Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an
事件:公司发布三季报。扣除一次性损失后净利润增长49%,毛利率在较高水平在前三季度,公司实现营业收入17.4 亿元,同比增长56%;实现净利润1.5 亿元,同比增长31%。三季度单季的营收和净利润分别为6.5 亿元和4800 万元,同
测试厂台星科(3265)携手母公司星科金朋(STATS ChipPAC),成功囊括局端及终端4G晶片测试大单,第4季营运淡季不淡外,明年营收及获利均将明显优于今年。 两岸4G发照引爆数千亿元以上基础建设投资及智慧型手机采
PAULA DOE指出,受市场需求影响,半导体产业对于基于6吋晶圆的LED自动化生产的标准渐渐达成一致。随着市场对于高亮LED的需求大增,无晶圆厂在过去的五年里增加了100个,目前全球总数为169个,整个产业外延片的生产规
半导体龙头厂台积电预计明年资本支出将达百亿美元,维持高档,随着台积电拉高20nm与16nm的产能,已要求合作夥伴扩产,专家指出,半导体晶圆及封测等大厂资本支出高成长,这带动近期半导体设备厂及耗材股表态大涨,今
半导体龙头厂台积电预计明年资本支出将达百亿美元,维持高档,随着台积电拉高20nm与16nm的产能,已要求合作夥伴扩产,专家指出,半导体晶圆及封测等大厂资本支出高成长,这带动近期半导体设备厂及耗材股表态大涨,今
发光二极体(LED)上游材料蓝宝石基板供应商RubiconTechnology,Inc.于29日美国股市收盘后公布2013年第3季(7-9月)财报:营收季增4.7%至1,110万美元;受产品组合、产能利用率降低抵销2-4寸蓝宝石芯材价格上扬的利多影响,
核心提示:NANIUM宣布为其扇出晶圆级封装 (FOWLP) 技术——即内嵌式晶圆级球栅阵列 (eWLB) ——引入一项改进的绝缘材料和工艺解决方案。这些改进措施提高了eWLB的可靠性,能够将现有技术平台扩展至要求更为严苛的市场
21ic讯 欧洲最大的外包半导体组装与测试 (OSAT) 服务供应商 NANIUM S.A. 宣布为其扇出晶圆级封装 (FOWLP) 技术——即内嵌式晶圆级球栅阵列 (eWLB) ——引入一项改进的绝缘材料和工艺解决方案。
发光二极体(LED)上游材料蓝宝石基板供应商Rubicon Technology, Inc.于29日美国股市收盘后公布2013年第3季(7-9月)财报:营收季增4.7%至1,110万美元;受产品组合、产能利用率降低抵销2-4寸蓝宝石芯材价格上扬的利多影响
花莲昨晚发生里氏规模6.3大地震,全台有感,新竹科学园区、台南科学园区的地震震度约3级,地震在可承受范围,对晶圆厂、以及面板厂营运都没有造成任何影响。台积电及联电指出,地震都在可承受范围,所以没有影响到厂
中美晶(5483-TW)董事会今(31)日通过第3季财报,1至9月合併营收为163.60亿元,税后淨利为3.68亿元,税后每股盈馀(EPS)为0.71元;而旗下子公司环球晶圆贡献税后每股盈馀5.15元。另外中美晶将在11月12日参加柜买法说会。
国硕(2406)10月并入威富光电股权后,矽晶圆年产能已达到400MW(百万瓦),该公司董事长陈继仁(见附图)今(31)日表示,公司仍在持续扩产,预计11月产能可进一步提升至450MW,明年1、2月即可达到600MW的目标;此外,在中国
联电(2303-TW)(UMC-US)今(30)日召开线上法说同时发布展望;联电预估第4季受季节库存修正等因素影响出货季减8%至10%;本业损平。另外,联电回应高盛等提问指出,维持28奈米在年底低个位数贡献;明年资本支出规划将在下
半导体龙头厂台积电预计明年资本支出将达百亿美元,维持高档,随着台积电拉高20奈米与16奈米的产能,已要求合作夥伴扩产,专家指出,半导体晶圆及封测等大厂资本支出高成长,这带动近期半导体设备厂及耗材股表态大涨
联电(2303)今(30)日召开法说,公布2013年Q3财报,营业收入为334.1亿元,与上季的319.1亿元相比,增加4.7%,略优于财测预估的季增3~4%,较去年同期的301.7亿元则成长10.7%。另外,Q3毛利率为22.0%,营业净利率为7.2%,
联电(2303)今(30)日召开法说,关于Q4营运展望,联电执行长颜博文预估,联电Q4晶圆出货量将季减8~10%,以美金计价的产品ASP将季减2%,而晶圆本业的营业利益估仅将在损平点附近徘徊,晶圆厂Q4稼动率估达75%上下(mid 70
宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电子器件的高压、高频、
作为国内最大、最先进的半导体制造商,中芯国际(SMIC)已经成立了新的“视觉、传感器与3D集成电路”(CVS3D)研发中心,集中力量重点攻关硅传感器、TSV硅通孔和其它中端晶圆处理(MEWP)技术。为了进一步提升晶体管集成度
作为国内最大、最先进的半导体制造商,中芯国际(SMIC)已经成立了新的“视觉、传感器与3D集成电路”(CVS3D)研发中心,集中力量重点攻关硅传感器、TSV硅通孔和其它中端晶圆处理(MEWP)技术。为了进一步提升晶