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  • 尼泊尔18岁少年用头发制成太阳能电池板

    尼泊尔一名18岁少年利用头发制成了一块太阳能电池板，这可能将为人们带来最便宜和最环保的电。   这位名叫米兰-卡基(Milan Karki)的少年来自尼泊尔一个村庄，目前他在尼泊尔首都加德满都上学。他称自己找到了解决世界能源紧缺的方法。他介绍，头发可用来做太阳能电池板上的导体，这将为可再生能源带来一场革命。   他还说，硅材料是目前太阳能电池的主导材料，头发代替硅后，成本就大大下降。米兰说，他准备先在自己的家乡推广这项技术，然后把它介绍到全世界。   米兰和他的同学起初只是做实验，但是成功后他们觉得这有很广泛的适用性和很大的商业价值。  

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  • 杜邦公司将投资1.2亿美元扩产Tedlar®光伏组件材料

    作为全球领先的太阳能光伏产业材料供应商，杜邦公司近日公布了其高性能材料杜邦™Tedlar®聚氟乙烯（PVF）产能分阶段扩张的具体计划。现阶段投资规模超过1.2亿美元，可使用于Tedlar®薄膜生产的单体和树脂产能增加百分之五十以上。Tedlar®薄膜是光伏组件背板的关键组成部分，保证光伏组件在全天候条件下的耐用性。   现阶段Tedlar®产能扩张的选址工作已经完成，并已在杜邦公司位于美国肯塔基州路易斯维尔和北卡罗来纳州费耶特维尔的工厂分别新建生产单体和树脂生产设施。新生产设施计划在2010年中投产。   杜邦公司电子与通讯技术集团副总裁David B. Miller先生说：“这项投资是为了支持全球市场大幅增长的对清洁和可再生能源的需求。我们扩张产能的举措是发展Tedlar®业务并保持公司在太阳能电池封装用背板市场中的领导地位的关键步骤。我们的客户在可再生能源发电领域的投资需要能提供长期、可靠电力供应的太阳能电池。”   上述投资体现了杜邦公司在上周所公开做出的承诺，即：关注并支持四大全球发展趋势及相关市场需求，其中之一是减少对化石燃料的依赖。   杜邦公司认为，光伏市场将在未来几年中快速发展，从而带动对能提高太阳能电池和组件寿命及效率的Tedlar®和其它新材料的需求。杜邦公司预计，到2012年，其服务光伏产业的系列产品的销售额将超过10亿美元。   杜邦公司已在2009年实施了Tedlar® PV2100系列薄膜扩能计划，并正进行Tedlar® PV2000系列薄膜生产扩张的工程与设计工作。这两项计划将使Tedlar®薄膜的产能成倍增加。   在过去的25年中，杜邦™Tedlar®聚氟乙烯薄膜已经成为光伏太阳能电池封装用背板的关键组件。由于其良好的强度、耐候性、抗紫外线和水份阻隔性能，Tedlar®已成为行业标准。Tedlar®赋予太阳能组件持久的性能表现，为市场提供长期的可持续的能源供应。因其耐久性和耐候性，Tedlar®系列薄膜也被应用于航空航天、建筑和影像技术领域。杜邦公司通过其位于北卡罗来纳州费耶特维尔市、肯塔基州路易斯维尔市、纽约州水牛城、新泽西州帕林市、爱荷华州麦迪逊堡和宾夕法尼亚州托旺达市的工厂生产Tedlar®系列薄膜产品。  

