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  • 获取新电子CAD模型渠道，节省工程师时间

     服务于全球工程师的分销商Electrocomponents plc(LSE:ECM)集团旗下的贸易品牌RS Components (RS)公司今天宣布SamacSys ECAD元件向导(EPW)和各种优质即用型电子元件ECAD模型的独家经销商访问权。这些模型支持所有热门的ECAD工具格式，包括RS DesignSpark PCB软件，都可从DesignSpark网站或EPW应用程序下载，完全免费。 RS联手SamacSys与主流元件制造商紧密合作，提供精密、高品质的ECAD模型，这些模型拥有电子元件的原理图符号和印刷电路板(PCB) 封装信息。这为电子设计工程师带来了巨大优势，快速导入设计、减少PCB错误将大幅节省时间，进而改善用户体验和缩短上市周期。 更重要的是，ECAD元件向导可让设计工程师全面掌控原理图符号的拆分，包括符号要拆分的数量、针脚在拆分符号每边的位置(左右、上下)，以及每个针脚显示的顺序。另外，EPW还提供PCB布局的封装图，全部符合IPC规定，让用户可选择最少、标称和最大封装选项。 这些新的ECAD模型可通过RS网站直接从EPW工具内或从RS产品数据库(Product Data Library，PDL)中下载，有助于工程师加速原型设计流程。目前，PDL拥有来自500多家制造商的两百多万种元件和五百万份单个技术文档以及计算机辅助工程文件，支持工程师设计流程。另外，如库中无可用模型，DesignSpark用户还可请求立即创建某个元件模型。 “DesignSpark是RS的一个在线社区，提供宝贵的信息和资源，包括可免费下载的重要工具，如DesignSpark PCB，”SamacSys总经理Alex MacDougall表示，“将SamacSys ECAD元件向导和ECAD模型加入RS产品数据库，是因为我们认为这些工具能够显著提高设计工程师的生产率，有利于加速设计和原型设计流程。” “SamacSys EPW和各种ECAD模型完全免费使用，对工程师而言，是一种重大的援助，”RS Components全球产品营销总监Glenn Jarrett称，“它让工程师能够把更多的时间花在项目创新上，而无须输入元件数据构建ECAD工具库而浪费宝贵的资源，也无需担心流程中出现任何引入数据错误。”

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  • “2015 ROHM 科技展”青岛站回顾

    7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵达青岛站，本次科技展会由ROHM(罗姆)半导体集团主办、21ic中国电子网承办，以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，从应用层面出发，以产品展示及专业讲座的形式，向半导体业界人士展示功率电子、车载电子、传感器网络、通信技术等方面的罗姆最新产品和技术，并进行了众多的高新技术主题演讲。 展会现场人气爆棚 参加本次展会的工程师早早来到现场，人员众多、人气高涨，比青岛的气温还高出十几倍。下面就让小编在人海中为大家报道展会具体成果。 沙漏中的世界最小贴片电阻 上图中沙漏里装的可不是沙子，而是世界最小级别的罗姆微型贴片电阻。除贴片电阻器外，展会上还展示了钽电容器、导电性高分子电容器等电容器产品，以及在可穿戴智能设备领域颇受关注的色彩传感器、气压传感器、地磁传感器、加速度传感器等传感器产品。此外还展示了罗姆的DC/DC转换器、SiC MOSFET、车载IPO、通用EEPROM等产品。下面是部分产品的靓照： 罗姆钽电容器和导电性高分子电容器 红外线传感器演示 碳化硅(SiC)沟槽 MOSFET 工程师向罗姆技术人员了解产品技术情况 罗姆的产品已经广泛应用于各种成熟产品中，展台上同时也展示了罗姆产品在实际产品中的部分应用案例。像我们熟知的许多一线手机产品就搭载了罗姆的三合一接近传感器、齐纳二极管、电阻器、钽电容器等多款产品，在中国乃至世界都处于领导地位的某国产品牌滚筒洗衣机则搭载了罗姆的加速度传感器、微控制器、数字晶体管、三极管等产品。生活中我们所见所用，很多都搭载着罗姆的产品，这些产品是印证展会主题“罗姆对智能生活的贡献”最有力的话语。 这款单相智能表搭载了罗姆的微控制器、LCD驱动芯片、存储器以及多款晶体管和二极管 本次展会除了展示最新产品和技术之外，众多的高新技术主题演讲也可谓是一大亮点。 本次活动，罗姆邀请到了行业嘉宾为各位来宾做了 “2015 年中国半导体行业发展现状与趋势”的主题演讲，介绍半导体行业在未来连接、移动、智能、安全的发展方向，以及智能卡、智能电网、智能交通、汽车电子、医疗电子等8个领域的发展情况和未来发展趋势，最后还对工程师比较关注的智能家居的发展情况做了细致的说明。 演讲现场座无虚席 之后，罗姆的技术工程师做了“面向产业机器的ROHM碳化硅(SiC)功率元器件 和 面向便携式设备的ROHM智能小型元器件”的主题演讲，分析了碳化硅器件与其他材料器件的区别，以及罗姆碳化硅器件的特点。另外，还介绍了采用ROHM独有的新工艺方法实现小型化，并以惊异的尺寸精度为豪的世界最小元器件系列“RASMID”。随后罗姆的另一位技术工程师做了“ROHM传感技术引领可穿戴设备的未来”的主题演讲，同演讲主题一样，演讲内容主要介绍了罗姆的色彩传感器、气压传感器、9轴加速度传感器、地磁传感器等传感器产品，以及这些产品在可穿戴设备领域的应用，像气压传感器可以用来进行高度测量、色彩传感器可以用来测量照度等。最后对工程师关于地磁传感器的提问做出了精彩的解析。 展会同期还举办了“电源研讨会”，包括“AC/DC转换器研讨会”和“DC/DC转换器研讨会”。 AC/DC转换器研讨会上，罗姆的工程师首先对AC/DC转换的基础做了简单的介绍，随后对PWM方式反激式转换器的设计手法做了详细的解说。DC/DC转换器研讨会则对开关稳压器的基础、常见问题以及电路板布线及抗噪音措施做了精彩的讲解。在提问环节，现场的工程师针对演讲内容的疑惑和工作上遇到的问题进行提问，演讲人耐心细致地解答了问题。 对参会工程师来讲，一场接一场精彩纷呈的演讲更像是一天的技术集训，在学习了解最新产品和技术的同时，更能够解决工作中的问题。今年的“2015 ROHM科技展”即将接近尾声，如果你错过了青岛站，那么千万不能错过最后一站——哈尔滨站(8月7日)。来这里，掌握最新半导体技术和动向。

