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回流焊工艺流程介绍
回流焊是一种用于将电子元件焊接到PCB板上的工艺技术，因其加热方式类似于河流回流而得名。该工艺主要通过热传导方式将热量传递给焊料，使焊料熔化并与元件引脚和PCB板上的铜箔进行冶金结合，实现元件与PCB板的可靠连接。回流焊工艺具有自动化程度高、焊接质量稳定可靠等优点，广泛应用于电子制造领域。本文将对回流焊的工艺流程进行详细介绍。
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美国豁免后三星升级西安半导体工厂设备工艺
业内消息，近日三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。知情人士透露三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并开始大规模扩张。
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在PCB设计工艺中对DFM技术会有哪些要求？
随着电子产品向小型化、轻量化、高性能化方向发展，PCB 设计工艺中的 DFM 技术越来越受到业界的重视。本文从 DFM 技术的定义、要求以及应用等方面进行了详细的阐述，以期为 PCB 设计人员提供有益的参考。
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集成电路产业面临挑战及发展方向是什么？
自改革开放以来，随着市场化力量的不断增强，中国集成电路产业也在不断地蓬勃发展。目前，我国已成为全球第一大集成电路制造国，但还不是强国。中国集成电路产业在新时代面临着难得的发展机遇，但同时也面临着一系列重大的挑战和考验。当前，在全球价值链重构背景下，我国集成电路产业正处于快速发展期，并已形成一定规模，具备较强竞争力。发展的有利条件和机遇，源于市场优势的快速扩张和多元化，产业链生态系统的不断演化，以及国内企业创新能力的持续积累;在国内市场竞争日益国际化的背景下，资金投入的持续高强度和高素质人才的供应不足，以及国际合作环境的恶化等问题，都是摆在我们面前的巨大挑战。当前我国集成电路产业正处在转型升级关键期，亟需从政策导向、制度体系、技术创新和人才培养等方面着力解决存在的突出问题，以加快实现向全球价值链中高端攀升。
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预计到了 2028 年，这个 1nm 工厂的耗电量就相当于全台 2.3% 的用电量了
台积电1nm全球旗舰工厂将落地竹科龙潭园区，目前该项目已经启动并进行项目审批，一切进展顺利。
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碳化硅功率器件与模块双驱发力，上海瀚薪加速推进产业升级
瀚薪拥有自主知识产权及专利的器件设计和工艺研发的能力，并另外开启了碳化硅模块赛道，这离不开其前期构建的技术基石和丰富的研发设计经验。
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为什么电子胶黏剂越来越需要定制化？
“在中国，你可以轻易找到绝大部分世界上知名原材料供应商和设备供应商的产品，开发定制化产品所需的工业支撑要素在国内非常齐全，所以我们中国胶水厂家的反应速度和时效性都很快。” 上海汉司实业有限公司副总经理吴海平告诉探索科技（techsugar）
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英特尔的三道坎
当前半导体行业确实不是帕特·基辛格离开英特尔时一超多强的格局，新业务拓展乏力以及在制造工艺上不断跳票，损害了英特尔的业界声誉，虽然销售额上看英特尔仍高居榜首，但远没有前些年的一呼百应，帕特·基辛格的路子很正，但能否带领英特尔走向更辉煌，还有三道坎要迈过。
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从汉高创新方案看电子材料粘合剂如何适应性发展？
电子产品不断趋于微型化、轻量化，电子元器件不断集成化，元器件的组装和后续的生产工艺更加精密，自然而然地也对电子材料粘合剂（胶水）提出了更高的适应性要求。
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半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面
没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头，接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜，而且成本太高，有多少代工厂能负担得起尚不可知。不过，幸运的是，这并不是唯一的选择。围点打援似乎也是可以接受的选择：纳米片、先进封装和新的器件架构，可以肯定都将有助于行业赶上摩尔定律的脚步
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欧盟欲拉拢三星、台积电，“去美化”潮欧洲或许还赶不上