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  • 半导体界“六大天王”风云录

    SEMI预测，2010年全球晶圆厂成长幅度将达64%，规模达240亿美元。但预计其中很大部份(约140亿美元)将来自少数几家公司──半导体界的‘六大天王’(Fantastic Six)，已经宣布了他们积极的投资计划。   在这前所未见的低迷气氛中，过去一年来，这些公司发布的大规模投资计划着实令人惊讶。SEMI的研究显示，未来2年内，这六家公司还将投入大量资金，以迎接经济挑战。   台积电(TSMC)：在经济衰退之际，台积电仍然连续两次调高了资本支出。2009年5月，台积电首次将其资本支出计划从15亿美元扩大为19亿美元，而在同年7月底，再次宣布加码至23亿美元。2010年，随着半导体需求持续复苏，加上全球经济开始走出衰退阴影，台积电的资本支出也预计将达到20亿美元以上。   GlobalFoundries：GlobalFoundries的合作伙伴──来自杜拜的ATIC公司，投资了21亿美元购买其晶圆厂股份。ATIC已承诺额外注入36亿美元股票资金(equity funding)，并在未来5年内提高至60亿美元，协助GlobalFoundries扩展业务。2009年，该晶圆厂的资本支出估计在6~7亿美元之间，未来两年则可望提升至每年10亿美元以上。   东芝(Toshiba)：2009年6月，东芝开始在全球股票市场集资30亿美元进行晶圆厂投资。这是过去8年来，全日本由非金融公司所进行的最大股票发行案。东芝将继续专注于NAND闪存，并扩大其与IBM联盟的伙伴关系，并更新与三星(Samsung)的NAND专利协议。东芝公司在2009~2011会计年度的的总资本支出计划是11亿日圆(约115亿美元)。其中，2009年用于半导体事业的资本支出计划为9,400亿美元。约47亿美元将用于2010和2011会计年度。2010年额度约20亿美元，2011年预计将稍高一些。   三星：三星的最新动作，是将位于奥斯汀的200mm产线转换为300mm的后段制程(BEOL)产线，以支援其现有的300mm前段制程。三星公司(Austin)总裁Y.B. Koh希望获得“制造业回到裸墙。”SEMI估计，三星在2010年的资本支出约为40～50亿美元，主要用于升级德州Austin 1与Austin 2，以及韩国的Line 15与Line 16产线。   英特尔(Intel)：2009年4月，英特尔宣布在未来几年内，将花费70亿美元来改善现有设施，以推动32nm技术量产。SEMI预测，这70亿美元中，约有30~40亿美元会用于2009年，其余将用在2010年。   华亚科技(Inotera)：这家由南亚(NanYa)与美光(Micron)合资成立的公司宣布了一个16亿美元的计划，将从70nm沟槽式技术转换到50nm的堆栈电容技术，并使用浸入式蚀刻工具。华亚拥有来自于南亚母公司台塑的强大财政支柱。其工厂预计在今年稍晚至明年进行装配，这可为该公司在2010年贡献约10亿美元的资本支出。   晶圆厂资本支出   2010年，全球的总晶圆厂支出(包括建造和装配晶圆设施)也预计将增加64%，达240亿美元。而随着这持续升级投资，六家厂商将占据总支出的一半以上。64%增幅看似非常高，但我们仍须考虑此一增长是以2009年的历史最低水平为基础。仅仅5亿美元的资本支出差异，对成长率的影响就可能达到4%。   将2010年的支出额与2008年相较(见表1)，增长率将出现负值。事实上，工厂的总支出(建筑加装备)在2010年将保持在2003年以来最低水平──当年的资本支出额约220亿美元。 表1：2008~2010年资本支出比较   *装配晶圆厂：任何与前端设备相关的费用，包括使用全新或二手设备的晶圆加工、光罩(mask/reticle)以及其它配套设备。   2009下半年，每季的总晶圆厂装配(含建造和装机)成长率可望达到2位数，到2010年还可望维持8%~15%的成长率(图1)。   图1：前段制程设备的支出(含建造和装机)   2010年，花费最多资金用于建造晶圆厂的地区将是美国。但在对于装机方面美国也将名列第一，其次是台湾和韩国。2009年，超过32家公司很对总晶圆厂资本支出的贡献度可能达140~150亿美元。而到了2010年，该数字可望变成超过40家公司共同贡献了约240亿美元的资本支出。而前面提到的六家主要业者，在2010年的资本支出额度预估将达140亿美元，等同于2009年全球所有晶圆厂的总资本支出额度(140~150亿美元)。   晶圆厂产能   半导体界‘六大天王’约占全球30%产能。这些业者在2009与2010年的投资大部份集中在升级其晶圆厂，而非投资新的晶圆厂。GlobalFoundries的产能相较之下少于其它五大天王，然而，这家新进入的代工业者才刚开始扩充产能，同时也在为新的晶圆厂做准备。   经济低迷对全球产能也造成了影响。由于2009年积弱不振的资本支出，不少生产线也宣告停止运转。SEMI预测数据显示，到2009年底大约有31家晶圆厂会关门大吉，另外还有16家可能在2010年退场。   2009年第一季，晶圆厂的平均产能利用率下降了约56%(业界各别公司回报的下降幅度约在30%~70%之间)。虽然一些公司(如台积电)目前正在运转中的一些厂房利用率已达满载，但在2009年底，整体产能利用率仍可能在70%~80%之间。[!--empirenews.page--]   图2：内存、晶圆代工、逻辑/模拟及其它等不同类别产品的装机产能。   内存在装机产品中占最大比重，从2002~2007年，随着导入300mm晶圆厂，每年成长率均保持在20%~50%。然而，2008年内存的产能成长率放缓至8%，2009年的成长率则约为-5%~-6%。2010年，内存的装机产能成长率预估为4%~5%，与过去的高成长相比，这个数字非常低。   全球NAND市场需求在2009年预估将增加约70亿GB至150亿GB；在2011与2012年则将增加300亿~500亿GB。目前，业界仅增加极少量的装机产能要如何满足这些需求，仍然是一个问号。晶圆界六大天王中，生产闪存的东芝、三星与英特尔(IM Flash)，将会在产能方面进行一些投资。不过，从破土到真正上线运转，建造一家晶圆厂至少需要1~1.5年的时间，因此，在2010年投资建造的新晶圆厂无法提供任何新的产能，必须等到2011或2012年。   SEMI预测，2010年全球晶圆厂资支出增长幅度约为64%。全球各地的经济振兴方案能提升不同地区的国家生产毛额(GDP)，并持续对2010年带来更好的影响──或许可带动其它公司加入‘六大天王’俱乐部，然后，我们谈论的对象就会变成‘七大巨星’(Super Seven)。  

