞争力和品牌价值所面临的最大挑战。“满意度”是建立良好客户关系的关键要素。相反，不能让客户满意的业务是无法持续下去的。 QFN-MR(四边扁平无引线–多排引脚封装)是意法半导体卡兰巴工厂产量的最大的产品，对公司财务业绩贡献率很高(按照全球评估标准)。 不过，为同一客户生产同一产品，有些外包厂(外包厂1和外包厂2)在产品质量上却更胜一筹，这迫使卡兰巴工厂必须自我改进。 产品1是QFN-MR产品，在量产预备阶段，电测试电源电流总失效率不合格，总良率损失达到5.2%。产品 1是意法半导体卡兰巴工厂的一个新产品线，需要给大客户留下交货快的印象，但是不能牺牲产品质量，因此，需要找到造成产品缺陷的主要原因。事实上，解决这些问题将会给卡兰巴工厂量产类似产品平台带来改良机会。 1.1 产品1配置 产品1是一款采用VPLGA封装的BiCMOS芯片，用于控制硬盘驱动器的电机运行。这里VPLGA代表超薄格栅阵列四边扁平无引线–多排引脚塑料封装，封装厚0.90 mm，引脚88个。目标应用包括纤薄型电子设备和计算机硬盘驱动器的电机控制。 图1是产品1的封装示意图。   图1：VPLGA88产品配置 / POD 1.2 BiCMOS半导体制造技术   图2：BiCMOS半导体制造技术 BiCMOS芯片由五层组成。NiPd (镍钯金)是最后一层金属层，互连线就打在这一层上。 1.3 QFN-MR无胶带引线框架封装 无胶带四边扁平无引线封装是一种引线框架封装载体(平台)，利用后工序蚀刻，在载体上形成引脚面积。与其它的类似微型封装相比，无胶带QFN封装给意法半导体卡兰巴工厂带来更好实惠，例如，引线框架成本低，支持多排引脚，兼容铜线，无胶带载体，晶片切割速度快。   图3：无胶带QFN引线框架配置 1.4 产品1封测全部流程   图4：1.4 产品1封装流程 图4所示是产品1的封装流程，该流程在产品开发和认证测试阶段制订，基于现有封装流程，采用相同的芯片制造技术和材料。 1.5 产品1线路应力表现   图5：电源电流抑制比对比 在产品1量产预备初期，最终测试的电源电流抑制比是5.20%，远超外包厂的0.35%。上面的柱形图是意法半导体卡兰巴工厂与外包厂的电源电流抑制比的比较图，两者之间的巨大差距对意法半导体卡兰巴工厂的未来业务发展构成重大威胁。 1.6 标杆分析和比较分析 运用标杆分析和比较分析法寻找意法半导体卡兰巴与外包厂在产品制造上的不同之处。需要说明的是，外包厂在水刀工序后还有烘烤工序。   图6：意法半导体与外包厂的制造流程比较 在开始分析的时候，我们发现烘烤工序是主要不同之处。在清洗等湿法工序后，需要进行烘烤工序，除掉单元内 的湿汽。初步分析结果显示，烘烤是最终测试电源电流失效的主要因素，就是这个巨大发现让项目组开始专注这个工序的探究。 同样地，项目组还做了微流程图，以确定项目探究范围。   图7：微流程图分析/封装流程图 1.7 问题描述 在量产预备期，产品1电源电流抑制比是 5.20%，被归为封装工序固有湿法工序造成的潮湿性风险。 2.0 实验部分 2.1 材料:  § 水刀  § QFN无胶带引线框架封装  § BiCMOS晶片  § 塑料单元  § 检查与测试设备 2.2 实验重点放在主要根源即水刀工序上: 确定问题根源并采取相应的纠正措施至关重要，研究方向主要放在湿法工序上，基于微流程图分析，水刀工序最有可能是潜在变异的根源。 2.3 剖解水刀工序: 为更好地了解水刀工序，需要逐步分析记录点，观察从材料制备、装卸到检查的整个单元工序。   图8：水刀工序详细流程 2.4 识别输入变化: 运用输入输出方法深挖变化因素。经过深入研究，42个KPIV变量被确定为重要的X因素，如图9所示。