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  • IBM宣布黑科技：新型锗硅芯片性能可达当前“最强芯”四倍以上

    IBM周四表示，该公司已经打造出了超密计算机芯片的可工作版本，其计算能力约为当前最强芯片的四倍。公告称，这是由IBM牵头并投资了30亿美元的纽约州公私合作伙伴、GlobalFoundries、三星、以及设备供应商所共同实现的。半导体行业困顿在“每两年晶体管密度翻倍”的传统步伐已有段时日，而作为几十年来的行业领导者，英特尔近年来已面临技术上的挑战。   上图为一块7nm芯片晶片，其采用了掺锗硅(而不是纯硅)制成。 此外，科技界一直对芯片能否在14nm后跨过“摩尔定律”这道坎而有所怀疑，因为历次迭代都取决于以纳秒级通断电流的基本部件的最小尺寸，而目前，业界正在从14nm到10nm的商用转型。 芯片行业的每一次迭代，均可在50%的给定面积中部署一定量的电路。尽管IBM的新型芯片仍处于研究阶段，但它有望让半导体行业的缩减之路至少延续到2018年。 该公司于周四表示，他们已经制作出了包含七个纳米晶体管的样品芯片，其采用了锗硅材料(而不是纯硅)并取得了“分子大小的开关”(molecular-size switches)这一研究进展。 这种新材料有望变得让晶体管的通断变得更快，同时功耗要求更低。而这种微尺寸的晶体管也表明了业界迫切需要新的材料和新的制造技术，才能够进一步地发展。 为了让大家更深刻地认识到这七个纳米晶体管的大小，IBM拿直径约2.5nm的DNA链、以及直径约7500nm的红细胞作为对比。该公司称，其有望打造出包含超过200亿晶体管的微处理器。   纽约州立大学纳米科学与工程学院的Michael Liehr(上左)和IBM公司的Bala Haranand正在检查遍布了新型芯片的晶圆。其目前尚未做好商业化生产的准备。 斯坦福大学电力工程系Robust Systems Group主任Subhashish Mitra表示：“我并不感到惊讶，因为这符合路线图上的预测，即使它有如梦幻”。 此外，尽管IBM已经摆脱了大部分的计算机半导体制造产能(GlobalFoundries于上周完成了对IBM微电子部门的收购)，但公告显示，该公司仍有兴趣支持国家高科技制造基地。 纽约州Seaford咨询公司Envisioneering的总裁hard Doherty表示：“这使得IBM可以将自己摆到‘绅士赌徒’的位置上，而不是成为赛马的主人。在这场竞赛中，该公司仍占有一席之地”。 IBM现已将其最新技术授权给了包括GlobalFoundries在内的诸多制造商，并为博通(Broadcom)、高通和AMD等公司代工新品，而半导体行业必须立即决定是否将赌注压到IBM的锗硅技术上。   IBM的7nm节点晶体管。 最后，业界还必须应对极紫外线(EUV)光刻在接近于原子尺寸时该如何转型。此前，英特尔表示有方法抵近7nm制程，不过该公司并未表示这一代芯片是否有可能到来。 IBM亦拒绝对“这项技术将于何时开始商业化生产”置评。台积电已在今年表示其计划于2017年开始试产7nm芯片，不过该公司并未向IBM一样拿出原型芯片。 而新一代极紫外光刻设备能否满足长曝光时间的要求，将成为高速制造业务的关键。因为即使最轻微的震动，都会对光蚀刻线路造成破坏，所以业内不得不专门建造一座“绝对稳定”的建筑，以便将震动和设备隔绝开来。 IBM方面表示，财团现已看到使用极紫外光刻的商业制造业务上的一种途径。该公司半导体研究副总裁穆克什·哈雷(Mukesh Khare)表示： “迄今为止的演示都发生在研究实验室里，而不是一座生产工厂中。与业界计划于下一年引入的10nm技术相比，我们最终的目标是将电路尺寸再缩减上50%”。

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  • 为扭转困局 AMD完全放弃20nm转FinFET工艺

    AMD今天度第二季度业绩前景进行了展望，不是很乐观，收入可能会下滑8%至大约9.5亿美元，比此前预计的下滑3%严重很多，同时非GAAP毛利率仅28%。更有趣的是，AMD在展望中透露了一些工艺方面的变化。本来呢，GF 32nm、台积电28nm之后，两家都规划了20nm，但是GF一如既往地炸雷最后甚至取消了，台积电则专心为苹果A8这样的低功耗移动处理器服务，根本没办法制造高性能GPU，AMD就只准备了几款APU，包括准备和CPU统一接口的SkyBridge(已取消)。 不过现在，AMD表示已经将全部的20nm芯片设计转向了FinFET工艺，而为此付出的代价是3300万美元的一次性费用，约合人民币2.05亿元，毕竟此前的设计都白费了，需要针对FinFET工艺重新来一遍。 AMD没有透露用了谁的FinFET，台积电16nm抑或是GF(三星) 14nm，从此前的迹象看后者可能性更大，甚至包括下一代GPU。当然从产能、良品率、风险等各方面考虑，应该是两家按照不同比例分担。