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  • EPADs研讨会:三维封装支持技术的现状与未来

    日本电子封装学会下属、从事部件内置基片调查等业务的EPADs研究会于2009年9月3日举行了以“进化的三维封装及部件内置技术”为题的公开研讨会。在该研讨会上，5名演讲者介绍了半导体三维封装的现有技术以及5年后的未来技术。   首先，日本IBM东京基础研究所的佐久间克幸就力争今后5年实现半导体三维封装发表了演讲。佐久间表示，现有CMOS技术在功率密度上已至极限，时钟频率在2005年前后达到了顶峰。为了提高性能开始推进多核技术，但为了使性能达到最大，必须确保内存带宽。目前使用硅贯通电极的三维LSI的需求不断扩大。   佐久间介绍了硅的层叠及接合技术的现状。在层叠方面，充分利用以往技术薄化晶圆进行层叠的“Top-down（自上而下）方法”目前颇受关注。另外，对于芯片间的连接，佐久间表示，可将薄化晶圆的曲翘吸收掉的金属凸点最为合适。经剪切应力测试表明，铅焊锡的强度较高，锡铜焊点较脆。   WEISTI董事社长福冈义孝就使用硅贯通电极的三维LSI封装的一种、硅转接板进行了演讲。在配备多个LSI的硅转接板上，集成通过薄膜技术形成的L、C、R，为连接布线面和背面的外部电极，使用硅贯通电极。已试制出R使用铬薄膜时为2000μm×31.25μm、最大78000Ω，L为800μm见方、最大圈数为4.5圈，C为1mm见方、1.93nF的无源部件。   第三个登台的是从事半导体封装业务的新光电气工业开发统括部的小山昌一。小山介绍了使用内置底板的转接板的极限和解决方案。在光刻方面，由于会发生布线剥离，因此布线及布线间隔存在极限，需要应用半导体薄膜技术等。在通孔方面，用于服务器等终端用途时要对孔完全填埋，需进行利用周期脉冲反向电流（PPR，Periodic Pulse Reverse）的电镀处理。小山指出了介电体存在的课题，比如，介电体虽然具有成为硅转接板的可能性，但称为“Microball”的焊锡球无法完全吸收硅底板的扭曲及曲翘。   半导体封装使用部件内置基片   第四个和第五个登台的演讲者谈到了部件内置基片。目前，部件内置基片作为可通过现有技术实现的实质性三维LSI手段之一而广为人知。但实际上多被用作模块基片。用作模块基片时，具有下落冲击性及导热性出色等特点，在手机及车载等趋于模块化、要求可靠性的用途中，需求有望增加。   太阳诱电复合元件事业部EOMIN商品部的宫崎政志介绍了无源部件内置底板的薄型化等内容。该公司将向部件内置底板推出外形尺寸为1mm×0.5mm×0.3mm、静电容量为0.22μF的多层陶瓷电容（MLCC）。今后计划开发薄型、大容量化的MLCC，向部件内置底板推广。内置薄型产品时，具有可减小连接通孔所积蓄应力的优点。宫崎表示，目前在高度不足0.13μm的MLCC薄型化方面尚存在局限性，内置基片过渡至薄膜类的开发也在推进之中。   卡西欧微电子的若林猛介绍了在半导体封装中部件内置基片所受关注度越来越高的情况。关注度日益提高的原因主要有三个。一是用于PoP等时内置基片也可控制在1mm以下。二是可实现低廉价格。目前在低价位封装中大多采用以引线框实现封装背面的平面电极QFN，但将部件内置基片用作半导体封装则可进一步降低成本。三是能够实现无铅接合。比如，可通过利用激光的通孔形成电镀法来连接晶圆级CSP（WLP）。另外，还可自由设定半导体芯片的形状。由于无需线焊，因此还可将芯片细长化，便于配置平行于总线的布线。