(详图见附录A)   图9：输入-输出工作单 2.5 优先考虑因果关系: 运用因果(C&E)矩阵确立输入变量与X因素的内部关系，如图10所示。 (详图见附录B)   图10：因果矩阵 2.6 FMEA: 项目组还运用FMEA故障模式和影响分析法重新考虑变量关系。因为电源电流没有故障模式，所以考虑从因果矩阵导出的全部KPIV变量，如图11所示。(详图见附录C)   图11：故障模式和因果矩阵 2.7 两个速效方案: 在完成上面的分析后，立即发现两个(2)速效方案。   图12：临时措施矩阵 实验结果分析 A. 流程图 · 这个项目覆盖18个流程工序。 · 15个工序或83%是VA(增值)，3个工序或17%是(无增值) · 未发现隐藏工厂 · 在输入-输出工单中发现42个潜在X’因素。 B. 因果矩阵 · 运用因果优先性分析法找到5个潜在的X因素。 C. FMEA · 因为电源电流最初没有被识别为故障模式，所以5个潜在X因素都被视为高风险。 D. 速效方案 · 发现2个速效方案 3.1 验证方案   图13：验证方案矩阵 • 运用比例测验法验证GAP分析法产生的两个(2)项目(烘烤测试) • 运用混合水平DOE法验证三个X。 (详图见附录D) 3.2 统计检验 通过观察图14的统计假设检验结果不难发现，水刀后面的烘烤工序影响电源电流抑制比。 实用性结论:电源电流抑制在无水刀工序时较低，R-square值为22.78%，可信度高于95%。如果不采用水刀工序，电源电流抑制比较低。   图14：假设检验 3.3 验证方案   图15：验证结果 验证结果(图15)显示，电源电流抑制比受水刀后面的烧烤工序影响，因此，如果无水刀工序，则抑制比会降低。 根据已发现的关键X因素，例如，输送带速度、烘烤温度和水刀压强，项目小组运用试验设计方法进一步改进水刀工序。 (详图见附录E) 3.4 试验设计(DOE) 运用试验设计法分析输送带速度、烘烤温度和水刀压强参数，目标是确定和设置使电源电流失效率最小化的最优参数。 图16所示是试验设计方案，用于优化水刀关键参数。   图16：试验设计方案和结果 (详图见附录F) 从试验设计结果看，当P值是0.0231时，压强是影响电源电流抑制比的主要因素。当R-Square值是0.8997时，压强与速度交互作用(P值是0.0231)、速度与温度交互作用(P值是0.0242)、压强与温度交互作用(P值0.0405)是影响电源电流抑制比的主要因素。 根据图17预测剖析图给出的最优设置，最大理想参数是在压强 = 200psi, 速度 = 3.5m/min，温度 = 50 degC时取得的，在这些参数条件下，电源电流抑制比为-0.238+/-1.156，泄漏为0.414+/-1.84，金属毛刺为1.338+/- 4.63。 在P值 = 0.0231时，压强是影响电源电流失效的主要因素;在P值 = 0.0231时，压强与速度交互作用也是主要因素;在P值 = 0.0242时，速度与温度交互作用是主要因素; 在P值 = 0.0405时，压强与温度交互作用是主要因素，可信度高于95%。 试验统计发现，当P值 > 0.05时，这些主要因素及交互作用不影响泄漏比和金属毛刺。   图17：预测刻画器剖析表 观察预测刻画器报表不难发现，当压强为200psi，速度为3.5m/min，温度为50 degC时，电源电流抑制比、泄漏和金属毛刺三个参数取得最优值。 3.5 试验设计(DOE)结论 在P值 = 0.0231时，压强是影响电源电流失效的主要因素;在P值 = 0.0231时，压强与速度交互作用也是主要因素;在P值 = 0.0242时，速度与温度交互作用是主要因素; 在P值 = 0.0405时，压强与温度交互作用是主要因素，可信度高于95%。 