日前,三星电子发布,其全球首家批量生产20纳米级工艺的4GbLPDDR2DRAM,旨在全面扩大其4GbDRAM市场。三星电子继2012年3月开始批量生产20纳米级8GBDDR3笔记本电脑模块,4月又开始批量生产20纳米级4GbLPDDR2DRAM,从而
日圆升值,加速日本整合元件大厂(IDM)委外释单,除了近期外传瑞萨将大举释单台积电外,包括日月光(2311)、京元电、力成、超丰、矽格、泰林及华东等,拓展日本市场也频传捷报。封测业者透露,IDM委外释单长期以来
如图所示,用一个具有容性响应的传感器和一只PIC微控制器(MCU)就可以构成一个相对湿度计。其中Humirel公司提供的HS1101型传感器的电容取值范围为162 ~202pF。使用一个TLC555 CMOS 定时器作为振荡器,完成从电容到频率
软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的,包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如,如果为音频、视
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泰林(5466)本季受惠DRAM存储器测试量回升,且混合讯号和逻辑IC测试持稳,加上来自日本客户MEMS电子罗盘测试代工量逐步放大,法人表示,本季的季增率有机会达10~15%。 法人表示,泰林的DRAM存储器测试量第2季逐步
在现有塔吊控制室控制的基础上,结合微型计算机控制技术,本研究提出一种低功耗、自动CRC校验码、软件编码和硬件译码、接收器采用无记忆控制且具有高抗干扰能力和高可靠性的塔吊无线遥控系统,既保证了安全操作又大幅
日前,三星电子发布,其全球首家批量生产20纳米级(1纳米=10亿分之一米)工艺的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。三星电子为满足消费者的需求,继2012年3月开始批量生产20纳
日前,三星(微博)电子发布,其全球首家批量生产20纳米级(1纳米=10亿分之一米)工艺的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。三星电子为满足消费者的需求,继2012年3月开始批量生
经过课题组成员的艰苦努力,并通过一系列其他技术难题的攻克,潘建伟小组最终成功实现了3.2毫秒的存储寿命及73%的读出效率。该成果为目前国际上量子存储综合性能指标最好的实验结果。论文审稿人认为该工作“是朝
摘要:从FIR数字滤波器的基本结构模型出发,分析了FIR滤波器的设计思路及具体实现方法,详细介绍了FIR滤波器的分布式算法(DA)结构。通过分析计算,得到普通DA结构实现高阶滤波器会消耗大量的查找表资源,这样的资源消
5月21日消息,据媒体报道,英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍。电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的
复杂可编程逻辑器件—FPGA技术在近几年的电子设计中应用越来越广泛。FPGA具有的硬件逻辑可编程性、大容量、高速、内嵌存储阵列等特点使其特别适合于高速数据采集、复杂控制逻辑、精确时序逻辑等场合的应用。而应
基于FPGA技术的存储器设计及其应用
摘要:利用功能强大的FPGA实现视频图像的一种运动估计设计,采用的搜索方法是三步搜索法。在进行方案设计时,本文采用了技术比较成熟的VHDL语言进行设计,并使用Quartus II软件进行时序仿真。由仿真结果可知,无论是
5月19日消息,英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍。电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的特
摘要:从FIR数字滤波器的基本结构模型出发,分析了FIR滤波器的设计思路及具体实现方法,详细介绍了FIR滤波器的分布式算法(DA)结构。通过分析计算,得到普通DA结构实现高阶滤波器会消耗大量的查找表资源,这样的资源消
英研发新型存储器 速度比闪存快百倍
摘要:利用功能强大的FPGA实现视频图像的一种运动估计设计,采用的搜索方法是三步搜索法。在进行方案设计时,本文采用了技术比较成熟的VHDL语言进行设计,并使用Quartus II软件进行时序仿真。由仿真结果可知,无论是
“没有人想在全新的技术上冒险。”印第安纳波利斯市(Indianapolis)规模计算公司(Scale Computing)的创始人雷迪(Jeff Ready)说道。小型公司在这点上尤其胆小,但那正是这位现年37 岁的企业家和他的数