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  • MEMC电子材料调降销售预期将关闭工厂

    北京时间9月8日晚间，MEMC电子材料公司(WFR)宣布，调降对第三财季销售额的预期，计划关闭设于德州和密苏里州的两家工厂。截至周二美东时间上午11:42(北京时间周二晚23点42分)，MEMC在纳斯达克上市的股票下跌61美分，至15.98美元，跌幅为3.68%。   这家总部位于密苏里州圣彼得斯的半导体公司指出，将终止位于德州Sherman和圣彼得斯的硅晶锭及晶圆工厂的生产。   MEMC表示，上述工厂的关闭将在2010年和2011年初进行，在美国境内将影响约540位员工的就业，公司将向其中某些员工提供其他工厂的职位，向相关员工支付的资遣费用将导致公司负担约1800万美元的开支。   MEMC还宣布，将第三财季营收的预期范围降为2.85亿至3.15亿美元。原预期范围为3亿至3.5亿美元。接受FactSet Research调查的分析师目前平均预期MEMC第三季的销售额约为3.24亿美元。   该公司还称，由于八月份设备出现故障，公司设于德州Pasadena的多晶硅工厂遭遇了停工，预计在九月底之前该厂的生产将恢复正常，但估计本次停工可能对第三季的营收和利润率有“消极影响”。  

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  • 全球7月半导体销售额带来的启示

    全球半导体在7月时销售额为181.5亿美元，比6月的172,4亿上升5.3%，与去年同期的221.9亿美元相比下降18.2%。8月31日公布的7月数据是由WSTS发布，表示芯片出货量三个月的移动平均值。但是7月份的数据却引起整个半导体产业界的热烈讨论，其原因究竟是什么？7月的增长具指标意义因为传统上7月是半导体业的淡季，统计近10年来7月比6月的平均值下降达17%，而今年却上升了5.3%。如果再往回看，在去年12月至今年1月时，由于订单撤销及制造生产线几乎停止工作， 全球一片悲观的声调。主要原因是企业和消费者受金融危机的突然打击，产生恐慌心理及消费者的信心指数降至低点。但是在全球各国的经济剌激计划共同推动下，今年2月至6月工业开始回温。到今年8月时情况已大变，至少听到的大部分是好的消息。虽然有人觉得产业V型复苏似乎不太可能。但是从心底里不希望工业再次出现大的下降局面。自今月2月至今，半导体工业己经出现6个月持续的增长，给整个工业的未来带来希望。业界从心底里害怕工业出现反复，那怕是缓慢的上升，也足以让人放心。尽管看半导体工业的数据似乎不坏，尤其是处于产业链上游的设备业，似乎已走出困境，其北美7月设备的B/B已超过1。但是实际上全球芯片1-7月累积销售额为1148.2亿美元，与去年同期的1482.9亿美元相比，还是下降22.6%。所以至此，大多数市场分析公司认为今年半导体业销售额下降在15%左右，近2100亿美元数量级，相当于2004年的水平。目前对于未来市场的看法并非完全一致。业界关心的是目前的需求增长是否真实， 是产业循环中的补充需求，还是真实的需求到来。看来两种因素都可能存在，加上全球经济的大势仍存在不确定性，因此对于产业前景还不能高枕无忧。从今年的Q3看，由于季节性等原因，销售额继续上升15-20%已无异议。但是到Q4时大部分市场公司认为能与Q3持平或稍微有所下降。半导体产业必须用新思维去适应半导体产业已经到了必须要重新来思考的时期，因为产业已出现不连续性，如存储器业中，市场位密度需求的增加，已不能额外增加存储器的营收，也即产业到了要思考投资的回报率在那里？其实此种现象，不但在存储器业中，未来平板显示业，太阳能电池业及LED业都会遇到同样的问题。所以产业在成本持续下降的压力下如何生存的矛盾会越来越突出，必须用创新的思维来重新认识市场。工业已由过去的技术推动转变为由市场来推动,所以要充分利用产品的生命周期。因此,研究市场，了解客户的心理需求及快速的推出产品等成为新时期下的主要特征。任何企业试图想进入杀手级产品市场，而一劳永逸的想法注定不能奏效。必须时刻在两难之中去适应变化才能生存下来。所以能够适应变化才是企业及个人的生存策略。结语总体上对于明年半导体业由于受全球宏观大环境的继续看好，一定会好转，大部分市场分析公司的预测将增长10%。不过究竟有多好，似乎底气仍显不足。