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  • 赛普拉斯向芯成半导体提交修改后的最终合并协议

    赛普拉斯半导体公司今天宣布向芯成半导体公司董事会递交如下信函： 我谨代表赛普拉斯半导体公司(“赛普拉斯”)，随信附上《芯成半导体公司(“ISSI”)与赛普拉斯关于合并的协议及计划》修改稿(“最终合并协议修改稿”)，作为对你们于2015年6月12日备案的名为“关于Uphill 投资公司合并提案的股东特别会议”的陈述(“陈述”)之完整反馈。 在该陈述中，你们表达了针对赛普拉斯2015年6月9日发给ISSI的最终合并协议(“赛普拉斯原提议”)的若干顾虑，基于此，你们建议ISSI股东批准Uphill投资公司的合并协议及计划修正案(“Uphill协议”)。我们相信随本信发给你们的最终合并协议修改稿可以消除你们所有的顾虑，具体如下： 报价 我们修改后的报价为每股21.25美元，明显优于Uphill的报价。此外，我们还引入了“计时费”(如最终合并协议修改稿中所完整描述的)，即：与赛普拉斯的交易获得管理机构批准的时间每延长一个季度，则每股报价增加0.10美元。这一“计时费”将自2015年10月1日(你们预期的Uphill交易结束日期后的那天)起按日计算，由赛普拉斯在交易结束后支付给ISSI股东。Uphill协议中没有此类“计时费”。 反向终止费 Uphill协议允许ISSI在Uphill未能获得用于完成其提议的交易所需的债务融资的某些特定情况下收取反向终止费，而赛普拉斯原提议中并未提供此类反向终止费。尽管赛普拉斯原提议中无论如何也没有财务风险，你们仍然指出该协议没有反向终止费条款。虽然我们认为此类反向终止费在我们有全面财务支持的交易中毫无必要，我们还是在最终合并协议修改稿中纳入了这一反向终止费。 交易时间安排 你们在陈述中认为Uphill协议“预计于2015年第三季度完成(具体时间因CFIUS和台湾当局的批准而定)”，而赛普拉斯原提议“预计于合并协议签署后6至9个月完成”。因此，你们提出“赛普拉斯提案的实际价值低于其声称的价格。”就赛普拉斯原提议与Uphill协议在时间安排方面的对比，我们非常不认同你们的观点。赛普拉斯能够及时获得管理当局的审批，而Uphill协议并无时间上的优势，对此我们非常有信心。虽然如此，最终合并协议修改稿中已经包含了如上所述的“计时费”。因需要获得管理当局批准与赛普拉斯的交易所需的额外时间而造成的经济上的影响，可由这一“计时费”来弥补。尽管我们认为这是不必要的，但仍可之视为我们对快速完成交易的承诺。 最终合并协议修改稿中每股21.25美元的修正报价、每股每季度0.10美元的计时费以及其他额外的让步，已经明确解决了Uphill协议涉及的问题和顾虑。与Uphill协议相比，赛普拉斯的提案无论在价格上还是条款上都是很出众的。因此，我们相信你们应能即刻认识到我们的提案即是出色的提案(如Uphill协议所定义的)，并按照Uphill协议中的相关条款，迅速执行最终合并协议修改稿。赛普拉斯希望机构股东服务顾问公司(ISS)撤回其推荐ISSI股东为Uphill协议投赞成票的建议。 最终合并协议修改稿已由赛普拉斯董事会批准，赛普拉斯已准备好，一旦你们中止Uphill协议，我们就愿意并有能力执行最终合并协议修改稿。即使有任何相反规定，本信的内容也不构成赛普拉斯推进或完成交易的有约束力的义务。赛普拉斯和ISSI之间的任何交易均有赖于ISSI和赛普拉斯对最终合并协议修改稿和其他相关协议的执行。 如同我们一贯的做法，我们同时将此信公之于众。我们相信，有关我们尽快执行此最终合并协议修改稿的承诺的完整信息能被ISSI及其股东所知晓，这样符合他们的最佳利益。最终合并协议修改稿将于6月18日通过SEC的8-K表格备案。 我们继续期待与你们密切协作，以顺利完成此项交易。 谨启， T.J. Rodgers 总裁兼首席执行官

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  • Intel 167亿美元收购Altera 大手笔收购图什么！

    “通过这项收购交易，我们将运用摩尔定律让下一代解决方案更优秀，更强大。”   英特尔和Altera之间的静默期结束了，两家公司最终签订了正式收购协议。两家公司合并后，英特尔将通过改善集成设备制造部门的设计和制造能力来增强Altera的产品。 根据双方达成的协议条款规定，英特尔将以每股54美元的价格现金收购Altera。换句话说，这项交易的总价格约为167亿美元。这项交易方案已经获得英特尔和Altera两家公司董事会的批准。 英特尔早在2月份时就开始采取行动了，据说它当时提出的报价为每股58美元。随后两家公司签订了一份保密协议，当时英特尔审核了Altera未公开的信息，然后将报价修改为每股54美元。 前不久，Avago Technologies宣布了收购博通的消息，这似乎点燃了半导体行业的并购兴趣和猜测热情。这项收购交易的价格高达370亿美元，是科技行业最大规模的并购交易之一。 在静默期结束之前，Altera公司股东在5月初受TIG Advisors鼓励对公司董事迈克尔·内维斯(T. Michael Nevens)投了反对票。TIG Advisors还说，Altera董事会也许可以用将要作出的生产厂决策来抵御英特尔的收购。它甚至还说董事会辜负了广大股东，剥夺了股东们从这项收购交易中获利的机会。现在看来，TIG的目的是达到了。 英特尔首席执行官布莱恩·科再奇(Brian Krzanich)在谈到这项收购交易时说：“通过这项收购交易，我们将运用摩尔定律让下一代解决方案更优秀，更强大。不管大型云数据中心或物联网能否实现网络领域的新增长，我们的客户希望能以更低的成本实现更高的性能。这是摩尔定律的承诺，也是英特尔和Altera联手之后的创新目标。我们期待着与 Altera的天才团队合作，为我们的客户和股东提供更多的价值。” 周一早盘，英特尔股票下跌了1%左右，跌至34.11美元。分析师们给予该股的目标价平均值为34.86美元。Altera股票大涨6%至51.84美元，分析师们给予该股的目标价平均值为39.36美元，它在过去一年的运行区间为30.47美元至50.10美元。

