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  • 台积电、三星发展7nm各有盘算

    为证明自己在全球晶圆代工的领先地位，三星电子(Samsung Electronics)与台积电不约而同在2017国际固态电路大会(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)发表了各自最新的制程技术，然而2家厂商透露了相当不同的7奈米制程发展方向。 根据EE Times报导，台积电赢得了苹果(Apple) iPhone SoC大部分的订单后，积极于2017年投入了10奈米晶片的量产推进，并预计于2018年开始提升7奈米晶片的产量，以应付iPhone 8(暂订)的需求。另一方面，没有了苹果订单的压力，三星不需急于投入7奈米制程，而是打算借由极紫外光显影技术(EUV)展现晶圆代工实力。 SRAM被视为是推动下一代节点技术的关键。台积电在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM测试晶片，存储单元(bit-cell)面积仅有0.027平方公厘，是2017年进入风险生产的SRAM当中，体积最小的。其SRAM巨集将使用7层金属层，晶粒总面积为42平方公厘，比台积电的16奈米版本小了0.34倍。 更重要的是，台积电表示其以7奈米制程打造的SRAM测试晶片，其良率已经展现相当水准，达成台积电的设计目标。 三星的技术进展则是侧重在研究方面。三星发展出了一套创新的修复程序，并分别针对既有曝光机与EUV设备进行测试，结果证实EUV的确拥有较佳的表现。 然而修复程序并不是生产流程的一部分，因此无法说明三星是否已准备好将EUV应用在7奈米制程。三星在大会上发表的8 Mb测试SRAM晶片，也未使用EUV。 专家认为到了2020年，EUV便可应用在某些关键层上。三星曾在2016年底时表示，他们将会把EUV运用在7奈米制程，但并未透露使用的范围。 三星的7奈米时程或许会落后台积电1到3年，但三星的7奈米一旦起步，就可透过导入EUV的使用，至少在行销策略上取得更大的优势，三星打的算盘类似2015年台积电16奈米制程与三星14奈米制程代工iPhone AP之对垒一般，台积电的16奈米制程打造的iPhone系统单晶片，其实在散热方面更优于三星一筹，但外行人却从奈米制程表面的数字，以为台积电制程技术落后于三星。

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  • Vishay新款高可靠性VY1 Compact系列瓷片式电容器通过偏压85/85加速寿命测试

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其VY1 Compact系列交流线路瓷片式安规电容器通过了“偏压85/85”加速寿命测试。Vishay BCcomponents器件可为Class X1 (760VAC) 和 Y1 (500VAC) 应用提供非常高的可靠性，是业内首颗脉冲强度达到10kV，在额定电压下经受了1000小时的 85℃ 温度和 85% 相对湿度测试的器件。 标准的 X1- 和Y1- 额定的陶瓷安规电容器在 IEC 60384-14.4 规定的40℃ 温度和93% 相对湿度条件下进行测试，该标准是电子设备中电容器的国际标准。在符合 IEC 60384-14.4 的基础上，VY1 Compact 系列器件进行了更严格的湿度测试，从而具有比标准对标产品更优异的可靠性和更长的使用寿命。 电容器采用Y5U陶瓷电介质，直径只有7.5mm，有效节省空间，针对电源、电表和智能仪表、白色家电、工业设备和消费电子中的 RFI 和交流线路滤波应用做了优化。器件的容值从 470pF 到 4700pF，公差为 ±20%，温度范围为-40℃～+125℃。 VY1 Compact系列电容器由镀铜的瓷片和直径 0.6mm 的镀锡覆铜钢连接引线构成。器件有直角 (内联) 弯引线或直引线，引线间距 10mm 或 12.5mm。电容器符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，外壳由符合UL 94 V-0的耐火环氧树脂材料制成。 增强型VY1 Compact系列现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为六周到八周。

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  • 格罗方德在成都建立12英寸晶圆生产基地 投资超百亿美元

    新年春节刚过，从成都传来重磅消息，全球第二大晶圆代工厂格罗方德半导体股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式启动建设12英寸晶圆成都制造基地，推动实施成都集成电路生态圈行动计划，投资规模累计超过100亿美元。 格罗方德是全球领先的集成电路企业，致力于为全球最出色的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。 当天，格罗方德 12英寸晶圆成都制造基地项目在成都高新区正式签约并举行开工仪式。 近年来，成都把电子信息产业作为“突出发展”的战略性新兴产业来抓，采取“外引+内培”模式，全力做粗拉长产业链，已发展成为中国的“IT第四极”。电子信息产业成为成都融入全球经济版图的示范性、引领性、旗舰性产业。 在集成电路产业链布局方面，以成都高新区为核心聚集区，已吸引包括英特尔、德州仪器、AMD、联发科、展讯、等在内的重点企业布局，形成了IC设计、晶圆制造、IC封装测试完整的产业链。 数据显示，2016年，成都电子信息产业主营业务收入超过5000亿元。到2020年，成都电子信息产业总规模将力争达到10000亿元，成为首个上万亿的工业产业，助推成都建成国家先进电子制造基地和世界软件名城，为成都建设国家中心城市提供有力支撑。 投资逾百亿美元 成都迎来首条12英寸晶圆生产线 此次落户成都高新区的12英寸晶圆生产基地，一期建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线，预计2018年底投产;二期建设格罗方德最新的22FDX® 22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线，预计2019年第四季度投产。 此外，成都市和格罗方德还将共同推动实施“成都集成电路生态圈行动计划”，在多个领域开展深度合作，从而在整体上形成逾100亿美元的投资规模。 今天，我们与合作伙伴携手共进迈出勇敢的一步，在此举行奠基仪式。这里将会落成中国最大和最先进的12英寸晶圆厂。” 格罗方德首席执行官桑杰∙贾(Sanjay Jha)在开工仪式上表示，“得益于成熟的基础设施，熟练的劳动力，以及众多领先技术公司的驻扎，成都市毫无疑问是这个倡议的优秀合作伙伴。随着规模最大的12英寸晶圆厂落户中国，此次合资企业的成立将极大提高成都市作为国家半导体和IT产业领导者的美誉，进一步吸引更多科技企业投资落户，最终使成都成为国际卓越的FD-SOI产业中心。” 成都高新区相关负责人表示，格罗方德成都项目的开工契合《国家集成电路产业发展推进纲要》，填补了中国西南地区12英寸先进工艺晶圆生产项目的空白，将进一步壮大成都电子信息产业规模，有效提升成都集成电路产业发展生态，助推成都市打造全球知名集成电路产业基地，推动成都国家中心城市建设。 众所周知，晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC芯片就越多，但对材料技术和生产技术的要求更高。根据市场研究机构IC Insights 的最新报告，截至2015年底，12英寸晶圆占据全球晶圆产能的63.1%，预测到2020年该比例将增加至68%，因此，全球晶圆产能到2020年都将延续以12英寸晶圆“称霸”的态势。 成都制造基地项目将会投产格罗方德最先进技术的其中之一。其22FDX® 22nm FD-SOI生产工艺具有功耗省、综合成本低等优势，可广泛应用于各类移动终端、物联网、智能设备、汽车电子、5G无线基础设施等领域，在全球拥有巨大的市场需求。 随着新合资公司的成立，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)亦将在中国市场公布其全新的中文名称：“格芯”。首字为“格”，和公司现有中文名称的第一个字相同，亦有“探究事物原理，而从中获得智慧”的含义。次字是“芯”，表达“芯片”之意。两个字合在一起发音与“革新”相同，寓意着重生、振兴与改革。“格芯”不仅将极大改变晶圆代工行业的格局，更会为中国半导体产业带来全新视角。 瞄准万亿级规模 电子信息产业助推成都建设国家中心城市 1947年，晶体管的发明促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子产业，甚至连美国“硅谷”也得名于它最早是研究和生产以硅为基础的半导体芯片的地方。到今天，半导体已经广泛应用于生活，包括智能穿戴设备、智能手机、电脑乃至时下非常热门的VR或者智能家居都离不开半导体技术。除此外，它还广泛存在于医疗、航空等尖端技术领域。可以说，半导体集成电路产业早已成为信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。 根据《国家集成电路产业发展推进纲要》，到2020年，我国集成电路产业要与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。 作为“工业强基”中的重中之重，成都的电子信息产业在集成电路、光电显示、智能终端、网络通信、电子元器件、软件及服务外包等领域形成了完整产业体系，上下游配套逐渐成熟，聚集戴尔、联想、富士康、华为、西门子、中兴等一批国内外知名企业，在全球产业格局中的影响力日益提升，成为中国“IT第四极”。 “成都电子信息产业的崛起，正在改变世界IT版图的格局。”成都高新区相关负责人介绍，英特尔、德州仪器、AMD、格罗方德、联发科、展讯、紫光等众多知名集成电路企业不断向成都聚集。未来，成都高新区将着力打造世界级电子信息产业集群，在成都建设国家中心城市中发挥好主支撑作用。