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  • 日本七大公司联合开发太阳能芯片 可存储电能

    据国外媒体报道，NEC、东芝、松下、富士通、佳能、日立和瑞萨正在联合开发一款处理器芯片。新型芯片依靠太阳能运行，能够根据负载调整能耗。   根据他们的计划，新型芯片能够存储电能，在电源被切断时可以继续运行。   目前，他们已经开发出了原型芯片。与标准的处理器相比，原型芯片可节能30%。但他们表示，他们将能够达到目标，并在2012年推出产品。   

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  • 英飞凌作为领先芯片供应商担任德国项目协调员

    为了加强欧洲半导体行业的竞争力，欧洲35家机构携手开展了联合研究项目“IMPROVE”(“采用制造科学解决方案提高设备生产率和晶圆厂业绩”)。该项目从2009年持续到2011年年底，目的是提高半导体制造业的生产效率，同时降低成本，缩短加工时间。欧洲“IMPROVE”联合研究项目的参与者包括软件企业、在欧洲拥有生产基地的半导体公司、芯片晶圆设备供应商以及来自奥地利、法国、德国、爱尔兰、意大利和葡萄牙的学术机构。英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)作为领先的芯片厂商，负责协调德国合作伙伴的研究活动。通过提高工厂的生产效率，该项目将进一步增强欧洲半导体行业的实力，创造更多就业机会。   芯片功能的日益增多不仅延长了开发时间，还导致工序增多，使得生产时间变长，从而大大提高了生产复杂性。如今，生产一个复杂的芯片平均需要完成550道独立工序，耗时约为12周至16周。通常的生产运作是在生产出50至100个晶圆后，厂商必须重新设置生产工具。这使得持续工况监控和预防式维护成为保持竞争优势的关键要素。对整个生产线的半导体生产工具和加工后的晶圆实施监控，再结合采用创新的数据分析战略，将使优质晶圆的产量最大化。   IMPROVE项目的总预算约为3,770万欧元，其中一半由合作伙伴承担，另一半来自欧盟委员会提供的资金以及项目参与各国通过参加欧洲纳米科技方案咨询委员会(ENIAC)所获得的资金。欧洲纳米科技方案咨询委员会(ENIAC)是SP4-应用于能源与环境的纳米电子技术”子项目的一部分。德国联邦教育与研究部(BMBF)也大力支持该项目，通过“信息与通信技术科研创新2020 (IKT 2020)”融资计划，提供了350万欧元资金。  