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  • 英特尔与Altera并购谈判重启

    《纽约邮报》今日援引知情人士的消息称，英特尔与可编程逻辑芯片巨头Altera已重启并购谈判，最终的交易规模可能达到130亿美元。 据预计，此次谈判有望在未来数周内公布结果。该知情人士称：“如果双方很快达成一致也不足为奇。” 今年3月份曾有消息称，英特尔正在讨论收购Altera，交易规模很可能超过100亿美元，从而成为英特尔历史上最大的一笔并购交易。 但CNBC 4月份援引知情人士的消息称，英特尔与Altera之间的并购谈判已经破裂，原因是双方未能在价格上达成一致。 Altera开发的可编程逻辑芯片被广泛用于电信设备、军用设备，以及其他行业应用中，这也正是能够吸引英特尔的原因所在。最近几年，可编程逻辑芯片在数据中心的应用越来越广泛。 周一盘前交易中，Altera股价上涨7%至47.50美元，英特尔股价小幅上扬至33.15美元。

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  • 单层二维材料可批量制造超薄晶体管

    大面积半导体薄膜的生长为柔性电子器件的生产开辟了一条新路，材料科学家们已经找出一种方法，可以在直径10厘米的硅片上生长出高质量的单层二维半导体，同时还能保持小样品中所具有的出色电学性质。   一种叫做二硫化钼的二维新材料可以在硅衬底上长出单层薄膜，为柔性电子器件的生产开辟了条新路。 用仅有几个原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的电路，一直是研究人员的梦想。然而，把这类二维薄膜生长到需要的规模，并生产出成批可靠的电子设备一直是个难题。 现在，材料科学家们已经找出一种方法，可以在直径10厘米的硅片上生长出高质量的单层二维半导体，同时还能保持小样品中所具有的出色电学性质。他们已经用这种薄膜做出了几百个晶体管，经测试其中99%都有效。 “许多人都在努力长出这么大尺寸的单层材料，我也是其中之一，”都柏林圣三一学院的材料科学家Georg Duesberg说，“但他们好像真的做到了。” 科学家们正在试图生长的半导体材料是过渡金属二硫族化物(transition-metal dichalcogenides，简称TMD)。单层TMD有三层原子厚：包含一层过渡金属(如钼或钨)原子，夹在上下两层硫族元素(如硫、硒和碲)原子中间。 和它的碳基“表亲”石墨烯一样，TMD强度大、超薄、柔韧性好，并且能导电。然而与石墨烯不同的是，它们也是半导体——这意味着我们可以轻易地开关调节它们的导电性。TMD暂时还不能代替最著名的半导体——硅，毕竟硅的制造工艺已经经过数十年的打磨，变得十分成熟了。然而，它们可以形成厚度仅相当于如今硅片的千分之一的薄膜，这在柔性晶体管、显示器和光探测器上有着广阔的应用前景。 更大的薄层 TMD的薄层可以从多层晶体中剥离出来，就像石墨烯可以用胶带从石墨中粘出来一样。然而剥离的过程十分耗时耗力，得出的样品也大小厚薄不一。另外一种方法则悄悄兴起：把含有目标原子的气体通到衬底上方，将目标原子一个个沉积下来，生长出想要的材料。但此前为止，这种方法也只能生长出小面积的样品，而且往往还不止一层。 来自康奈尔大学的Jiwoong Park及其同事于4月29日在Nature发表文章，称他们已经用这种方法生长出大片单层的TMD。经过550 °C高温条件下超过26小时的实验，他们在直径10厘米的圆形硅晶片上生长出了两种TMD：二硫化钼和二硫化钨，还能以二氧化硅薄层相隔的多层TMD材料，这可能会促进垂直结构小型、高密度三维电路的产生。 哈佛大学的凝聚态实验物理学家Philip Kim说，能生长出只有三层原子厚度、长度超过厚度1亿倍的单层半导体材料，是“工程学上的奇迹”。 Park表示，这类单层材料不仅很均匀，而且其电学性质堪比从晶体剥离下来的薄层。而达成这一效果的秘诀，就是使用每个分子只含有一个过渡金属原子或一个硫族元素原子的气体，通过改变气体的压强，就可以控制每种成分的浓度，从而精细地调控薄膜的生长。 美国莱斯大学的材料科学家Pulickel Ajayan认为，这一技术是一项激动人心的飞跃，但要想制造出真正代表二维材料未来的商业器件，研究人员还需开发出在其他衬底、包括柔性衬底上生长薄膜的方法。 Duesberg则认为，生长大面积薄膜这一工作最重要的意义是它让研究者们意识到TMD在电子学上将有更实际的应用。TMD的优良之处不仅仅在于它们既薄又柔韧，也在于他们有着另外一些独特的性质，可能会在自旋电子学、谷电子学等方面有着其他的实验应用。 “许多人都相信TMD单层材料会给电子学带来一场革命，但直到现在人们还只停留在制造单个器件、观察奇特现象的阶段。”Duesberg说。

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  • 世界最薄晶体管来袭

    “世界最薄电子产品”的有力竞争者来了，因为它竟然只有3个原子厚。根据出版的《自然》杂志上的一篇论文所述，研究人员们已经发现了一种制作超薄晶体管的新工艺。该装置使用了被称为“过渡金属硫属化合物”的新材料(全称为transition metal dichalcogenide)，其特点是相当之薄。通常情况下，其薄膜只有几个原子那么厚，但性能却足以用于制造太阳能电池、光感器、或者半导体。   对于物理学家和制造商们来说，其前景相当令人期待。但要让这种材料能够一致性地工作，仍然极度困难。好消息是，今天面世的这篇论文，已经给出了迄今为止最佳的解决方案。 首席作者之一的Saien Xie表示：“我们的工作，已经将TMDs推动到了与技术相关的规模，并且基本上扫清了商业化的障碍”。 现代芯片制造已经在硅材料性能和密度上遇到了瓶颈，以至于很多人担心摩尔定律会就此被终结。如果电子电路要做到更小更快，那就必须找到超薄的替代材料。   晶圆级单层薄膜TMD 说到这种超薄的过渡金属硫属化合物(TMDs)，不少人肯定会联想到另一种经常见诸报端的材料——没错，它就是石墨烯(Graphene)。 尽管目前讨论TMDs和石墨烯谁更适用还为时尚早，但这至少为未来的发展指明了一个方向。   连续单层二硫化钼薄膜的金属化学气相沉积制备法 TMDs的制备用到了两种商业化的前体化合物——即乙硫醚(diethylsulfide)和一种六羰基金属化合物(metal hexacarbonyl compound)——混合硅晶片后，在氢气中用550℃的温度烘烤26个小时。 这样，我们就制作出了拥有良好的电子迁移率的200个超薄晶体管，但其中只有2个是不合格的。换言之，这项研究的制备成功率竟然达到了99%! 当然，目前研究人员们最关心的，还是其能否在大规模制造过程中，生产出“始终如一”的超薄晶体管，这些问题仍有待于在未来进一步细化。