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  • 格罗方德业务拓展以满足全球客户需求

    格罗方德今日公布其全球制造业务版图的扩展计划,以满足客户对其专有尖端技术的迫切增长的需求。公司不仅在美国和德国继续投资其现有的先进晶圆制造厂，在中国成都设立全新工厂以积极发展中国市场，并在新加坡扩充其成熟技术产品的产能。 格罗方徳首席执行官Sanjay Jha表示：“为满足全球客户群的需求，我们将不断在产能和技术上进行投资。从应用于无线互联设备的世界顶级 RF-SOI 平台，到占据科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工艺路线图，这些均见证了市场对于我们主流工艺和先进工艺技术的强劲需求。新投资将有助格罗方德扩张现有的晶圆制造厂。通过此次在成都的合作计划，我们将稳固，并进一步加速在中国市场的发展。” 在美国，格罗方徳计划把在纽约Fab8晶圆厂的14纳米FinFET工艺产能提升20%，并将于 2018 年初启用一条全新的晶圆生产线。在过去八年期间，格罗方徳在美国的投入高达130亿美元，并在此基础上进一步开展本次扩张计划，在四个地区共创造逾9, 000个直接工作岗位，以及整个区域生态圈共15，000个职位。纽约工厂将继续是格罗方徳在7纳米工艺和极紫外(EUV)光刻等先进技术开发的核心，并计划在2018年第二季开始7纳米工艺生产。 在德国，格罗方德计划在德累斯顿 Fab 1 晶圆厂增加 22FDX® (22纳米 FD-SOI) 工艺的生产，以满足日新月异的物联网，智能手机处理器，汽车电子和其他电池供电的无线连接应用的发展需求。预计至2020年，工厂整体产能将提升40%。德累斯顿工厂始终是 FDX 技术研发的业界核心。目前，德累斯顿的工程师正在开展新一代 12FDXTM的技术研发，预计将于2018年终年建成投产。 在中国，格罗方德携手成都市建立全新的合资晶圆制造厂。合作双方计划建设12英寸晶圆厂，不仅配合中国半导体市场的强劲增长趋势，促进全球客户对 22FDX 先进工艺的额外需求。工厂将于 2018 年第四季度首先投产成熟工艺产品，并计划于 2019 年投产格罗方德22FDX的先进工艺产品。 在新加坡，格罗方徳计划将 12英寸晶圆厂的 40纳米 工艺产能提升 35%，在 8英寸生产线的现有基础上进一步扩大180纳米工艺的产能。与此同时，格罗方德将会为业内领先的 RF-SOI 技术投入全新产能。 随着新合资公司的成立，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)亦将在中国市场公布其全新的中文名称：“格芯”。首字为“格”，和公司现有中文名称的第一个字相同，亦有“探究事物原理，而从中获得智慧”的含义。次字是“芯”，表达“芯片”之意。两个字合在一起发音与“革新”相同，寓意着重生、振兴与改革。“格芯”不仅将极大改变晶圆代工行业的格局，更会为中国半导体产业带来全新视角。 新合资公司的全称为：格芯(成都)集成电路制造有限公司。为庆祝这一重大合作，成都市委书记唐良智和格罗方德公司首席执行官Sanjay Jha于今日在四川省成都市高新区举行动工仪式。四川省省级领导、成都市政府领导及格罗方德的主要客户和合作伙伴均出席了该仪式。 高通科技QCT全球运营高级副总裁Roawen Chen “多年来，格罗方徳与高通科技在广泛的工艺节点上有着紧密稳固的晶圆代工关系。我们非常兴奋地看到格罗方德在差异化技术上的全新投入以及全球产能的重大扩张，这将为高通科技在新一轮的无綫技术创新中于应用处理器、调制解调器和电源管理集成电路领域等帶來業務创新的支援。” 瑞芯微电子有限公司首席执行官励民 “协同的晶圆代工合作关系对我们的发展来说至关重要，可让我们在移动片上系统的竞争中脱颖而出。很高兴看到格罗方徳将 22FDX 创新技术引入中国并投入必要的产能，为中国不断增长的 无晶圆半导体工业提供强而有力的支持。” 联发科技执行副总经理暨联席首席运营官陈冠州 “随着我们的客户要求更加优异的移动体验，我们对芯片制造合作伙伴的要求比以往任何时候都要高。我们很高兴有格罗方徳这样一个合作伙伴，格罗方徳的全球化生产能力有助于我们在全球范围内为家庭联网、无线连接和物联网等市场提供强大而高效的移动技术支持。”

    半导体 格罗方德 晶圆制造厂

  • Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

     日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积)，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。 “我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新的电子系统”，Vishay市场发展部高级总监David Grey说到，“有了SiHP065N60E和即将发布的第四代600V E系列产品，我们就可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。” SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻为0.065Ω，栅极电荷低至49nC。器件的FOM为2.8Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别只有93pf和593pF，可改善开关性能。在通信、工业和企业电源系统的功率因数校正和硬开关DC/DC转换器拓扑中，这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗。 今天发布的器件采用TO-220AB封装，符合RoHS，无卤素，可承受雪崩模式中的过压瞬变，而且保证限值通过了100% UIS测试。 SiHP065N60E现可提供样品，在2017年1月实现量产，供货周期为十周。

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  • Intel 14nm等于三星10nm：领先整整三年！

