台积电
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日刊：台积电将倍增40nm产能 营收占比提高至20%
日本媒体日刊工业新闻24日报导，全球晶圆代工龙头大厂台积电(2330)计划将采用40奈米(nm；包含40nm、45nm)制程的先端半导体产能于2010年Q4(10-12月)倍增至16万片(以12吋晶圆换算)的规模。报导指出，2009年Q4台积电40n
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台积电与德半导体公司开发高效电源管理技术
据台湾媒体报道，台积电与德国Dialog半导体公司日前共同宣布，双方正合作开发用于移动产品的高效能电源管理芯片，发展BCD（Bipolar–CMOS-DMOS）制程技术，希望提高电源管理整合度，以满足智能手机、电子书、笔记本电
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亚洲芯片厂商将受益于外包需求增长
据国外媒体报道，由于全球经济复苏推动需求增长，而许多芯片公司由于价格压力和投资障碍无法建设单独的芯片工厂，亚洲外包芯片厂商预计今年业绩将会大幅增长。 分析师预计，逐渐增长的外包订单，尤其是来自日
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Dialog与台积电携手开发适用于电源管理芯片的BCD工艺
领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案提供业者－德商Dialog半导体公司与TSMC 23日共同宣布，双方正密切合作，为移动产品的高效能电源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工艺技术。此0.25微米高
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台积电与Dialog合作芯片制程
台湾集成电路公司今天与德商Dialog半导体公司宣布，合作开发高效能电源管理芯片的BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）制程技术，让行动产品更便利。 Dialog是领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案业者，这个0.25微
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台积电获德Dialog订单
台积电（2330）昨（23）日与德商Dialog半导体共同宣布，双方将针对行动产品的高效能电源管理芯片，量身打造BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）0.25微米高压制程技术。该技术能将各种高电压功能有效整合在单一电源管理芯片中，
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赛灵思下单台积电 求功率效率
可编程逻辑组件大厂赛灵思（Xilinx）昨（23）日宣布，将采用台积电（2330）高效能（HPL）及三星电子低功耗（LPMZ）等28奈米高介电金属闸极（High-K Metal-Gate，HKMG）制程，生产下一世代的可编程逻辑门阵列（FPGA）
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台积电将于十二厂安装ASML超紫外光微影设备
晶圆代工大厂台积电(TSMC)日前与荷兰半导体设备业者艾司摩尔(ASML)共同宣布，台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影设备，是全球六个取得这项设备的客户伙伴之一。 该套AS
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捷报不断！台积电获Dialog下世代电源管理芯片订单
台积电(TSM-US；2330-TW)近期捷报不断，美商Xilinx今(23)日才宣布采用其28奈米制程，下午台积电又与德商 Dialog半导体共同宣布，双方正密切合作，为行动产品的高效能电源管理芯片，量身打造BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制
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NEC、富士通大量释出代工订单 台积电、联电钱景看俏
《华尔街日报》周二报导指出，随着NEC电子（NEC Electronics Corporation；6723-JP）与富士通微电子（Fujitsu Microelectronics；）等日本厂商释出大量代工订单，台积电（2330-TW）与联电(2303-TW)必将受惠。 分析
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台积电宣布28nm制程节点将转向Gate-last工艺
去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要
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台积电宣布惊人之举28nm制程节点将转向Gate-last工艺
去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nmHKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“
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台积电宣布与中国IC产业育成中心扩大合作
晶圆代工大厂台积电(TSMC)宣布扩大与中国地区的集成电路(IC)产业化基地和技术中心合作，积极推展这种成功的合作模式与经验，运用台积电的专业IC制造技术与服务支持IC产业「育成中心(incubator，编按：大陆用词为“孵
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台积 攻22奈米添利多
台积电（2330）昨（22）日宣布，将取得艾司摩尔（ASML）超紫外光 (Extreme Ultra-violet，EUV)微影设备，将使得台积在22奈米以下的最先进制程领先全球。 台积电目前40奈米拥有90%以上高市占率，今 将举行一年一度
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Xilinx传将委托台积电生产28nm制程FPGA
日本媒体日刊工业新闻23日报导，可程序逻辑组件厂商Xilinx, Inc.将委托台湾台积电(2330)和南韩三星电子生产采用28奈米(nm)制程的可编程逻辑门阵列组件(Field-Programmable Gate Arrays, FPGA)；此也将为Xilinx首度委
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台积电领军 晶圆代工全红
〔记者洪友芳／新竹报导〕虎年开市，晶圆双雄股价持稳上涨，带动晶圆代工类股皆收红，夺得新春好采头，台积电（2330）并宣布取得荷商ASML公司的超紫外光微影设备，以发展新世代制程技术，有机会降低生产成本。 台
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台积电跨入EUV微影技术领域
台积电（2330）与微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）昨（22）日共同宣布，台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE：3100极紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影设备。这是台积电在布局多重电子束的无光罩（maskless）、双
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不须光罩 台积电、MAPPER开发新制程技术
台积电(TSMC)宣布，过去几个月来，该公司与MAPPER公司的工程师们一同在晶圆十二厂中将电子束直写能力整合至制程中，目前，MAPPER公司安装在台积电晶圆十二厂超大晶圆厂的原型机台正不断地重复写出超威小电路组件，
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惊人的决定：台积电28nm制程节点转向Gate-last工艺背景分析
去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要
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晶圆登陆松绑开放参股将有利双雄加速深化
尽管农历年前经济部已明确宣布晶圆登陆松绑的相关实施办法，惟整体来看，就现行晶圆登陆松绑政策而言，似乎仍仅有开放晶圆业者可于大陆地区参股一案，较具实质帮助，预料这将有助于台积电(2330)被动接收中芯国际10%股
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