试验统计发现，当P值 >0.05时，这些主要因素及交互作用不影响泄漏和金属毛刺。   图18：结果验证矩阵 (详图见附录G) 3.6 水刀是如何影响产品1电源电流失效的? 了解失效机制知识有助于提高统计结果的准确性: • 封装渗透率或高速水分子引起的摩擦磨损效应随水刀压强升高而提高。 • 高温鼓风机(相同压强)使气体分子动能更强，增强摩擦磨损效应。 • 胶带速度效应最有可能影响摩擦磨损(接触速度)，不过只限于鼓风机区，无水环境会逐渐消耗摩擦磨损效应。 3.7 实现结果 意法半导体卡兰达工厂取得0.35%的电源电流抑制比(外包厂基准)，较试验前的5.2%有巨大改进。   图19：电源电流抑制比趋势分析   图20：意法半导体卡兰巴工厂与外包厂比较表 总结: a. 泄漏 - 意法半导体卡兰巴工厂(0.202%)好于外包厂1的生产批次(0.295%)，外包厂2为 0.178%. b. 电源电流 - 意法半导体卡兰巴工厂(0.674%)好于外包厂2的生产批次(1.25%)，外包厂1为 0.314%. c. Over-all short (SBL 0.5%) - 意法半导体卡兰巴工厂(0.071%)好于外包厂1的生产批次(0.218%)和外包厂2的1.261%。 3.8 改正预防措施 为将取得的改进效果保持下去，需要落实下面的措施并密切监视落实情况：   图21：改正预防措施矩阵 3.9 文档资料 所有分析活动和知识都写成文档保存，以便在产品量产期间参考。控制方案、FMEA、作业指导、包括烘烤的新流程均制成文档保存。   图22：文档资料名单 3.10 推广方案 为了最大限度利用这个研发项目的价值，需要将项目组在研究过程中所积累的全部知识经验推广到其它的QFN-MR产品制造过程。   图23：推广表 3.11 成本节省 在对改正措施的效果进行验证后，项目组还估算了这些措施可以节省的成本。   经意法半导体卡兰巴工厂IE核准，总计节省成本38.251万美元。 4.0 结论 本文论述了深度分析统计方法可有效解决最终测试过程中的电源电流失效问题。运用统计分析知识和对数据和缺陷现象的了解，有助于找到缺陷的真正根源。综合试验设计降低了水刀工艺对电流失效的负面影响。引入烘烤工序显著降低了单元电测试期间的电流抑制比发生率。失效率连续降低以及产品电测试良率总体提高，充分证明了验证纠正措施的正确性及其效果。 5.0 建议 建议长期落实已认可的纠正措施，以稳定电源电流性能。六个西格马方法论(逐步深挖问题，识别并验证问题根源，在使用现有资源且不大幅增加成本的前提下取得大幅改进)是解决制造难题的有效手段，在解决类似问题中应该推广这种方法。同时还推荐连续标杆分析法，这有助于企业改进流程，跻身业界前列。 6.0 鸣谢 本文作者向下列人士致以最真诚的谢意: Jun Bernabe、Mariver Limosinero、Addonyz Antonio以及封装部门的全体同仁，感谢他们在这个项目中给予的全力支持。 我们的家人、朋友、同事、同仁，这个项目的成功离不开他们的全力支持。 特别感谢我们全能的真主，始终保佑我们事业发展，生活如意。 7.0 参考文献 1. IC Assembly handbook 2. BSA (Build Sheet Assembly) 3. SAS – JMP 4. Water jet Machine Manual 5. Package Portfolio & Technology Roadmap 8.0 关于作者   Antonio ‘Dhon’ Sumagpang毕业于菲律宾科技大学(马尼拉校区)电气工程专业(BSEE) ，学士学位。