    很遗憾，Intel刚刚宣布的8代酷睿处理器依然是14nm工艺，虽然Intel号称有着15%的性能提升。 那么我们不禁要问，Intel的10nm怎么了?     先就本次投资会议，Intel表示，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾证实，搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。 这其实不难理解。由于8代酷睿还是下半年上市，局面很可能是对i7/i5/i3进行换代，对用户选购U/Y系列的10nm笔记本芯片以及大客户的Xeon不造成冲击。 同时，Intel再次对手的10nm做“看扁”，毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。     根据Intel的PPT，就逻辑单元这一核心指标来看，它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和去年三星/台积电的10nm看齐，也就是Intel 14nm=三星10nm,Intel领先了整整三年。     按照IEEE Spectrum上Intel高级院士Mark Bohr的说法，Intel 10nm的栅极间距是54nm，也是同时代10nm最强。 传言，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。   综上，Intel的10nm今年底会有成片登陆市场，在工艺指标上其实就相当于对手的7nm了。

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  • 曾经那个振兴美国半导体的组织，到底什么来头？

    近日，白宫发布了一篇长达32页的《给总统的报告：维持美国在半导体行业的领军地位》。报告称中国半导体产业的发展已对美国芯片制造商及美国国家安全造成了严重威胁，建议美国应对中国芯片行业采取更加严苛的审查制度。很多人将这份报告与80年代美国的“SEMATECH”作比较，认为这篇报告的发布与当年的SEMATECH有很大的相似性。SEMATECH到底是一个什么样的组织?我们有必要回顾一下历史，看看这个SEMATECH当年是怎样振兴美国半导体产业的。有关这个组织的研究文献较少，笔者找到一篇早年由《清华大学科学技术研究所与社会研究所》和文凯、曾晓萱合著的论文(《科研管理》第16卷第3期，1995.5)，该文对SEMATECH的成立背景和历史作用给出了较为详细的介绍，今天读来仍不失具有启迪意义。 SEMATECH组织概况 SEMATECH全称是“半导体制造技术科研联合体”(Semiconductor Manufacturing Technology Research Consortium)，可以说是一个半导体制造工艺研究的合作联盟，该组织设在德克萨斯州的奥斯汀(Austin)，其经费一半由成员公司提供，另一半由联邦政府提供，研究成果各成员公司和美国政府共享。它由13家美国公司组成(成立时是11家)，目的是通过集中研发，减少重复浪费，而达到研发成果共享。自1987年启动，运行到1995年时，SEMATECH帮助美国半导体企业重新夺回了世界第一的地位。值得回味的是，随着联盟顺利发展，美国政府于1996年退出了该组织。 SEMATECH成立的背景 上世纪70年代后期开始，由于日本公司在半导体市场所占份额不断增加，开始逐渐威胁到美国在全球的半导体市场地位。1980年美国公司在全球半导体市场所占份额为61%，日本公司仅占26%。半导体销售额最高的三家公司分别是美国的德仪(TI)，摩托罗拉(Motorola)和国家半导体(National Semiconductor)公司， 在排名前10的公司中美国占了5家，而日本是0家。但到了1986年，日本公司所占份额上升到了44%，美国公司份额下降到40%，日本首次超过美国。与此同时，全球半导体市场领先的前三位公司分别是日本的NEC，日立和东芝公司，在排名前10的公司中日本占了6家，而美国仅有3家。 再看半导体设备市场，1979年美国公司所占份额为76%，日本公司仅占16%。前10名的公司中，有9家为美国公司，日本公司一家没有，但到了1990年，日本公司所占的份额上升到了48%，而美国公司下降到了45%，前10名的公司中，有5家为日本公司，美国公司仅有2家。其中，前2名的公司分别为日本的东京电子(Tokyo Electron)和尼康(Nikon)公司。 从技术角度看，日本在动态随机存储器(DRAM)，静态随机存储器(SRAM)，双极电路，通用逻辑电路，存储元件，光电子，砷化镓以及硅材料等技术上都开始领先美国。在非挥发性可编程只读存储器(EPROM)技术上与美国持平，美国仅在微处理器，专用逻辑电路以及线性电路上保持领先地位。由于在通用集成电路的大规模制造技术上竞争不过日本，美国的许多半导体公司(尤其是中小公司)纷纷调整策略，转向高附加值的专用集成电路(ASIC)领域，因为专用集成电路更依赖软件技术、CAD计算机辅助设计，这些正是美国公司的强项。 美国政府意识到，如果不发展通用集成电路的大规模制造技术将意味着更多技术优势的丧失，无论从商业角度还是国家安全角度，美国都不会将大规模集成电路制造技术拱手让人。为了提高美国在大规模、超大规模集成电路制造技术上的竞争力，夺回美国在半导体设计与制造工艺上的优势，美国政府仿效日本组织大规模集成电路技术合作研究的经验，由美国国防科学委员会和美国半导体协会(SIA)共同牵头成立了美国“半导体制造技术研究联合体”(简称SEMATECH)。SEMATECH是美国半导体制造公司与政府合作的产物，它出现在一向强调政府不干预企业的美国，具有特殊的意义。 SEMATECH的组织结构与运作模式 SEMATECH首任董事长由Intel公司的创始人R. Noyce担任。1988年4月，SEMATECH迁入德州首府奥斯汀(Austin)，同年11月建成了具有世界水平的超净工作室，1989年3月生产出了第一批硅集成电路。从1989年开始，SEMATECH开始同半导体设备供应商展开合作开发半导体工艺制造设备。发展至今，SEMATECH已成为13家美国半导体私营公司与国防部共同设立的研究联合体。 SEMATECH由一个中心管理机构来管理，研究人员来自各成员公司，管理人员全部来自企业界。来自企业界的管理人员对企业的现状和问题了如指掌，可针对半导体制造中的关键问题制定出切实可行的方案。SEMATECH每年2亿美元的研究经费由成立时的11家公司和美国防部平摊。 这里值得一提的是，美国半导体协会为加强半导体研发和美国大学半导体的课程教学，在1982年成立了半导体研发公司(简称SRC)，SRC每年投资3000万美元资助美国大学中有关半导体的研究项目。SEMATECH与SRC之间的关系非常密切，SRC 1/3的研究经费由SEMATECH提供。SEMATECH本身的重点则放在研究开发上。 SEMATECH与设备制造商的合作方式 SEMATECH与半导体设备制造商有四种互动(合作)方式：委托开发新设备;改进现有设备;制定技术发展路线;加强信息交流。 SEMATECH成立的核心目标在于加强半导体制造公司与半导体设备公司之间的联系，其中包括工艺材料的开发，制造设备的开发，以及如何将它们集成到半导体制造工艺中，并将研究成果及时向生产制造商辐射。SEMATECH的四种方式中最重要的是半导体制造设备的开发。该项工作占到SEMATECH总预算的60%。设备的开发工作由设备公司承担，并得到SEMATECH的资金支持，因而减少了重复研究和重复投资，也大大减少了设备开发成本。它纠正了美国半导体行业过去“各自为政”的倾向，有利于加速美国半导体设备的研发速度和半导体制造公司采用新型设备的进程。 SEMATECH与设备制造商的合作方式 SEMATECH与半导体设备制造商有四种互动(合作)方式：委托开发新设备;改进现有设备;制定技术发展路线;加强信息交流。 SEMATECH成立的核心目标在于加强半导体制造公司与半导体设备公司之间的联系，其中包括工艺材料的开发，制造设备的开发，以及如何将它们集成到半导体制造工艺中，并将研究成果及时向生产制造商辐射。SEMATECH的四种方式中最重要的是半导体制造设备的开发。该项工作占到SEMATECH总预算的60%。设备的开发工作由设备公司承担，并得到SEMATECH的资金支持，因而减少了重复研究和重复投资，也大大减少了设备开发成本。它纠正了美国半导体行业过去“各自为政”的倾向，有利于加速美国半导体设备的研发速度和半导体制造公司采用新型设备的进程。 知识产权保护 SEMATECH的成员公司不用担心泄露自己的技术秘密，因为各成员公司需要对合作研究的成果做进一步开发后才能真正将研究成果应用到自己的公司，这样就减少了在应用研究成果时可能产生的知识产权保护问题。 在知识产权保护方面，SEMATECH原来规定研究成果只有在成员公司独占2年之后才可以向其他非成员公司转让，现在则在付出一定的转让费或专利使用费后可向所有美国公司开放。SEMATECH从不参与某一具体产品的设计与制造，也不为某一具体产品去做专门的工艺研究，而是由各个公司去承担这些研究，让他们去平等竞争，所以SEMATECH本身是一个非盈利组织。 SEMATECH取得的成绩 1、半导体制造商收益。SEMATECH的联合开发研究成果使得所有成员公司在购买、使用和维护制造设备上的成本大为降低。由于制造设备的不断改进，成品率不断提高，大大缩短了与日本公司的差距。美国公司使用美国制造的半导体设备，在1995年已经可以制造0.35微米线宽的电路，从而在技术上赶上了日本。 2、对半导体设备制造行业的影响。美国半导体制造商与设备制造商联手解决设备的质量问题，以克服设备缺陷带来的工艺问题。设备制造商在设计、生产设备时也越来越多地考虑客户的需求了，使设备的可靠性大为提高。这些变化使得美国从1991年开始，又从日本手里夺回了半导体设备市场世界第一的称号。1992年，美国的应用材料公司(Applied Materials)成为全球半导体设备市场上的龙头老大。 3、全面质量管理。SEMATECH跨行业的“合作全面质量管理”计划，为半导体制造商和设备供应商之间的质量管理合作创造了条件。他们各自发挥专长，合作研究提高了工艺过程的规范性，同时设备供应商也能不断对设备进行改进，相互促进提高了对方的质量水平。 4、密切合作的纽带关系。SEMATECH加强了半导体制造商之间的合作关系，他们有机会可以在一起交流信息、讨论有关设备、材料等方面共同感兴趣的问题。成员公司不需要自己去解决全部问题，而可以共享合作研究的成果。在SEMATECH成立5年后，美国在世界半导体市场的份额自1985年以来首次超过日本，Intel公司也成为世界头号半导体公司。 SEMATECH对我们的启示 SEMATECH不可能解决美国半导体行业所面临的所有问题，它的重点是致力于搭建工艺制造商和设备供应商的桥梁。随着半导体技术的不断提高，制造工艺日趋复杂，SEMATECH需要拓宽其研究领域，例如集成制造技术、模拟集成电路的精益生产等。一旦SEMATECH的研究超越了制造技术而深入到半导体技术的最前沿，各成员公司关于技术路线的分歧就会越来越大，这也是SEMATECH所面临的挑战。综上所述，SEMATECH对我们的启示有： 1、集中目标解决产业发展中的关键技术问题。SEMATECH将重点放在制造技术和工艺研究上，围绕此重点再开展合作联合研究，可以吸引企业界的参与又能使各个成员公司很快地达成共识。 2、始终企业唱主调。政府虽从资金面、政策面给与一定支持，并起到一些组织协调作用，但研究联合体的管理完全由来自企业的技术专家和管理人员负责。这样做的好处是将研究联合体一直置身于市场压力之下，研究成果与市场不脱节。 3、集中研究减少重复投资的浪费。研究内容集中在各个成员公司共同面临的技术问题上，而如何应用这些技术去开发具体的产品则是各个成员公司自己的事情。通过合作研究，各个公司可以取长补短。也避免了重复研究和重复投资的浪费。 4、研究联合体可以加强各个相关行业之间的相互了解和彼此协作。通过制造公司和设备公司的密切合作，提高了这两个相关产业的产品质量和技术水平。这种将政府干预与市场机制相结合的合作研究方式，对于我国的半导体产业发展有着重要的参考意义。