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  • 中国最大大功率半导体产业基地湖南投产

    中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地今日在湖南株洲正式投产。这将改变国内高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断的局面，加速国产化大功率半导体器件产业化进程。　　大尺寸功率半导体器件是变流器的关键元件，被誉为电力电子产品的“CPU”，广泛用于轨道交通、电力、冶炼等领域。长期以来，中国高端半导体器件技术和产品主要依靠进口，因价格昂贵严重制约民族工业的快速发展。　　近年，随着国民经济快速发展，国内对高端半导体器件需求日益旺盛。为打破国外公司的市场垄断，实现自主创新，中国南车株洲所下属的株洲南车时代电气股份有限公司依托公司良好的技术基础，总投资近三点五亿元，于二00六年底启动大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地的建设。　　位于株洲的生产基地总面积超过二万平方米，部分净化级别达到一百级，配套设施采用世界一流的技术装备，并完全采用了与国际接轨的生产设备和工艺。南车时代电气表示，该基地是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。　　记者了解，该基地计划于二0一三年全面达产，达产后产值达六亿元。此次已经完成大功率双极器件的配套生产能力，具有重要战略意义的核心元件IGBT(绝缘栅极型功率管)封装项目也正在实施，预计年底可投产。　　作为中国最早开发大功率半导体器件的单位之一，南车时代电气已发展成为国内最大大功率半导体器件研制造基地。二00六年十月，其成功研制出世界上最大直径、最大电流电压容量的六英寸晶闸管；二00八年，成功收购加拿大半导体公司Dynex公司，成为国内第一家跨国收购的轨道交通装备制造企业，实现了大功率半导体器件产业链的完善。

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  • 国内半导体巨头联名上书 希望执行税收优惠

    国内7家主要半导体生产厂商，正联名上书国家相关部委，要求继续执行国务院18号文在税收方面的优惠制度。　　七企业齐喊压力骤增　　昨天，来自上海集成电路行业协会的消息显示，这7家芯片企业是上海华虹NEC、中芯国际、上海宏力半导体、台积电中国、苏州和舰、上海先进半导体、上海新进半导体。据《每日经济新闻》记者了解，7家企业已经联名向国家发改委、财政部、税务总局、海关总署和工信部，提请了“关于要求继续执行国务院18号文件优惠条款的紧急报告”(以下简称《报告》)。　　根据 《财政部海关总署国家税务总局公告》2008年43号规定，自 2009年1月1日起，集成电路生产企业(即本文所指半导体企业)，进口设备及其配套技术、配件、备件，一律恢复征收进口环节增值税。而此前，集成电路生产企业相关税收制度一直在沿用2000年国务院颁布实施的 《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(即俗称的国务院18号文)。国务院18号文的相关规定为，集成电路生产企业引进集成电路技术和成套生产设备，单项进口的集成电路专用设备与仪器，免征进口关税和进口环节增值税。　　在今年1月1日实施此项税收新政的时候，国家相关部门考虑到实际情况，税收新政实际上从7月1日才开始正式执行。然而，这项税收制度的调整给国内半导体生产企业造成巨大的资金压力。　　企业对资金非常敏感　　一项税制的调整，为什么让半导体企业产生如此大的反应？　　采访中，上海先进半导体的一位内部人员告诉《每日经济新闻》记者称，国内半导体企业主要的核心设备均来自于国外，投资额度非常大，国家在这方面的税制调整势必会对企业的运营产生非常大的影响。记者了解到，这种影响在半导体企业初创时期密集引进设备时的尤为明显，而投资高峰之后，“原材料所需要的硅，也需要从国外进口，所以进口增值税的征收的影响还是存在，并且比较明显。　　上海先进半导体2009年年中财报显示，公司上半年营收近3亿元，与去年同期5.18亿元相比营收大幅下滑；净亏损5600万元，去年同期也发生亏损，但只有600万元。国内半导体行业的标杆企业中芯国际的财务指标同样不乐观，财报显示，今年第二季度中芯国际净亏损9810万美元，而上个季度的亏损额为1.78亿美元。　　相关部门反响积极　　正是在这种情况下，7家企业走到了一起。　　据记者了解，上书的意愿来自7家企业的最高层，有些企业由是由财务总监直接参与。7家企业还建议政府相关部门：继续执行国务院18号文件规定的各项优惠政策，特别是进口设备材料和零配件免征进口环节增值税；尽早出台新的进一步鼓励集成电路产业发展的优惠政策。　　最新消息显示，国家发改委和工信部已表示，国家几个部委都在加紧新政策征求意见稿的流转。知情人士向记者说，国家相关部门在接到《报告》之后，反响很积极，发改委和工信部都表示支持，“关键是看财政和税收的主管部门。”上述知情人士还告诉记者，虽然新政策具体出台的时间还不确定，“但是，相信快了。”