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  • 英飞凌收购在韩合资企业全部已发行股份 进一步加强在家电市场的地位

    英飞凌科技股份公司今天宣布收购LS Power Semitech Co., Ltd.所有已发行股份，这是一家英飞凌和韩国LS工业系统公司于2009年成立的合资公司。此次战略收购将扩大英飞凌在不断增长的智能功率模块(IPM)市场领域的业务足迹，IPM可使冰箱、冰柜、洗衣机、干衣机和空调等家用电器的能效更高。 “功率半导体器件是我们致力于迎接全球能效挑战的基石。在这个行业，功能性整合是一个关键趋势。随着我们在IPM领域投入力度的加大，我们将全面投身这个快速成长并富有吸引力的市场。而我们在这些市场的客户对我们由产品思路转向系统思维的战略方式表示肯定。”英飞凌工业功率控制事业部总裁Helmut Gassel博士表示。 家用电器以及小功率工业传动设备能效提升的全球性趋势导致了IPM产品领域的增长。根据应用的不同，使用IPM的变频电机消耗的能量仅有简单通断控制电机的一半左右。在冰箱这样的家电中，使用一台或多台变频电机获得的能效提升能降低外壳绝缘要求，这可改善设计灵活性并降低材料成本。 IPM产品在紧凑、可靠的单一封装内整合了功率半导体(此种情况下是IGBT)和集成电路(IC)组件。IHS Technology的研究人员估计，在2013年到2018年期间，IPM产品全球市场的复合年均增长率接近10%，同期消费领域的年均复合增长率预计达到15.5%。在未来几年，家电有望成为该领域的增长推动器。 在美国，能效提升趋势得到了美国能源部新标准的进一步推动，该标准旨在将冰箱和冰柜的能耗降低至少10%。在韩国，领先制造商已经开始生产带IPM控制的变频电机的产品。这些产品中的大部分出口到国际市场。欧洲的能效提升则是受到要求在所有成员国的家电产品上贴上能耗标识的欧盟法规的推动。 英飞凌之前收购了国际整流器公司，带来了与IPM有高度互补性的产品组合，而收购LS Power Semitech 的全部已发行股份使英飞凌能够向全球客户提供更多的经过优化的独特系统解决方案。 LS Power Semitech成立于2009年，是韩国一家IPM供应商，英飞凌最初在其中持有46%的股份。2014年6月，英飞凌将其持股比例提升到66%。总部和研发部门位于首尔，生产工厂位于天安，LS Power Semitech 致力于服务广大的韩国、中国乃至全球的家电市场，并携手所有主要家电品牌。