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  • 台积电又要领跑7nm工艺，英特尔连三星都干不过？

    Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂，3-4年后准备生产7nm工艺，拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工艺的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性质，他们要等EUV光刻工艺成熟。 在ISSCC国际固态电路会议上，各大半导体公司都公布了自家半导体技术的进展，AMD昨天提到的Ryzen处理器的核心面积就是在ISSCC会议上公布的，EEtimes现在又报道了TSMC和三星的7nm工艺进展情况。 TSMC的7nm 256MB SRAM芯片 TSMC虽然在16nm FinFET上吃过亏，不过他们在10nm、7nm工艺上野心勃勃，今年上半年将使用10nm工艺为苹果量产A11处理器，这次公布的7nm工艺进展看起来也很顺利。TSMC公开了7nm工艺制造的256Mb SRAM芯片，位单元面积只有0.027um2，7层金属层工艺，整个核心面积也只有42mm2。根据TSMC存储业务部门的高管Jonathan Chang所说，TSMC的7nm工艺核心面积只有16nm工艺的0.34倍。 只有良率问题，TSMC在论文中表示7nm工艺良率很“健康”(healthy)，听上去很有信心。 三星展示的8Mb SRAM芯片 与此同时，三星也公开了7nm工艺的部分信息，不过他们介绍的SRAM芯片容量只有8Mb，更像是研究而非开发性质。三星同时针对现有设备及EUV工艺开发了两种修复工艺，显然EUV工艺的会更好，不过修复处理并不是半导体制造的必须过程，三星只是验证EUV工艺可以做到什么。 根据三星去年公布的消息，他们在7nm工艺上是想等到EUV工艺成熟，业界分析认为EUV工艺在2020年才会达到量产水平。

