4日,记者从重庆市万州区了解到,万州第一个半导体芯片项目——威科赛乐微电子股份有限公司半导体芯片产业化项目开工,项目总投资14亿元,建成后将推动万州半导体产业发展。
近期DRAM需求畅旺,价格持续上涨,销售量不断攀升。面对制造DRAM势不可挡利润,芯片厂已将其视为肥肉,不断扩大DRAM产能,但全球DRAM三大厂商的竞争仍有高低之分。
特点:哈佛结构,程序存储器与数据存储器分开,两者各有一个相互独立的64K(0x0000 ~ 0xFFFF)的寻址空间(准确地说,内部数据存储器与外部数据存储器不是一回事)。程序存储器:① 用于存放程序(可执行的二进制代码映像
存储器分为程序存储器(ROM)和数据存储器(RAM),两种又都可以分为片内和片外,片外即需要自己在单片机外部扩展。8051单片机的片内程序存储器有4K,片内数据存储器有256个字节,其中又分为高128字节位特殊功能寄存器区
处理器系统中可能包含多种类型的存储部件,如Flash、SRAM、SDRAM、ROM以及用于提高系统性能的Cache等等。刚刚接触芯片开发的工程师常常被各式各样的存储和存储管理弄得晕头转向,因此本文简单对ARM架构和基于ARM架构
近日消息,研究机构指出,中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫,以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看,其试产时间预计将在2018年下半
到2025年,西安高新区要围绕‘五大引领’,实施八个百亿级强基工程,打造八个千亿级产业集群,实现两个万亿级目标,”在谈及高新区2016年提出‘5882战略’时,西安高新技术产业开发区管委会投资促进一局副局长马宁表示。 所谓八个千亿级产业集群,是指包括半导体产业、智能终端产业、高端装备制造产业、生物医药产业、金融服务业、软件信息服务业、军民融合产业、创新创业在内的产业集群。其中,首当其冲的便是半导体产业。
台湾封测大厂矽品积极布局大陆福建,已砸下新台币8.66亿元,着手厂房新建工程。
在近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中,长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划:2018 年 1 月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品;2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4;2019 年底实现产能 2 万片/月;2020 年开始规划二厂建设;2021 年完成 17 纳米技术研发。王宁国表示,希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。
集成电路产业是国家信息技术产业的“心脏”,重要性不言而喻。近年来集成电路成为国家发展的必争产业,美国半导体技术全面领先,日本半导体技术水平与美相当,韩国储存器市场拉动技术水平突飞猛进。中国有何动作?继2014年后,中国半导体产业也取得长足进步,但技术、产业链、供应链等对外依赖度仍然很高。面对中国巨大的市场规模、国家安全和新一代信息技术的发展迫切需要,国家在近几年先后推出一系列鼓励政策,大力推动集成电路产业高速发展。
日媒称,中国正式推进设备投资加快半导体国产化,2018年底或将开始提供三维NAND闪存芯片。
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
继紫光集团董事长赵伟国因工作繁忙将辞去公司董事长职位后,紫光集团又添新动作。4月11日,紫光集团旗下武汉长江存储基地装机move in正式启动。据悉,完成装机后,长江存储将实现32层存储器小规模量产。
目前来看,中美贸易摩擦有所缓和。不过,双方尚未进入贸易谈判阶段,最终事情会如何发展,尚难判断。未来存储器芯片可能会受到一定程度的影响,因为中国是全球存储器最大的买家。
三星电子与SK海力士在中国生产的半导体免受中美两国贸易战打击。据半导体业界最新消息,特朗普政府日前宣布计划对1333种中国商品征收25%关税,但其中不包括闪存与DRAM存储器。
SEMI近日宣布,中国半导体后道工序使用的封装设备和材料的市场规模2017年同比增长23.4%,达到290亿美元。由于政府投入巨资,培育半导体产业,中国目前已成为全球半导体最大后道工序市场。
有史以来维持最大成长周期的半导体产业,未来会再继续成长吗?这答案恐怕是肯定的。因为,近日韩国央行在 8 日所发出的报告指称,全球半导体产业的强劲需求趋势仍会持续一年,并且呼吁韩国本土的半导体制造商仍应当重点关注非存储器产品的生产,以为未来的发展做好准备。
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼,准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称,特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器,分为DRAM和SRAM两大类,其中常说的内存主要指DRAM,也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队近日实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间今天凌晨,相关工作以《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》为题在线发表于《自然·纳米技术》。
FSMC:灵活的静态存储控制器,能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接,STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器。