    半导体 英飞凌 家用电器

  • 安森美半导体着力汽车重点应用领域 持续开拓中国市场

    全球汽车市场发展整体向好，汽车中的半导体含量将持续增长，尤其是动力系统、照明、主动安全和车身应用领域。新能源汽车推动汽车动力系统中半导体成分增高约5倍。燃油经济性、先进驾驶辅助系统(ADAS)、便利及信息娱乐系统，以及占全球汽车销售比例50%以上的新兴市场，推动全球汽车半导体市场同比增长7%。 安森美半导体宽广阵容的汽车电子方案 作为全球领先的十大高能效汽车硅方案供应商之一，安森美半导体提供一系列宽广阵容的产品及方案用于汽车应用，从分立元件到标准产品，再到专用标准产品(ASSP)、专用集成电路(ASIC)、系统基础芯片(SBC)，至系统级芯片(SOC);从电源模块到图像传感器，乃至更高集成度的模块级专业技术及方案。 安森美半导体用于汽车应用的4大产品系列包括： 1.标准元器件：包括TVS/保护、整流器、齐纳元件、逻辑、晶体管、比较器、运算放大器、Mini Gates、EEPROM等; 2.模拟产品：包括驱动器、线性稳压器、开关电源(SMPS)、电源管理单元(PMU)、音频IC、收发器、ASIC、ASSP等; 3.功率器件：包括点火IGBT、电机控制IGBT、功率集成模块(PIM)、MOSFET、SmartFET、晶体管、电机驱动器、智能功率模块(IPM)等; 4.图像传感器：涵盖全局快门、卷帘快门、高速、高动态范围(HDR)、微光/近红外(NIR)等先进技术及SOC传感器/处理器等。 因应汽车市场的发展势头，安森美半导体积极扩大汽车业务，按终端市场收入划分，公司2014年汽车业务收入9.64亿美元，占公司全球总收入比例由2008年的16%增加至30.5%，增长态势十分强劲。2014年8月15日，安森美半导体完成收购Aptina Imaging，大幅扩充了其在汽车市场的图像传感器业务。如今，安森美半导体在汽车图像传感器领域、启/停交流发电机领域以及汽车自适应前大灯 (AFS)领域均是全球第一。 安森美半导体汽车重点市场策略 近年来车市销量排名第一位的中国，2014年汽车销量同比增长8.7%至2,400万辆，预计2015年销量将达到2,600万辆。汽车中电子成分不断升高，用于提升燃油经济性、主动安全及舒适，带动半导体增长。 预计中国汽车半导体市场同比增长将达15%，高于全球预计同比增长的一倍，行人及车辆事故录像机和LED照明将继续保持在中国市场的强劲增长。 中国的汽车市场一直是安森美半导体的战略重点所在。2014年安森美半导体的中国区汽车细分市场业务收入占汽车总收入的12%，未来将继续加大在中国市场的投入。 动力系统、照明、主动安全、车身及内部是安森美半导体配合汽车市场发展趋势的4大重点应用领域。此外，安森美半导体还提供电源和车载网络(LIN/CAN、FlexRay及以太网)一系列产品和方案，可贯穿用于各类汽车应用。 动力系统 动力系统旨在通过发动机控制、变速箱控制、点火系统、油门控制、启/停系统、电机控制、电动汽车(EV)/混合电动汽车(HEV)/插电式混合电动汽车(PHEV)以及48 V系统等相关产品及方案提高燃油经济性，减少废气排放。 预计2015年中国汽车动力系统半导体总市场规模将达到10亿美元，年复合增长率达 13.4%，且未来几年将有高增长。面对日趋严苛的节能减排法规，安森美半导体提供相应的电源方案用于启停系统以满足常规汽油车对燃油经济性及减排的要求。随着汽车限购城市范围的陆续扩大，新能源汽车作为新型环保车受到市场的青睐并有望提速发展。安森美半导体将提供广泛的无刷直流(BLDC)电机驱动器支持汽车电气化，并将于2015年推出用于HEV电源模块的高压牵引IGBT来应对电机控制的需求。   照明系统 照明系统是汽车设计中关键的差异化因素，通过LED内外部照明(包括尾灯、氛围灯等)、高压气体放电灯(HID)、前照灯(包括远光灯、近光灯、LED转向灯、LED雾灯和高速路面LED灯)、AFS及电机控制等，令汽车整车厂商改进节能、提升能见度安全优势和打造独特的车辆氛围。 2015年中国汽车照明半导体总市场规模将达到5亿美元，年复合增长率高达15.2%，且未来几年将有高增长。汽车照明一直是安森美半导体的优势所在。安森美半导体提供一系列LED驱动器及步进电机驱动器用于此类应用，进一步提升安全水平，提供照明单元，具高工作温度和可编程性。   主动安全系统 2015年中国汽车主动安全系统半导体总市场规模将达2亿美元，年复合增长率高达22%，且未来几年将有高增长。主动安全方面的产品及方案涵盖ADAS、摄像头、泊车辅助/自动泊车、动力制动、悬挂控制等应用。ADAS基于超声波传感器及CMOS 成像(非雷达)技术，降低驾驶操作的复杂性，同时减少和避免事故的发生，提升安全系数。安森美半导体在超声波泊车辅助及CMOS图像传感器应用领域已领先。   未来每辆搭载ADAS系统的车辆将多达10-12台摄像机，而图像传感器是这一应用的关键元件，加上欧美关于ADAS的法规，令图像传感器的应用具广阔的市场前景。安森美半导体藉着在汽车图像传感器领域全球第一的地位，正专注于ADAS应用，包括前向处理ADAS，如前向碰撞警报(FCW)、尾部碰撞警报(RCW)、车道偏离警报(LDW)、自动远光灯控制(AHB)、交通标志识别(TSR)、运动目标检测(MOD)、行人检测(PD)、自适应巡航控制(ACC)、盲点检测(BSD)、夜视(NV)等;车舱内ADAS，如乘客监控(PM)、疲劳驾驶员(DD)、驾驶员视频记录仪(DVR)、手势识别等;以及涵盖后视、尾侧、前视、全景、车镜取代(MR)等和行人/车辆记录仪(PVR)、泊车辅助 (PA)的视角方案。   安森美半导体提供的图像传感器具以下先进特性： -HDR，令曝光更均匀，以获得更清晰的图像，就算从室内停车场驾驶出外，也可清楚看到室外视象，增加驾驶员和行人的安全 -鱼眼矫正(DEWARP)，将画面周边的畸变部分拉直，令高型车的驾驶员可看到车后的小孩 -空间转变(STE)，通过图像传感处理器ISP实现图像的延伸、左/右视、缩放乃至更复杂的叠加   特别地，安森美半导体提供全面的用于汽车后视摄像的方案，涵盖2MHz SMPS如NCV890201MWTXG和NCV898031D1R2G、低压降稳压器(LDO)如NCV8703和NCV8705、开关MOSFET如 NVTFS5116PL(u8FL)和BVSS84L(SOT23)、数字晶体管如SDTC1xxEE、CAN收发器如NCV7356和NCV7341、图像处理器如AP0100AT、HDR图像传感器如AR0132AT和AR0140AT、视频信号处理器如LC749000、EEPROM如 CAV25256(SPI)和CAV24C256(I2C)、逻辑产品如NL17SZxx及ESD等等。 车身及内部 车身及内部包括车身计算机及网关、汽车空调(HVAC)、车门、车镜、智能接线盒、仪表盘、信息娱乐系统、连接、有源天线等系列的IC产品和方案。 预计2015年中国汽车车身半导体总市场规模将达到15亿美元，年复合增长率达11%之多，且在未来几年将有高增长。安森美半导体提供具竞争优势的SmartFET、步进电机驱动器、低压降电源等一系列产品及方案用于此类应用，以满足客户对汽车舒适性及便利性的各种要求。   结语 未来几年，汽车半导体含量将持续高速增长，尤以中国汽车半导体市场为最——在动力系统、照明、主动安全及车身四大领域的年复合增长率均超过10%。在多个汽车应用市场居全球领先地位的安森美半导体将以这四大领域为发展重点，以先进的LED照明 IC、BLDC电机驱动器、电源模块、车载网络、LDO、SMPS、PMU、图像传感器、超声波传感器、点火系统、电磁驱动器、MOSFET及IGBT等为关键增长动力，持续投资中国市场，配上设在中国的汽车解决方案工程中心(SEC)的本地应用工程师及现场应用工程师，将不断因应市场需求，帮助客户解决他们的独特设计挑战。