    半导体 英特尔 7nm 台积电

  • NVIDIA发布2017财年第四季度及全年财务报告

     美国加利福尼亚州圣克拉拉 -- 2017年2月9日 -- NVIDIA公司 (纳斯达克代码：NVDA) 今日宣布，截至2017年1月29日的第四季度收入创下21.7亿美元的纪录，较去年同期的14亿美元增长55%，较上一季度的20亿美元增长8%。 季度GAAP摊薄每股收益为0.99美元，较去年同期的0.35美元增长183%，较上一季度的0.83美元增长19%。季度非GAAP摊薄每股收益为1.13美元，较去年同期的0.52美元增长117%，较上一季度的0.94美元增长20%。 公司2017财年全年营收创下69.1亿美元的纪录，较上一财年的50.1亿美元增长38%。全年GAAP 摊薄每股收益为2.57美元，较上一财年的1.08美元增长138%。全年非GAAP摊薄每股收益为3.06美元，较上一财年的1.67美元增长83%。 NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁勋 (Jen-Hsun Huang) 表示：“我们在创纪录的一年里取得了很好的成绩，所有业务持续强劲增长。我们的GPU计算平台在人工智能、云计算、游戏和自动驾驶汽车等领域中得到快速采用。” “基于NVIDIA GPU的深度学习是一种突破性的AI方法，正在助力解决自动驾驶汽车、早期癌症检测和天气预报等领域面临的挑战。我们如今可以看到，基于GPU的深度学习将彻底改变各大主流行业，从消费级互联网、交通、到医疗保健和制造业。我们肩负着人工智能时代的使命。”他表示。 资本回报 2017财年期间，NVIDIA以股票回购方式回报了7.39亿美元，以现金红利方式回报了2.61亿美元。因此，公司于2017财年总计向股东回报10亿美元。 2018财年，NVIDIA计划通过进行中的现金红利和股票回购活动来向股东回报约12.5亿美元。 NVIDIA将于2017年3月17日向2017年2月24日在册的所有股东支付每股0.14美元的下一季度现金红利。 2017财年第4季度概要 NVIDIA对2018财年第一季度的展望如下： Ÿ 收入预计将达到19.0亿美元，上下浮动2%。 Ÿ GAAP和非GAAP毛利率预计分别为59.5%和59.7%，上下浮动50个基准点。 Ÿ GAAP运营费用预计约为6.03亿美元。非GAAP运营费用预计约为5.20亿美元。 Ÿ GAAP其他收入和费用净额预计约为2000万美元，包括可转换票据早期转换的额外费用。非 GAAP其他收入和费用净额预计为约400万美元。 Ÿ 2018财年第一季度的GAAP和非GAAP税率预计均为17%，上下浮动1%，不包括任何离散项。 Ÿ GAAP和非GAAP摊薄每股收益EPS计算中采用的加权平均值是依靠本季度股票加权平均值计算得出。 Ÿ 资本支出预计约为5000万美元到6000万美元。 2017 财年第四季度亮点 在第四季度中，NVIDIA在以下四个主要平台上均取得了进展。 游戏业： · 发布GeForce ® GTX 1050/1050 Ti 系列移动显卡，并有超过30款采用了这两款产品的游戏本已于2017年美国国际消费电子展上亮相。 · 发布全新SHIELDTM TV，其内置Google Assistant 、SmartThings Hub技术以及NVIDIA SPOT 人工智能麦克风。 · 发布GeForceTM Now服务，利用云端按需将基于NVIDIA PascalTM架构游戏PC的卓越体验传递给所有游戏玩家。 专业可视化： · 发布全新系列专业显卡，包括Quadro® GP100，为普通工作站赋予超级计算能力 · 推出Quadro P5000，助力戴尔和微星打造虚拟现实移动工作站 数据中心： · 与微软合作，基于NVIDIA DGX-1™超级计算机和微软Azure 云端的微软认知工具包(Microsoft Cognitive Toolkit)加速AI · 与美国能源部和国家癌症研究所合作构建一个名为CANDLE(英文“癌症分布式学习环境”的缩写)的AI框架，以推进癌症研究 · 发布NVIDIA DGX SATURNV人工智能超级计算机，由124 台基于Pascal™架构的 DGX-1服务器节点提供技术支持，是全球最高效超级计算机 汽车： · 与奥迪合作打造人工智能汽车，预计2020年上路行驶 · 与梅赛德斯奔驰合作，将采用英伟达人工智能技术的汽车推向市场。 · 与全球最大的汽车供应商博世合作，开发面向量产汽车的人工智能自动驾驶系统。 · 与德国的采埃孚合作，开发基于NVIDIA DRIVE™ PX 2人工智能汽车计算平台、可应用于汽车、卡车和其他商用车辆的自动驾驶系统 · 与欧洲的HERE合作，开发HERE高清实时地图(HERE HD Live Map)，为自动驾驶汽车打造实时高清地图解决方案。 · 与日本的ZENRIN合作，为自动驾驶汽车开发云端到车的高清地图解决方案。 首席财务官的评论 NVIDIA 执行副总裁兼首席财务官 Colette Kress 对本季度财务业绩发表了评论，敬请访问 http://investor.nvidia.com/ 网站查看评论内容。 电话会议和网络广播信息 NVIDIA 将于太平洋时间今日下午2:00 (东部时间下午 5:00)与分析师和投资者召开电话会议，讨论公司第四季度和2017财年的财务报告以及当前财务前景。欲收听本次电话会议，敬请拨打电话 (877) 232-3864(美国)或574) 990-1377(国际)，电话会议密码：52907909。本次电话会议将在NVIDIA投资者关系网站上进行网络直播 (纯收听模式)，网址为 http://investor.nvidia.com 和 www.streetevents.com。网络广播将进行录制，在公司召开讨论2018财年第一季度财务报告的电话会议之前可随时重播。 非 GAAP 衡量指标 为补充按公认会计准则(GAAP)计算的NVIDIA简明综合损益表以及简明综合资产负债表，NVIDIA 在财务报告的特定组成部分中使用了非GAAP衡量指标。这些非GAAP衡量指标包括非GAAP毛利润、非GAAP毛利率、非GAAP营业费用、非GAAP营业收入、非GAAP其它收入(费用)净值、非GAAP所得税费用、非GAAP净收入、非GAAP摊薄每股净收入或收益、非GAAP摊薄股数、重组和其它支出对摊薄每股的影响以及自由现金流。为使我们的投资者能够更好地对比当前业绩与以往业绩，我们给出了从GAAP到非GAA 财务衡量指标的调节表。这些调节表调整了相关的GAAP财务衡量指标，扣除了股票补偿费、产品保修支出、收购案相关成本、重组和其它支出、非关联投资的收益和亏损、债务折扣摊销相关的利息支出以及这些项目适用的相关税款。非GAAP摊薄每股净收益计算中所使用的加权平均股数包含该公司Note Hedge的反摊薄影响。重组和其它支出对摊薄每股的影响被计算为重组和其它支出 (所得税净值) 除以GAAP摊薄股数。自由现金流是按照GAAP计算的净现金，这些净现金归功于在运营中减少购置资产、设备以及无形资产。NVIDIA相信这些非GAAP财务衡量指标会增进用户对我们以往财务业绩的全面理解。公司提交非GAAP财务衡量指标的目的不是将其割裂开来或替代公司按公认会计准则计算的财务业绩。而且NVIDIA的非GAAP财务衡量指标可能与其它公司所使用的非GAAP财务衡量指标有所不同。

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  • 14nm工艺，又被英特尔挤出个8代酷睿处理器

    14nm要宣告终结了吗，一个不那么振奋的消息传来!Intel在今天的投资会议上正式宣布了8代酷睿处理器，率先披露的是i7-8000系列，定于今年下半年亮相。Intel还公开了8代酷睿的性能，称8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%。据悉，数据基于SysMark跑分。不过，从PPT上看，8代酷睿依然采用的是14nm工艺，Intel称之为“Advancing Moore’s Law on 14 nm”，而非10nm，因为这一点，外媒也产生了争议。 一项权威的PCworld似乎犯了个错，它们说8代酷睿是Cannon Lake，也就是10nm。 而AnandTech、WCCF、VC等则指出，8代酷睿确定基于14nm，并非Cannon Lake家族。除了PPT的信息，另一个证据是，Intel在CES表示10nm最先以移动芯片的形式发布，而这次投资会议谈到的是桌面高端i7。 笔者也倾向于后者，那就是说，Intel再Tick-Tock改为P.A.0后，再来了一代Optimization(优化)，14nm连用四代! 因为Intel直接透露的是i7，而10nm在年底又会登陆笔记本领域，所以现在猜测8代酷睿并不会形成U海的局面，而是以高端芯片做主力，比如传言中的i7-7740K、i5-7640K，或者就是所谓的Coffee Lake。