据麦肯锡分析，欧洲若想在处理器和存储芯片方面追赶上东亚和美国，至少要10年到15年的时间，而目前看不到任何可能追赶上的迹象。在制造工艺方面，欧盟想从后赶上台积电和三星谈何容易？以各种激励措施吸引台积电和三星到欧洲兴建晶圆厂，确实是一种更实际的做法。
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GPU“核战”升级
在工艺受限的前提下，中央处理器（CPU）单核性能提升空间被压缩，在多年前已经开始多核架构，如今多核已经成为CPU主流配置。相对而言，图形处理器（GPU）在多核发展上，并不是很主流，尤其在移动端设备，通常还是单核主打，现如今这一局面将会改变。
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天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案
随着集成度的提高，雷达模块成本不断下降，相比砷化镓工艺雷达，硅锗工艺雷达成本能下降一半，而加特兰全球最早量产的天线内置多通道毫米波雷达SoC，基于CMOS工艺（即硅工艺），可以把成本降低到砷化镓工艺的五分之一。
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1nm工艺正在一步步逼近，摩尔定律是否就此将“失效”了呢？
众所周知，芯片工艺每进阶1nm，投入就是几何级增长，3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元，1nm工艺的投资计划高达320亿美元，轻松超过2000亿元，成本要比前面的工艺高多了。
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预计到2028年，1nm工厂的耗电量就相当于所有代工2.3%的用电量
众所周知，芯片工艺每进阶1nm，投入就是几何级增长，3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元，1nm工艺的投资计划高达320亿美元，轻松超过2000亿元，成本要比前面的工艺高多了。
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SoC开发为何需要从原子到系统一贯式设计流程？
芯片设计复杂度不断提升，而芯片开发的时间窗口并未延长。这意味着，一方面，芯片开发团队需要信任成熟技术，大量复用IP；另一方面，新技术引入前需要更全面的分析仿真，以确保引入的新技术与工艺及成熟技术兼容。
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“特色工艺”会是中国集成电路发展的机会吗？
非尺寸依赖的特色工艺是否可以成为中国集成电路发展的机遇所在？“1965年，戈登·摩尔受电子学杂志邀请，根据自己产业经验以及贝尔实验室晶体管技术写了篇文章，推算出了摩尔定律——预测芯片中的晶体管数量每年会翻番。10年后的IEDM会议上，戈登·摩尔在报告中将每年改为了每两年。而这条摩尔定律，指导了整个集成电路的发展。”
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Brewer Science：半导体工艺进步引领材料科技发展新方向，先进封装市场增长快
接近物理极限之后，半导体工艺的每一点进步，都会影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV（极紫外光设备）设备，必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。“光刻最重要的就是三光，即光刻机、光源和光刻胶，这三光都做好，光刻就没有什么特别的地方，”Brewer Science亚洲营运总监汪士伟（Stanley Wong）告诉探索科技（TechSugar）， 光刻过程中的“三光”做好并不容易，以光刻胶反射涂层为例，当光源照射在衬底上的时候如果发生发光，会造成驻波，从而导致刻蚀时线做不直，“在0.5微米工艺时代，有反光还能接受，但到0.25微米、0.18微米或90纳米工艺以后，如果反光控制不好，就无法完成光刻工艺。”
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科天（KLA-Tencor）：制程管控这门生意
如今工艺节点不断微缩，从90nm、65nm、45nm、28nm、14nm、10nm、7nm，再到5nm、3nm、1nm，晶体管数量越来越多，单颗芯片中晶体管数量超过数十亿个。不仅如此，工艺步骤也在增多，制造工艺可能包括1000个以上的工艺步骤，外加上超过1英里长的电路布线，这些所有的品质都集中体现在一颗小小的晶圆上，而其中任意一个步骤出现问题，整个芯片就会报废。
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大规模商用还需IP支持，图像处理应用或是FD-SOI落地关键
“世界日趋复杂，技术向前发展遇到了越来越多的问题，要更好地应对挑战，就需要差异化解决方案。”在第六届上海FD-SOI论坛上，格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
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