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  • 联发科十核处理器参数曝光，采用20nm工艺

    联发科准备做首款十核处理器的消息引起了业界的一番热议，这款跑分超7万的处理器有望在今年年底发布。日前，有媒体曝光了联发科旗舰级十核处理器Helio X20(MT6797)的参数。 据悉，Helio X2采用了20nm工艺制造，选用三集群big.LITTLE架构，芯片内部集成2颗2.3-2.5GHz Cortex-A72核心、4颗 2GHz Cortex-A53核心，以及另外4颗1.4GHz Cortex-A53核心，图形处理器为700MHz的arm Mali- T880 MP4。 相比于传统的双集群big.LITTLE架构，三集群设计进一步细化了各个核心的处理任务，Cortex-A72负责超高负荷运算，高频Cortex-A53核心用来处理重度任务，低频Cortex-A53核心的存在则有助于降低整体功耗。 此外，Helio X20还将支持最高2560×1600屏幕分辨率、4K解码、最高4K 30fps视频录制、慢动作视频、相位对焦以及最高2500万像素摄像头，该处理器还加入了Native3D 2.0，可帮助用户获得立体的三维图像。 不过，Helio X20仅支持双通道LPDDR3 933MHz内存以及Category 6 lte网络，与高通骁龙810的双通道LPDDR4 1600MHz内存与Category 9 LTE网络相比差了不少。

    半导体 联发科 十核处理器

  • 三星处理器再进化 传Note 5要用

     三星电子(Samsung Electronics)自制处理器的功力再升级!外传三星次世代旗舰机「Galaxy Note 5」将搭载全新的「Exynos 7422」处理器，新品采用该公司独家封装技术，可把CPU、图形处理器、RAM、LTE等全部封装在同一块晶片上，能大幅节省智慧机空间。 phoneArena引述Sammobile 7日报导，据称该公司正在测试Note 5搭载的Exynos 7422处理器。新品可能采用三星研发的ePoP(embedded package on package)封装技术，首次把CPU、图形处理器、RAM、内建记忆体、三星自制LTE modem封装在同一晶片。 三星2月3日宣称量产业界首见的ePoP技术，新晶片组适用于旗舰型智慧机，体型极薄，可直接堆叠在行动处理器上，大幅节省空间。新闻稿称，ePoP晶片组和传统PoP相比，可省下40%空间，能容纳更大的电池零件等。 与此同时，先前谣传Note 5将采4K面板，不过最新内部消息称，三星还没做出最后决定。4K面板是工程样机，正与2K面板共同测试，三星尚未决定使用2K或4K面板。phoneArena认为，三星最终会选用2K面板，因为若要搭载4K面板，必须先确保有足够良率。 此外，据了解另一款次世代旗舰机「Note 5 Edge」将和LG G4一样，配备高通Snapdragon 808六核处理器。三星弃用自家晶片，回头找上高通，令人颇感意外，可信度仍有待确认。据悉Note 5 Edge将有1,600万画素的主相机、800万画素自拍相机，并配备触控笔。 日本总合情报网站「Gadget速报」及日本网站「Gadget通信」4月10日、11日报导，「Galaxy Note 5」预计将在2015年9月举行的「IFA 2015」上正式亮相，且Note 5将和Galaxy S6系列机种一样有两种版本，分别为一般款版本和采用双侧边曲面萤幕的Edge款版本，且Note 5将搭载4K等级(3,840 × 2,160)UHD Super AMOLED面板，三星并计划于今年8月开始量产该4K AMOLED面板。

    半导体 三星 处理器

  • 昔日图像传感器巨头豪威科技被中国财团收购

    全球著名的摄像头芯片生产厂商豪威科技已经同意被中国财团以约19亿美元的现金价格收购。其中收购OV的有三家中国公司，包括华创投资、中信资本和金石投资。这三家公司将为这笔交易支付每股29.75美元的收购费，预计交易将在2016财务年度第三或第四季度完成。   OV之所以同意被收购，主要是受其业绩下滑影响。据其最新一季季报(2014年11月到2015年1月份)显示：销售额为2.923亿美元，环比上季度的3.94亿美元下降25.8%，同比去年的3.52亿美元下降17.0%;本季度净利润为$14M，环比上季度的$28M元下降50.0%，同比去年的$30.6M下降54.2%。可以说，OV的销售额和利润都已经进入快速下降期。 那么，这家曾经苹果公司的供应商，美国昔日Sensor巨头，为何会日益式微? 当然，失去苹果的订单对OV的业绩肯定带来了巨大了打击，不过这只是一方面。而最主要的原因在于OV在高、低端市场均受到竞争对手的蚕食。去年，OV曾推出从高像素和低像素全面出击的策略，但经过一年时间的考验，该策略并没有让其业绩有所好转，反而被竞争对手去了市场份额。 高端市场，遭到索尼、三星排挤 在2011年之前，OV无疑是图像Sensor市场的老大，但随后几年逐渐被索尼和三星超越。据市调机构Yole Developpement统计，索尼去年在CMOS市场抢取豪夺，共拿下27%的市占率，继续傲视群雄。三星也当仁不让，奋力抢下19%的份额，排名超越了OV成为第二，而OV已经屈居第三。 早在2010年，索尼的图像Sensor业务还默默无闻，市场份额仅为7%排行老六。但随后几年，索尼手机、电视等消费电子业务下滑后，把图像Sensor作为其重振集团的主要业务，开始有了跨越式的发展。2012年增长非常迅猛，份额达到了21.4%。而在2013年，索尼在中国市场大获成功，其中13M约有70%的占有率，8M也有约3成的份额。而从去年下半年来，索尼的Sensor甚至出现了供不应求的局面，包括IMX214、IMX135、IMX179、IMX219等开始缺货，特别是13M的高端芯片IMX214更是一芯难求。从这些来看，索尼无疑已经坐稳了第一把交椅。 而三星的狼子野心同样不小，特别是其在手机业务下滑后，三星也开始着力发展供应链相关业务，包括芯片、屏幕、摄像头等。其中在图像Sensor上也是奋起直追，从2011年开始，三星和OV两家份额不相上下，处于胶着状态，而到了2013年，三星以0.7%微弱优势首次领先OV。据了解，三星去年在中国市场的也取得了不错的成绩，与前年相比有40%的增长，全年CIS销售超过330M 美元。特别一些带ISOCELL及PDAF功能等的产品，打进了市场需求相对紧张和供应空缺的13M市场，均有不少国内手机品牌厂商采用。 低端市场，遭中韩厂商蚕食 OV在高端市场遭到了索尼和三星排挤，而在低端市场特别是在5M以下市场，也被Hynix、格科微、思比科、奇景等中韩厂商的蚕食。 Hynix是在2007年进入该领域，当时与CMOS图像传感器开发商SiliconFile Technologies公司达成合作伙伴协议，利用SiliconFile的设计制造和销售CMOS图像传感器产品。2013年开始进入中国市场，并推出背面照式的8M的CIS新产品与13M产品，与华为、中兴等国产实力厂商取得了合作。整体来看，这家韩企的产能和规划都还是蛮大的，特别是其有一些淘汰下来的内存的8寸晶圆生产线做后盾，有点财大气粗的味道。据闻其去年国内销售额在8000万美金。 格科微无疑是国产图像传感器制造商的佼佼者，在低像素领域的市占率相当不错，据说号称每月出货量在100KK以上，目前市场占有率在3%左右。 思比科和奇景这两家厂商，目前主要发力低端市场，也属于跟着跑。业界有传闻思比科正谋求在创业板上市，希望通过资本市场带来新的改变。 OV曾凭借其高性价比的产品，受到中国厂商的青睐。不过，随着索尼、三星在高端市场的发力，Hynix、格科微等在低端的蚕食，其优势地位被逐渐式微，这也是其走向衰落的主要原因。 而从这次收购案来看，如果收购成功，对中国半导体技术积累，对上下游产业链均有促进作用。不过，半导体芯片属于比较敏感的高技术产品，即便OV已经同意被收购，但美国监管层面可能会从中阻拦，该交易可能会面临更加严格的审查。