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  • 2017年半导体发展有多猛？张忠谋等人是这么说的

    由于全球终端市场的嬗变和上游半导体市场的动荡，加上中国的搅局，2017年的半导体市场将会有多种不同的机遇与挑战，我们来看一下知名的分析机构对半导体2017的看法： Gartner：未来三年全球半导体资本支出将保持连续增长 全球领先的信息技术研究和顾问公司 Gartner 预测，2017 年全球半导体资本支出将增长 2.9%，达到 699 亿美元。从 2017 年到 2019 年保持连续增长，2019 年全球半导体资本支出将达 783 亿美元。而全球半导体资本支出在 2016 年的增幅为 5.1%。 Gartner高级研究分析师David Christensen表示：“2016年的强劲增长是由2016年年底支出增长所带动的，而支出增加则是由于NAND闪存短缺问题，该问题曾在2016年年底变得更加严重，并将在2017年大部分时间仍维持此种状况。究其原因在于智能手机市场好于预期，从而推动了我们最新预测中的NAND资本支出升级。2016年，NAND资本支出增加了31亿美元，多个与晶圆厂设备相关的细分市场展现出高于我们此前预测的更强劲增长。2017年，热处理、涂胶显影以及离子注入等细分市场预计将分别增长2.5%、5.6%、8.4%。” 相比2016年年初，由于更强势的定价以及智能手机市场好于预期，尤其是存储器的前景已有所好转，存储器的复苏会早于预期，因此将带动2017年的增长，并因关键应用发生变化而稍有增强。 表一、全球半导体资本支出与设备支出预测，2015—2020年(单位：百万美元) 由于来自苹果、高通、MediaTek与HiSilicon的移动处理器已成为领先节点晶圆的需求推动力，因此代工厂将继续领跑整个半导体市场。具体而言，快速的4G迁移与更强大的处理器使得晶圆尺寸大于上一代应用处理器，需要代工厂提供更多28纳米、16/14纳米与10纳米的晶圆。原有的制程工艺将继续在高集成度显示驱动芯片与指纹ID芯片以及有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示驱动器集成电路(ICs)领域保持强劲增长。 2017年全球半导体产值可达3400亿美元 据报道，2017年全球晶圆代工产能进入扩张期。除了台积电与联电分别于南京与厦门扩建12寸晶圆产能外，大陆也积极针对逻辑IC与存储器进行扩产，带动晶圆制造设备及耗材需求。主要的晶圆制造设备集中于微影、蚀刻、扩散、检测，但全球主要供应厂商都集中在欧美日，预估两岸设备厂整体受惠程度有限，但部分耗材厂、精测研磨光阻液台厂仍有机会。 2016年全球半导体产值衰退至3，247亿美元年减3%。展望2017年，新应用领域持续成长，据研调机构Garnter预估，2017年全球半导体产值将成长至3，400亿美元，年增4.7%。 最新报告认为，全球80%晶圆产能集中在亚洲地区，又以台湾及大陆分居前二名，分别占全球产能50.2%及13.9%，据SEMI统计，2016～2018年两岸将扩建十座晶圆厂，其中五座主要以6寸及8寸晶圆为主，其他五座则以12寸晶圆为主。据Gartner预估，大陆半导体设备需求产值将由2015年的37.1亿美元成长至2018年的78.9亿美元，年增率高达20.7%。 未来二年两岸半导体产业积极扩建新产能，微影、蚀刻、扩散、薄膜等设备受惠程度较大。 IEK：2017年产值成长上看4．2％ 贪玩工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)之前了发表IEK制造业趋势预测模型(IEKCQM， Current Quarterly Model)预测结果，工研院IEK预测团队指出，展望2017年，随着全球商品价格波动趋缓，将有助于刺激世界贸易恢复正成长，预估明年全球景气将优于今年。在半导体产业方面，当前处于景气回升阶段，业者持续扩充先进制程投资、带动机械设备进口回升等因素，2016下半年，半导体产业景气出现明显回温讯号，并略高于过去五年的平均水准，预估2017年产值有望成长3.5～4.2%。 展望2017年，IEK表示，「维持领先优势，精益求精」是2017年半导体产业主要趋势，产值年增率预测为3.5～4.2%，产值突破2.5兆元，仅次于美国，超越韩日，回顾2016年，面对全球整体需求不足、各国贸易量持续萎缩情况下，受惠于我国半导体厂商优异的先进制程与产品良率，台湾半导体产业率先表态转强，出口扩张带动整体出口终结连17黑。 IEK表示，统计2016年前三季，台湾半导体业较去年同期成长5.7%，其中IC设计成长16.1%，IC制造成长2.7%，IC封测成长0.5%，根据工研院IEK编制的半导体产业景气信号，台湾半导体业在2016年4月触底后逐渐加温，至8月份已亮出代表景气稳定的绿灯，且分数趋近代表景气转趋热络的橘灯，此显示当前半导体业景气已脱离谷底阶段，并略高于过去五年的平均水准，其中表现较佳的指标为外销中国大陆电子产品订单、台湾IC产品出口值与半导体主要厂商营收水准等项目。 展望未来5年，无所不在的运算以及什么都连网的情境，能否引领半导体再创高峰值得期待。2020年有庞大想像空间，如智慧汽车(Smart Car)、智慧家庭(Smart Home)、智慧城市(Smart City)等。 工研院IEK建议半导体厂商往三大方向布局发展，即：超越摩尔定律的系统级异质整合封装技术、各种感测器技术、超低功耗半导体运算与通讯技术。 预估2017年「维持领先，精益求精」再成长7.0%优于全球，产值全球第二，仅次于美国，超过韩国与日本。2020年上看3兆元新台币。 张忠谋：估2017年半导体将成长4％ 台积电月前召开法人说明会，董事长张忠谋亲自出席主持，除公布去年台积电营收状况，另也预估今年半导体产业趋势。 张忠谋表示，今年智慧手机出货将持续成长约6%，其中，高阶智慧手机将成长约3%，中阶智慧手机将成长约5%，低阶智慧手机将成长约8%;至于个人电脑市场，张忠谋则预期今年出货量将减少约5%，平板电脑出货量也将减少7%，物联网出货量则可望成长34%。 综观上述，张忠谋指出，今年全球半导体业将成长约4%，晶圆代工业将成长约7%，台积电以美元计今年上半年业绩较去年同期将成长近10%，下半年业绩则将较去年同期成长约5%。 分析师：川普不捣乱，2017半导体成长有望达5％ 美国华尔街(Wall Street)的一位资深分析师预测，半导体产业在经历今年的略为衰退之后，明年将恢复典型成长水平;其他市场观察家也认为明年会更好，因为PC与内存的需求成长，而能有今年相较持平或略微成长的表现。 德意志银行(Deutsche Bank)分析师Ross Seymore在一篇最新报告中预测，芯片市场继今年衰退约1%之后，2017年可望有5%的成长;而数据中心将是明年成长最快速的应用领域，幅度可达10%，其次则为汽车应用市场与通讯应用市场，预期分别有9%与7%的成长率。 至于PC仍会是2017年芯片产业的一大累赘，将出现2%的衰退;此外消费性电子以及工业应用市场预期有约4%的成长，与整体芯片市场趋势相符;Seymore也看好新兴的无人机以及虚拟现实(VR)应用领域，而他表示产业主要的成长动力将在2017上半年出现。 世界半导体贸易统计组织(WSTS)的最新预测就显得较为保守，该机构预测2016年芯片市场销售额可达到3，349.53亿美元，较2015年衰退约0.006%;而芯片市场在2017与2018年可望分别取得3.3%与2.3%的成长。 独立半导体产业分析师Mike Cowen的预测数据则指出，芯片产业表现在5月份达到谷底，衰退幅度达到6.2%，但在那之后逐渐缓慢回温，估计2016年整体表现与去年相较略为衰退0.48%，但明年可望有4.66%的成长。 半导体产业分析师Mike Cowen根据WSTS的统计数据针对2016年芯片产业表现所做的预测 早在今年1月份，各家产业分析师对芯片市场的成长率预测意见分歧，从-3%到4%都有;有些分析师基于今年初厂商们的惨淡财报数字，调降了对市场成长率的预测，后来又因为自秋天起显现的乐观趋势而再次调升预测数字。 德意志银行的Seymore预测，在经历了过去数月几桩改变市场局势的大型收购案、例如高通(Qualcomm)收购恩智浦半导体(NXP)之后，芯片产业整并风潮在明年上半年将暂时平息;而他也指出，产业整并让半导体业股价在今年下半年达到十年来的最佳表现。 展望2017年，Seymore认为美国准总统川普(Trump)预期将调降企业税的举措，可能会对少数芯片制造商带来重大影响;例如英特尔(Intel)、德州仪器(TI)以及将与ADI合并的凌力尔特(Linear)，可望因目前相对较高的税率得以调降而取得最大利益。此外Linear/ADI与Nvidia可望因为其可观的境外现金结余(offshore cash balances)，而获益于从海外回收的现金。