在半导体工业从业16年，拥有丰富的实际经验。在意法半导体卡兰巴工厂不同封装工序工作数年后，现任新产品导入高级工程师，新产品导入项目负责人。在第20届和第25届ANTS (ASEMEP国家技术研讨会)上先后两次荣获最佳技术论文奖。在质量竞赛中取得无数奖项，持有Green Belter证书。   Francis Ann “Pinky” Llana毕业于圣拉萨尔-巴科洛德大学化学工程(BSChE)专业，学士学位，拥有18年的半导体工业从业经验，现任意法半导体卡兰巴工厂高级封装工程师，负责湿法工艺，例如，铜层后工序蚀刻、化学去胶、凸点设计和电镀，在地区和国家质量竞赛中取得无数奖项，持有Green Belter证书。   Ernani D. Padilla毕业菲律宾东方大学，特许电子通信工程师，现任意法半导体卡兰巴工厂高级技术工程师，领导制造流程工程攻关小组，拥有注塑和等离子工艺方面专长，持有Neville Clark的blackbelt证书。 附录A 附录B 附录C 附录D 附录E 附录F 附录G

    半导体 qfn-mr bicmos器件 电源电流失效

  • Maxim最新推出除颤脉冲和ESD保护器件，为医疗应用保驾护航，漏电流减小100倍

    Maxim Integrated推出最新除颤保护器件MAX30034，可广泛用于除颤仪、ECG(心电图)诊断与监护等医疗设备，使其免受除颤脉冲和静电放电(ESD)的冲击。相比现有的处理方法和器件，该器件可简化设计、节省75%以上的空间、削减材料清单，同时极大地提高性能。   除颤仪和ECG监护仪设计面临的一项挑战是ECG输入放大器必须承受心脏复苏过程中的高压脉冲。这些脉冲很容易损坏用于捕获毫伏级心电信号的高灵敏度电子电路。为防止此类损害发生，需要在每路通道配置气体放电管(GDT)和/或瞬态电压抑制(TVS)器件，以及ESD保护二极管等多组件架构的三重保护。而且，该方案产生的漏电流(关键参数)相对较高，大约为1-2nA。 Maxim的四通道除颤保护器件MAX30034凭借先进的半导体工艺，采用创新拓扑，能够吸收并无损害地旁路高能量脉冲，使其远离敏感电路。这款小巧、强大的产品只需要为每个通道配置一对外部电阻，即可轻松实现更小尺寸、更低漏电流的目标。MAX30034可以替代一级GDT和/或TVS，以及传统方案中用于强制电路保护的二级ESD保护二极管。该器件在承受100,000次以上的除颤脉冲后，仍可保持漏电流低于10pA (比GDT/TVS降低100倍)。 主要优势 ● 易于设计：小尺寸单芯片方案，只需为每通道分别配置一对外部电阻 ● 可靠性：经过100,000次5kV脉冲冲击后，漏电流仍然比GDT/TVS方案低100倍 ● 小尺寸：替代复杂的一级、二级和ESD保护方案，尺寸缩小75%以上;3mm x 5mm μMAX®封装(0至70°C工作温度范围) 评价 ● “客户需要创新、紧凑的器件，”Maxim Integrated工业和医疗健康业务部执行总监Andrew Baker表示，“该器件完全改变了原有方案，克服了长久以来除颤脉冲对医疗设备保护所带来的挑战。” 供货与价格 ● MAX30034的定价为3.40美元 (1000片起，FOB USA) ● 提供评估板，定价25美元：MAX30034EVKIT# ● 所有Maxim授权经销商均可提供现货

    半导体 maxim esd保护器件 除颤脉冲

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