    半导体 图像传感器 豪威科技

  • 半导体设备业合并大案终止不改整合大势

    引起全球半导体产业关注的“世纪大合并”——排名第一的半导体设备厂商美国应用材料（AppliedMaterials）和排名第三的日本东电电子（TokyoElectron）合并案，在最后关头意外生变，由于美国司法部对两家公司的合并提出异议，合并案就此终止。 4月26日，两家公司均在公司网站上发布公告，宣布双方已经同意终止商业合并协议。应用材料公司总裁兼首席执行官盖瑞·狄克森表示：“我们视合并为加速公司市场战略的重要机遇，并且努力地去实现它。尽管我们对于未能达成交易感到失望，不过我们现有的增长策略依然令人振奋。我们已经全力推动策略不断前行，并且已经朝着我们的目标取得了重大进展。”东电电子也发布新闻稿称，在4月27日的董事会上，东电电子决定终止与应用材料公司的业务合并协议。2013年9月24日全球半导体制造设备企业中排名第一的美国应用材料公司与排名第三的日本东电电子公司宣布达成经营合并协议。 中国电子专用设备工业协会副秘书长金存忠认为，无论是应用材料还是东电电子均为行业巨头，双方的销售额合计高达140亿美元，全球市场份额超过25%，部分前道生产设备市占率超过50%，比如刻蚀机等。两者的合并过于敏感，有可能对行业内的公平竞争形成不利影响。合并案的终止，使产业仍将维持原有的产业竞争格局。而根据应用材料公司新闻稿披露的资料，也部分印证了这个看法，“针对合并案两家公司协商后向各国相关监管机构所提出的救济方案，并不足以弥补合并后可能带来的竞争损失。” 但是，从行业发展趋势上看，半导体业的并购整合是大势所趋，无论是IC设计、晶圆制造，还是设备制造业，都在走向整合。这是因为半导体是一个周期性非常强的行业，这种行业景气度的周期性冷暖交替，对产业链上各家公司都构成了巨大的财务压力。当下行周期到来时，所有设备公司都要设法熬过“难过的冬季”，与此同时还要不间断地进行新产品开发。只有这样才能在下一个上行周期到来时跟上产业的发展节奏，不被淘汰。在此过程中，大公司的体质更为健全、实力相对雄厚，也就更加容易撑过不景气的“冬季”，特别是在国际半导体设备行业，多年来已经形成高度集中的局面。因此，未来中国半导体企业（包括设备企业）仍将持续面对国际大企业的强势竞争。 近年来，国内半导体设备行业技术水平得到较大提升。8英寸集成电路制造的主要关键设备已具备供货能力。目前刻蚀机、离子注入机、薄膜生长设备、氧化炉、LPCVD、退火炉、清洗机、单晶生长设备、CMP设备、封装设备等已基本形成国内配套能力，技术水平基本可以满足用户要求。在12英寸28纳米技术代的前道主要关键设备研发上也取得了很大进步，部分设备进入大生产线验证，取得较好效果，12英寸45纳米部分关键设备完成大生产线验证，陆续实现国内外销售。刻蚀机、PVD、离子注入机、氧化炉、铜互连清洗机、LPCVD、PECVD、光学检测设备等一批关键设备已完成45纳米工艺验证，主要技术指标达到了国际主流产品水平，刻蚀机产品实现海内外销售70余台。部分28纳米前道关键设备己完成客户小批量测试。 尽管取得一定进步，但是设备领域一直是中国IC的传统弱项。过去10年中，中国企业在设备领域也有所布局，包括刻蚀机、清洗设备、扩散炉以及光刻机等。可是主要的问题仍是规模小，研发实力弱。初步估算，中国的很多产品与先进水平相差两代左右。 尽管此次应材与东电的合并案终止是因为过高的集中度，但是做强中国半导体设备业，企业间的整合并购仍将是重要手段。国际上半导体装备企业越来越趋于垄断，企业间的兼并经常发生。纵观国内半导体装备企业，近几年虽然发展很快，但与国际企业相比普遍规模较小，自我生存能力较弱，融资渠道不畅，在主流市场上与国外同行竞争仍面临着许多困难，加之半导体设备前期投资大，回收期长，企业单打独斗将难以为继。 因此，国内企业间只有加强合作与整合、资源共享，提高资产使用效率，才能与国外竞争对手抗衡  

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