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  • 困扰肖特基半导体50余年的难题 或将被石墨烯破解

     韩国蔚山国立科技大学(UNIST)的一个科研团队在传统肖特基半导体的金属和半导体材料之间插入石墨烯，制备出了一种新型的肖特基二极管，大大提高了二极管的性能。他们的研究成果有望解决近50年来一直悬而未决的肖特基半导体的金属-半导体接触电阻问题，在科学界中引起了广泛的关注。 韩国蔚山国立科技大学(UNIST)的一个科研团队利用石墨烯材料创造了一种新技术，大大提高了电子器件中使用的肖特基二极管(金属-半导体结)的性能。他们的研究成果有望解决近50年来一直悬而未决的肖特基半导体的金属-半导体接触电阻问题，在科学界中引起了广泛的关注。 该团队在传统肖特基半导体的金属和半导体材料之间插入了石墨烯，制备出了一种新型的肖特基二极管，这项新发明全面超越了现有技术，在促进半导体行业发展上被寄予厚望。 该研究成果已经发布在了2017年1月份的《Nano Letters》杂志上，论文题目为：StrongFermi-Level Pinning at Metal/n-Si(001) Interface Ensured by Forming an IntactSchottky Contact with a Graphene Insertion Layer。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 然而，由于肖特基半导体金属-半导体界面处的原子会产生混合，产生接触电阻，造成二极管的性能不能达到理想状态(当电压被施加正向偏置时，理想二极管用作完美导体，并且当电压被施加反向偏置时，理想二极管类似于完美的绝缘体)。接触电阻对于肖特基半导体的物理性能非常重要，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。 具有和不具有石墨烯插入层的Ni，Pt和Ti电极金属/ n-Si(001)结的电学性能测量结果对比 Kibog Park教授通过在金属-半导体界面插入石墨烯层解决了这个问题。在研究中，研究团队证明，由单层碳原子组成的石墨烯层不仅可以基本上抑制金属和半导体材料混合，而且与理论预测很好地匹配。 Park教授说：“石墨烯片中的每个石墨烯层之间有一定的空间，具有量子力学层面的高电子密度，导致没有原子可以穿过。因此，利用夹在金属和半导体之间的这种单层石墨烯，可以克服原本不可避免的原子扩散问题。 该研究还证实了之前的理论预测，即“在硅半导体中，不论其使用的金属的类型，结表面的电性质几乎不改变，”，HoonHahn Yoon该项研究的第一作者说。 该研究还利用内部光电子发射方法测量新制造的金属/石墨烯/ n-Si(001)结二极管的电子能垒。上图所示的内部光电(IPE)测量系统对这些实验有很大贡献。这个系统由四位UNIST的研究生(Hoon HanYoon，Sungchul Jung，Gahyun Choi和Junhyung Kim)开发，作为本科研究项目的一部分在2012年进行，并得到韩国基础推进科学与创意(KOFAC)资助。

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  • 半导体五年内进入将2纳米，台湾欲靠基础研究突破物理极限

    台湾科技部长陈良基今天表示，美国特斯拉总裁伊隆・马斯克(Elon Musk)已对外表示，2030年将送人类到火星，届时每个人身边都会有一个“比人聪明”的人工智能器材，2040年每个人身边都会有一个机器人，这些科技创新都在美国矽谷，因此台湾学界必须与硅谷连结，半导体作为产业竞争力核心，未来几年跨入3纳米、2纳米，将遭遇到物理极限，这些都必须靠学界基础研究突破。 陈良基表示，他上任后将推动三件工作，分别是支持学术研究、提振产业技术创新与建置科技研究环境，他强调，负责科研奖助的科技部并非冷门单位，他所提供的研究是与民众未来切身相关的产品，例如目前手机上的虚拟实境与未来的人工智能技术。 “给自己的使命，以科技研究创造『台湾价值』” “科技研究对台湾很重要 我给自己的使命是，以科技研究创造『台湾价值』”陈良基说，之所以特别强调台湾价值，是因为台湾在基因定序、半导体等研究领域，持续扮演重要角色，基础研究对于台湾产业发展非常重要。 以台积电为例，陈良基表示，台积电10纳米量产目前已进入量产，2年后将进入7纳米，不到5年将进入3纳米、2纳米，届时将面临物理极限，必须要通过基础研究突破，半导体以外，其他业界也需要基础研究支撑，因此台湾科技部未来将结合学术界产业界，共同推动产学联盟，希望每年组成5-10个产学联盟。 台积电10纳米量产目前已进入量产，2年后将进入7纳米，不到5年将进入3纳米、2纳米。 在深耕创新创业方面，全球高科技龙头谷歌每年维持成长方式，是并购20家创新公司，因此，台湾科技部会结合5+2创新旗舰计划，持续推动创新创业，确保台湾与全球科技产业的连结。 “全球未来的窗口在硅谷” 每年遴选博士到硅谷 陈良基强调，科技发展的愿景，必须有人才支撑，台湾高教体系目前每年培养5000位博士，要与全世界竞争，台湾人才就要到最顶尖的场域，因此除了连结在地之外，还要连结国际与未来，“全球未来的窗口在硅谷”，台湾科技部未来每年将遴选将优秀博士到硅谷，通过硅谷“华山论剑”，让台湾优秀人才与未来可能事业伙伴链结，引进最新科技。

