英特尔总裁暨执行长欧德宁(Paul Otellini)上周出席科技论坛时指出,他认为晶圆代工事业在未来几年会出现极大的麻烦,最大的问题就是会出现十分严重的产能过剩问题,其中全球晶圆等积极扩充产能,将会导致先进制程市场
受惠于智能型手机、平板计算机等行动运算装置销售畅旺,带动晶圆代工45/40纳米制程需求,台积电、联电及Global Foundries皆扩大45/40纳米制程产能,中芯国际也加紧脚步,预计于2011年下半加入战局,让竞争更加激烈。
受惠于智能型手机、平板计算机等行动运算装置销售畅旺,带动晶圆代工45/40纳米制程需求,台积电、联电及Global Foundries皆扩大45/40纳米制程产能,中芯国际也加紧脚步,预计于2011年下半加入战局,让竞争更加激烈。
英特尔(Intel)总裁暨执行长欧德宁(Paul Otellini)表示,全球领导级晶圆代工厂恐怕将在接下来几年因产能过剩而陷入危机。欧德宁在一场日前(2月17日)于英国举行的分析师会议上指出,晶圆代工市场的过剩产能,主要来自于
晶圆代工目前看似前景热滚滚,但英特尔总裁暨执行长Paul Otellini却忧心表示,晶圆代工事业在未来几年可能会出现大麻烦,问题所在就是会出现严重的产能过剩问题。在全球晶圆厂积极扩充产能之下,将导致先进制程市场出
郑茜文/台北 受惠于智慧型手机、平板电脑等行动运算装置销售畅旺,带动晶圆代工45/40奈米制程需求,台积电、联电及Global Foundries皆扩大45/40奈米制程产能,中芯国际也加紧脚步,预计于2011年下半加入战局,让竞争
TSMC27日公布2010年第四季财务报告,合并营收为新台币1101.4亿元,税后纯益为新台币407.2亿元,每股盈余为新台币1.57元(换算成美国存托凭证每单位为0.26美元)。与2009年同期相较,2010年第四季营收增加19.6%,税后
TSMC 27日公布2010年第四季财务报告,合并营收为新台币1101.4亿元,税后纯益为新台币407.2亿元,每股盈余为新台币1.57元(换算成美国存托凭证每单位为0.26美元)。与2009年同期相较,2010年第四季营收增加19.6%,税后
郑茜文/台北 为扩充40奈米与28奈米先进制程产能,联电宣布2011年资本支出将达约18亿美元,与2010年相当,联电预估,2011年12吋产能将增加25%,65奈米制程全年营收比重将提升至40%左右,40奈米制程下半年将提升到10%
联电执行长孙世伟看好今年40/45奈米制程技术业绩可望逐季攀高,预期下半年营收比重可望达1成水准。联电今年资本支出将约18亿美元,40奈米将是扩充重点。晶圆代工厂联电今天召开法人说明会,孙世伟表示,去年联电65奈
台积电昨(12)日宣布,以29亿元买下力晶竹科三五路兴建中的12寸晶圆厂房,做为20奈米以下先进制程的新基地。力晶29亿元落袋,可提升现金部位,抵抗DRAM市况寒冬。市场原估计交易金额逾30亿元,实际以29亿元成交。外
晶圆代工版图竞争激烈,目前台积电持续以50%的市占率稳居龙头宝座,随著扩产脚步加速,以及先进制程扩大领先幅度,台积电2011年市占率可望提升至52%,强大竞争对手之一的全球晶圆(GlobalFoundries)在合并特许以及大幅
中国大陆IC设计厂展讯预定明年1月于北京发表,采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片,成为手机芯片大厂高通(Qualcomm)后,进入40纳米制程的手机芯片厂。市场亦传出,高通方面已与展讯就TD芯片展开合作,法人预估,高
晶圆代工版图竞争激烈,目前台积电持续以50%的市占率稳居龙头宝座,随著扩产脚步加速,以及先进制程扩大领先幅度,台积电2011年市占率可望提升至52%,强大竞争对手之一的全球晶圆(Global Foundries)在合并特许以及大
晶圆代工版图竞争激烈,目前台积电持续以50%的市占率稳居龙头宝座,随著扩产脚步加速,以及先进制程扩大领先幅度,台积电2011年市占率可望提升至52%,强大竞争对手之一的全球晶圆(Global Foundries)在合并特许以及大
晶圆代工版图竞争激烈,目前台积电持续以50%的市占率稳居龙头宝座,随着扩产脚步加速,以及先进制程扩大领先幅度,台积电2011年市占率可望提升至52%,强大竞争对手之一的全球晶圆(Global Foundries)在合并特许以及大
结束2010年终端应用所带动的强劲成长力道,全球半导体市场恢复缓慢成长的步调,资策会产业情报研究所(MIC)预测,随成长力道趋缓,晶圆代工厂竞争势必更加激烈,短期来看,整合元件制造商(IDM)释单比重增加,将带动晶
2009年第二季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升,DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。DIGITIMESResearch分析师柴焕欣说明,2006年以来,包括台、美、日等DRAM厂即因产品价格持续下跌而处于长期亏损窘境
中国大陆IC设计厂展讯预定明年1月于北京发表,采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片,成为手机芯片大厂高通(Qualcomm)后,进入40纳米制程的手机芯片厂。市场亦传出,高通方面已与展讯就TD芯片展开合作,法人预估,高
中国大陆IC设计厂展讯预定明年1月于北京发表,采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片,成为手机芯片大厂高通(Qualcomm)后,进入40纳米制程的手机芯片厂。市场亦传出,高通方面已与展讯就TD芯片展开合作,法人预估,高