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  • OLED整体营收2016年将增长至71亿美元

    由于终端大量应用，有机发光二极体（OLED）市场规模节节攀升，OLED在2008年的整体营收规模已达6亿美元，预计到2016年，将大幅成长至71亿美元，年複合成长率达36%，整体产业呈现快速成长的态势。   事实上，受到终端业者的青睐，包括三星（Samsung Electronics）、诺基亚（Nokia）、索尼爱立信（Sony Ericsson）等知名品牌业者，纷纷在2009年上半时，推出主动矩阵式有机发光二极体（AMOLED）手机，使得2009年第1季，全球 AMOLED的营收首次超越被动矩阵式有机发光二极体（PMOLED），且预估AMOLED的出货量很有可能在2010年超过PMOLED的规模。 

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  • 尔必达出售股份筹资逾8亿美元

    北京时间9月1日晚间消息，据国外媒体报道，内存芯片厂商尔必达(Elpida Memory Inc。)今天提交给日本财务省的报告显示，该公司计划出售最高达785亿日元(约合8.41亿美元)的股票，所筹资金将用于工厂及生产设备。   这份报告显示，尔必达将向海外投资者出售价值714亿日元(约合7.63亿美元)的5000万新股，另有价值71.2亿日元(约合7618万美元)的500万股份将出售给日本投资者。此次售股事宜由摩根士丹利、野村控股和大和证券集团负责。   尔必达发言人表示，售股所筹资金将花在工厂及生产设备上。半导体价格一落千丈导致该公司去年出现创纪录的亏损。今年6月份，尔必达表示，将从日本政府、台湾合作伙伴和金融机构处获得1600亿日元(约合17.1亿美元)的资金援助。出售股份是尔必达获得资金援助以外的另一项筹资举措。   尔必达上个月曾表示，将向国立的日本开发银行出售价值300亿日元(约合3.21亿美元)的股份。此外，尔必达今年六月份还声称，台湾记忆体计划在明年3月31日向其注资200亿日元(约合2.14亿美元)。   尔必达上个月报出连续七个季度的亏损，称芯片价格不断下跌导致了连番亏损。由于销售额下跌34%，至726亿日元(约合7.76亿美元)，该公司在截至6月30日的三个月里净亏损额扩大至445亿日元(约合4.76亿美元)，而上年同期为138亿日元(约合1.47亿美元)。   由于内存行业都在削减产量，1G容量的DRAM(动态随机存取存储芯片)售价上涨了逾两倍，这有助于芯片厂商今年摆脱创纪录的亏损额。据亚洲最大的芯片现货交易市场运营商集邦科技表示，内存芯片价格迄今已下跌了逾62%，并在2008年达到历史最低价格。

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  • 提升半导体竞争力　欧洲力推 “IMPROVE”计划

    为提升欧洲半导体产业的竞争力，35个欧洲成员共同组成了 “IMPROVE”联合研究计划(Implementing manufacturing science solutions to increase equipment productivity and fab performance)，以制造科学的解决方案，提升设备生产力和晶圆厂效能。   欧洲IMPROVE联合研究计划的成员包括来自奥地利、法国，德国，爱尔兰，意大利和葡萄牙等的软件产业、在欧洲设有生产据点的半导体公司、晶圆厂设备供货商以及学术机构。   作为参与该计划的芯片供货商英飞凌科技(Infineon)表示，此计划的执行时间从2009年至2011年年底，并以提高半导体制造的生产力，同时降低成本和缩减制程时间为目标。而英飞凌将负责协调德国成员的活动事项。此计划的成果将可提升生产据点的效率，强化欧洲半导体产业，进而创造新的就业机会。   英飞凌指出，新的芯片产品功能不断增加，因而需要更多制程步骤与更长的开发时间，以及高度复杂的制程及更长的生产时程。今日，制造一个复杂的芯片平均需要550个个别制造步骤，约需耗时12到16周。通常以大约为50到100片晶圆为一个制造批次，每批完成后，制造厂必须为下个制造产品重新设定生产工具。   因此，为了保持竞争力，精密的状况监控和预测性维护实有其必要。监控整个生产线的半导体生产工具和加工晶圆，再结合创新的数据分析策略，将可使高质量的晶圆达到最大产值。   IMPROVE计划的总预算约3,770万欧元，其中一半是由合作成员赞助，另一半则是由欧盟执行委员会(European Commission)公开募资，以及参与国和欧洲奈米科技方案咨询委员会(ENIAC)合作，成为 “SP4应用于能源与环境的纳米电子科技(Nanoelectronics for Energy & Environment)”子计划成员而获得之国家资金。德国联邦教育研究部(BMBF)在 “Informations- und Kommunikationstechnologie 2020 (IKT 2020)”集资计划中，资助本计划350万欧元。   IMPROVE计划的成员包括半导体和芯片厂制造商以及软件供货商，某些成员拥有多个据点，依英文字母顺序列示如下：AP Technologies(德国)、Atmel(法国)、Austria Microsystems(奥地利)、camLine(德国)、CNR-IMM(意大利)、Critical Software(葡萄牙)、英飞凌科技(德国)、InReCon(德国)、英特尔(爱尔兰)、iSyst(德国)、LAM(意大利)、Lexas Research(爱尔兰)、Numonyx(意大利)、PDF Solutions(法国)、Probayes(法国)、STMicroelectronics(法国)、Straatum(爱尔兰)和Techno Fittings(意大利)。   学术机构成员包括CEA LETI(法国)、都柏林城市大学(爱尔兰)、圣太田矿业学校(法国)、维也纳新市高等职校(奥地利)、弗劳恩霍夫系统整合暨装置技术研究机构(IISB，德国)、GSCOP(法国)、意大利国家研究委员会(意大利)、LTM CNRS(法国)、德国奥格斯堡(Augsburg)和埃朗根纽伦堡(Erlangen-Nuremberg)大学，以及意大利米兰(Milano)、帕多瓦(Padova)和帕维亚(Pavia)大学。  