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  • 赛普拉斯发布2016年第四季度及全年财报

    2016年第四季度在GAAP(美国通用会计准则)下和非GAAP下的总营收均为5.302亿美元 2016年第四季度在GAAP下的利润率为38.1%，非GAAP下的利润率为40.1% 面向高增长市场改进了产品上市策略，企业结构由四个事业部简化至两个事业部 完成对博通(Broadcom)无线连接解决方案的收购，为公司带来了15.6%的营收增长 并购带来的协同作用全年节省共计1.885亿美元，超过合并Spansion时所制定的目标 赛普拉斯半导体公司近日发布了其2016年第四季度及全年财报。 赛普拉斯半导体总裁兼首席执行官HassaneEl-Khoury表示：“我们很高兴地告诉大家，赛普拉斯在2016年第四季度以及2016年全年的业绩均表现强劲。公司得到了进一步的发展，毛利率得到了提升，协同作用所带来的成本节省超过了我们并购Spansion时所制定的目标;同时，我们调整了战略发展方向，充分实施了赛普拉斯3.0计划——该计划意味着我们将会把完整的嵌入式解决方案销售到除半导体行业之外发展更快的市场中。 “2016年度，我们在GAPP下(美国通用会计准则)计算的总营收为19.2亿美元，按非GAPP计算的总营收为19.4亿美元，同比增长分别为20%和19%。目前，我们不断扩大的嵌入式系统系列解决方案继续保持强劲的需求，遍布所有目标市场的物联网(IoT)业务收入也超过了此前预期。 “现在我们的产品上市策略均与目标市场(汽车、工业和消费市场)调整一致，同时，为了提高企业运营效率，我们还将汇报体系也简化至两个部门。2017年，在汽车、连接和USB-C市场的驱动下，我们的增长率预计将会超过半导体市场的整体平均水平。” 2016年第四季度与上季度相比的总营收和利润情况见下表。 (单位：,000美元，每股数据除外) ($ 为美元) 1. 参见以下所列的“GAAP财务指标与非GAPP财务指标之间的对账”表。 2016年全年公司与上一年度相比的总营收和利润情况见下表。 1. 参见以下所列的“GAAP财务指标与非GAPP财务指标之间的对账”表。 2. 2015年数据包括2015年3月12日合并Spansion后的业绩数据。 3. 2016年数据包括2016年7月5日收购博通(Broadcom)无线物联网业务部的业绩数据。 业务回顾 + 在2016年11月举行的德国慕尼黑国际电子展(Electronica)上，赛普拉斯推出了一站式交钥匙WICED®Studio 4平台，该平台单一开发环境即可适用于多种无线技术，包括赛普拉斯世界领先的Wi-Fi®、蓝牙及组合型IoT解决方案。这一软件平台的推出进一步夯实了公司以其嵌入式系统解决方案和配套软件成为无线连接业务领域领导者的地位。 + 赛普拉斯于2016年7月5日完成收购博通(Broadcom)的连接业务在2016年第四季度为赛普拉斯创造的营收为7230万美元，超过此前指导性预测的最高值。 + 赛普拉斯将其企业组织结构从四个部门简化至两个部门，以便与其产品上市策略保持一致，提高运营效率。全新的微控制器和连接事业部(MCD)现包括以下产品线： · 此前可编程系统事业部的微控制器和PSoC®产品线; · 此前数据通信事业部的无线连接/IoT及USB产品线; · 此前新兴技术事业部(ETD)的晶圆厂业务; · 此前存储器产品事业部下属的知识产权事业部门。 全新的存储器产品事业部(MPD)现包括Flash、SRAM、专用存储器业务，以及此前属于新兴技术事业部(ETD)的AgigA Tech子公司。 + 2016年第四季度GAAP和非GAAP下的合并利润率分别为38.1%和40.1%，主要原因为公司提升利润率的刺激计划以及优化的产品结构。第四季度晶圆厂利用率提升至63%，原因是为满足客户需求而提升产量。 +2016年第四季度期间的营业现金流为8980万美元，主要原因为公司对改善流动资本状况的重视。 + 2016年第四季度末的存货总值为2.878亿美元，较上季度增长16.2%，主要是MCU和连接产品存货增长，以便满足终端客户的需求。受公司精益库存计划的带动，2016年公司的库存价值按计划减少了8000万美元以上。 + 截至2016年12月29日股市闭市之时，赛普拉斯共向持有公司普通股的股东支付了3540万美元的股息，相当于每股0.11美元。截至2016年12月30日，该股息相当于年收益率为3.8%。 营收汇总 (单位：,000美元，百分比除外) (未经审计) 1. 2016年第三季度按GAAP计算的营收不含MCD部门、中国及世界其他地区和直销渠道的，按非GAAP计算的625万美元授权收入。 2. 上季度的地区数据进行了修正，以便与当期报告保持一致。 3. 微控制器和连接(MCD)部门的历史业绩包括子公司Deca Technologies的业绩。 4. .参见以下所列的“GAAP财务指标与非GAPP财务指标之间的对账”表。 1. 2015年数据包括2015年3月12日与Spansion并购后的业绩。 2. 2015年和2016年的12个月净销售额均包括Spansion在MCD部门、亚太地区和直销渠道的按非GAAP计算的1875万美元授权收入。 3. 2016年数据包括2016年7月5日并购博通物联网(IoT)业务后的业绩。 4. 上季度的地区数据进行了修正，以便与当期报告保持一致。 5. 微控制器和连接(MCD)部门的历史业绩包括子公司Deca Technologies的业绩。 6. 参见以下所列的“GAAP财务指标与非GAPP财务指标之间的对账”表。 2017年第一季度财务状况展望 赛普拉斯对2017年第一季度的财务业绩状况预测如下： 在本财报最后的表格中，提供了按GAAP计算的前瞻性估算数据与按非GAAP计算的前瞻性估算数据之间的对账情况。 部分按照GAAP计算财务指标所必不可少的重大事项，包括重组费用、资产减值、递延补偿资产和债务价值的变更、股权奖励变动导致的股票补偿造成的影响以及非GAAP调整对税收的影响等，其时间和金额本身不可预测或不在本公司的能力控制范围之内，可能对公司的财务业绩造成显著影响。因此，赛普拉斯在合理努力的情况下可能无法提供对包括在2017年第一季度财务展望数据中的非GAAP财务指标与GAAP财务指标之间的完全定量对账表。此外，2017年第一季度非GAAP业绩报告中可能存在其他修正。在所附的非GAAP财务指标部分中，赛普拉斯对非GAAP财务指标与GAAP财务指标之间的预期差异进行了定性描述。

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  • 车用市场商机可期 韩国半导体双雄争夺新蓝海

     全球车用半导体2016-2020 年的复合年成长率预估将超过 7%，已成为三星电子与SK 海力士等韩国半导体双雄争夺的新蓝海。 据市调机构 Gartner 最新估计，2020 年全球车用芯片产值将来到 424 亿美元，对照去年 323 亿美元，每年复合年成长率达7.1%，高于整体半导体平均水平3.7%。 三星日前已先下一成，从 2018 年开始，三星旗下 Exynos 处理器将进驻德国奥迪汽车的资讯娱乐系统(Infotainment)。另外，三星去年11 月更以全现金交易买下车用电子大厂 Harman，估计花费约80 亿美元，展现对汽车领域的企图心。 海力士也不在话下，去年9 月已成立独立部门致力于开发车用芯片，SK 海力士曾说先进辅助驾驶(ADAS)与自驾系统将是未来的成长引擎。

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