受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬碟(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。
随着AI、大数据等应用的兴起,业界对于存储的要求达到了一个新的高度。但现在主流的存储中,NAND的传输速度比较慢,而传输较快的DRAM则是易失性的,这就推动存储供应商往下一代的存储进军,其中ReRAM就是其中一个代表。
据消息称,联发科今年下半年将重返高端移动处理器市场,从而再次向高通发起挑战。报道称,为了迎接5G时代的到来,联发科最早将于2018年下半年重返高端移动处理器市场,再次推出Helio X旗舰智能手机芯片组。而今年上半年,联发科仍将以Helio P系列中端产品为主。
近日,英特尔被曝出他们的处理器存在一个安全漏洞,这一漏洞能够导致不良之徒访问到个人电脑内核访问的内存数据,其中包括用户账号密码、应用程序文件,文件缓存等。比较彻底的解决办法是从硬件层面上修复。
Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器,为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。
美国加州大学柏克莱分校与国家实验室的研究人员正着手打造一种分子大小的形变记忆体技术,它只需要几个原子,就可以将0与1当做形状进行储存,而且能搭配未来的原子级处理器…
近日,根据一份来自IDC最新的有关企业级SSD闪存市场的报告显示,SSD企业级市场未来前景依然强劲,2016年到2021年期间,出货量、收入和总出货容量预计都会呈现显著增长。IDC预计全球SSD出货量的5年复合年增长率将达到15.1%。SSD行业收入预计到2021年达到336亿美元,复合年增长率为14.8%。
今日,国新办就北斗系统开通五周年有关情况举行新闻发布会。中国卫星导航系统管理办公室主任、北斗卫星导航系统发言人冉承其介绍,我国国产北斗芯片实现规模化应用,工艺由
很多时候,人们没有水晶球,无法判断未来,询问CEO对业绩的展望,也不能只听他嘴里说什么,还要看看公司通过的资本支出额到底有多少。当资本支出大增,真的花钱买厂房、机台与设备,才真正代表CEO已掌握大订单,或对未来接单展望很乐观。
对于比特币的估值,分析师的看法明显趋向极端。一派随着价格走高一路喊高,似乎10万、100万美元指日可待,另一派直呼泡沫即将破灭。摩根士丹利(Morgan Stanley)明显属于后者。
摩尔定律在20年前就被唱衰,但直到现在,半导体工程师们仍然发扬钉子精神,从方寸之地腾挪出无限空间。
根据最近在微博流传的跑分数据,华为(Huawei)新一代“麒麟 970”(Kirin 970)处理器,比高通(Qualcomm)“骁龙 845”(Snapdragon 845)的得分还要高出 7%。
近期编码型存储器(Nor Flash)因市场需求不减,价格依旧持续维持高档。不过,目前大陆有新产能开出,加上新的解决方案应用,导致供需双方面都有变化的情况下,整体市场价格开始有松动倾向。
石墨烯,2004年重新发现的神奇材料以及其他许多二维材料正在半导体制造领域取得进展,这一切源于硅的适用价值开始逐渐消失。 虽然已经有很多砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物在应用中,但是这些材料通常只能在局部市场的特定领域上应用。
Intel与AMD都承认了他们在合作打造一款Intel CPU+AMD GPU的移动版处理器,CPU部分来自Intel第八代酷睿处理器,GPU部分由AMD的Vega,并且会使用HBM2显存节省空间,具体细节之前是不清楚的,不过近日有人找到了些蛛丝马迹。
经过十多年的沉潜,次世代内存的产品,包含FRAM(铁电内存),MRAM(磁阻式随机存取内存)和RRAM(可变电阻式内存),在物联网与智能应用的推动下,开始找到利基市场。
日前,美国知名科技媒体Android Authority主笔Gary Sims对麒麟970进行了深度解读,讲述了麒麟970的人工智能NPU的工作原理,对芯片设计的深远影响,以及为用户使用场景带来的跨越式体验。
近日,欧洲半导体巨头NXP公司对其代理商发出了涨价通知。通知称,将从2018年第一季度开始对NXP旗下MCU(微控制器)、数字化网络、汽车微控制器等主要产品上调价格。涨价幅度在5%—10%不等,这标志着半导体巨头打响了2018年MUC芯片涨价的第一枪。
据报道,三星电子宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。
近日,英特尔宣布推出英特尔® Stratix® 10 MX FPGA,该产品是行业首款采用集成式高带宽内存 DRAM (HBM2) 的现场可编程门阵列 (FPGA)。通过集成 HBM2,英特尔 Stratix 10 MX FPGA 可提供 10 倍于独立 DDR 内存解决方案的内存带宽1。凭借强大带宽功能,英特尔 Stratix 10 MX FPGA 可用作高性能计算 (HPC)、数据中心、网络功能虚拟化 (NFV) 和广播应用的基本多功能加速器,这些应用需要硬件加速器提升大规模数据移