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  • 韩国半导体厂商海力士将被出售给韩国企业

    北京时间9月8日消息，韩国半导体大厂商海力士(Hynix)的出售工作即将正式启动，如之前媒体曝光的一样，海力士的出售对象只限于韩国国内企业。   负责管理海力士股分管理协会(股东团)业务的外换银行7日表示：“协会决定，将在本周内发送有关出售海力士的通知，并吸引投资者。预计在年内选定‘优先谈判对象’。”目前，外换、友利、新韩、产业银行等海力士的股东团共持有该公司受限股份28.07%.本次出售的股份为上述股东团所持的股份一切。   据悉，股东团计划将收购海力士的对象限定为韩国国内企业，将接受投资意向书(LOI)。

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  • ST-Ericsson任命迪法西为新总裁兼CEO

          意法半导体(STMicroelectronics)与爱立信各占一半股权的合资公司ST-Ericsson日前宣布，吉尔斯•迪法西(Gilles Delfassy)将成为该公司新任总裁兼首席执行官。 9月3日消息，意法半导体(STMicroelectronics)与爱立信各占一半股权的合资公司ST-Ericsson日前宣布，吉尔斯•迪法西(Gilles Delfassy)将成为该公司新任总裁兼首席执行官。而领导公司合并的现任首席执行官阿兰•杜特黑尔(Alain Dutheil)将在未来几个月内与吉尔斯•迪法西一起主持工作，以保证公司能够平稳成功地过渡。         据国外媒体报道，吉尔斯•迪法西将从11月2日起正式接任新职务。在这之后，阿兰•杜特黑尔将加入ST-Ericsson公司董事会继续为其服务，并重回意法半导体担任首席运营官一职。         此外，就在今年6月，爱立信董事会宣布，卫翰思(Hans Vestberg)将2010年1月1日起接替思文凯(Carl-Henric Svanberg)出任公司总裁兼首席执行官。卫翰思现任该公司首席财务官兼执行副总裁。同时，卫翰思也成为了ST-Ericsson公司董事会主席。     现年54岁的吉尔斯•迪法西是一位在无线行业备受尊敬的专家。他曾为全球领先的半导体公司德州仪器(Texas Instruments)服务了28年。在他任职期间，德州仪器成为了世界最大的无线半导体企业。在2007年，他从该公司退休，随后便被聘为多家高科技公司的顾问，并在一些集团的董事会里担任职务。     ST-Ericsson现任总裁首席执行官阿兰•杜特黑尔表示，从2009年2月份成立至今，在不到一年的时间里，ST-Ericsson就成长为无线半导体行业的领导企业，并拥有强大的创新能力，极佳的客户关系，以及最优秀的专业团队。同时，公司也走过了长时间的重组整合之路，现在有了拥有多年无线从业经历并创造了出色业绩的吉尔斯的加盟，相信ST-Ericsson团队的力量将更强大，并将能更好地实现长期的盈利增长。  

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