台积电14厂P6厂区在建工程一景。(钜亨网记者尹慧中摄) 台积电(2330-TW)(TSM-US)今(3)日对媒体展示14厂区域规划与新进完整布局;台积电发言人孙又文表示,台积电16奈米年底试产进度领先竞争对手,而超超大晶圆14
台积电(2330)研发大将蒋尚义退休的利空淡化,台积电今早股价开平走高,守稳百元关卡。台积电持续推进高阶制程,下世代的20、16奈米产能将陆续于明后年大量开出,其生产重镇位于南科的的台积电晶圆十四厂也将于本周四
当前,电器和移动AV设备市场上,智能手机和平板PC成长迅猛。智能手机的全球销量从2012年的6.5亿部增加到2013年的7.9亿部。预计2015年将达到10亿部。类似地,PC的全球销量从2011年的1.2亿台增加到2013年的1.6亿台。预
2013年9月20日,日本东北大学为可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线“三维超级芯片LSI试制生产基地(GINTI:GlobalINTegrationInitiative)”举行了竣工仪式。向业界相关人士及媒体公开了2013年3月在索尼仙台技术中心
据悉,晶电尚未敲定2014年资本支出,不过为因应往年旺季产能满载情况,明年新增的MOCVD机台,将至少是10~15台起跳,且至少是4寸以上的机台,目前月产能为120万片~150万片,产能规模将持续攀高,MOCVD机台
铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说,是因为除了移动产品用处理器和内存外,其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽,并采取更好的散热措施。目前全
9月20日,日本东北大学为可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线“三维超级芯片LSI试制生产基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”举行了竣工仪式。向业界相关人士及媒体公开了2013年3月在索尼仙台技术中心(宫城
据悉,晶电尚未敲定2014年资本支出,不过为因应往年旺季产能满载情况,明年新增的MOCVD机台,将至少是10~15台起跳,且至少是4寸以上的机台,目前月产能为120万片~150万片,产能规模将持续攀高,MOCVD机台总数将突破
据悉,晶电尚未敲定2014年资本支出,不过为因应往年旺季产能满载情况,明年新增的MOCVD机台,将至少是10~15台起跳,且至少是4寸以上的机台,目前月产能为120万片~150万片,产能规模将持续攀高,MOCVD机台总数将突破
9月20日,日本东北大学为可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线“三维超级芯片LSI试制生产基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”举行了竣工仪式。向业界相关人士及媒体公开了2013年3月在索尼仙台技术
据悉,晶电尚未敲定2014年资本支出,不过为因应往年旺季产能满载情况,明年新增的MOCVD机台,将至少是10~15台起跳,且至少是4寸以上的机台,目前月产能为120万片~150万片,产能规模将持续攀高,MOCVD机台
2013年9月20日,日本东北大学为可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线“三维超级芯片LSI试制生产基地(GINTI:GlobalINTegrationInitiative)”举行了竣工仪式。向业界相关人士及媒体公开了2013年3月在索尼仙台技术中心
联电24日重申早先法说会释出的28奈米在今年底营收贡献目标为个位数百分比。对联电,外资未有调高目标价的报告,而内资法人出具的最新报告则从中立转买进、喊出调高目标价至18元,也是内资近1年半来的最高价,并使内外
联电24日重申早先法说会释出的28奈米在今年底营收贡献目标为个位数百分比。对联电,外资未有调高目标价的报告,而内资法人出具的最新报告则从中立转买进、喊出调高目标价至18元,也是内资近1年半来的最高价,并使内外
2013年9月20日,日本东北大学为可处理300mm晶圆的三维LSI试制生产线“三维超级芯片LSI试制生产基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”举行了竣工仪式。向业界相关人士及媒体公开了2013年3月在索尼仙台技术中
联电24日重申早先法说会释出的28奈米在今年底营收贡献目标为个位数百分比。对联电,外资未有调高目标价的报告,而内资法人出具的最新报告则从中立转买进、喊出调高目标价至18元,也是内资近1年半来的最高价,并使内外
据悉,晶电尚未敲定2014年资本支出,不过为因应往年旺季产能满载情况,明年新增的MOCVD机台,将至少是10~15台起跳,且至少是4寸以上的机台,目前月产能为120万片~150万片,产能规模将持续攀高,MOCVD机台总数将突破
近日消息,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发的转变,以降低成
据中国国防科技信息网报道,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发
联电(2303-TW)今(24)日重申早先法说会释出的28奈米在今年底营收贡献目标为个位数百分比。对联电,外资未有调高目标价的报告,而内资法人出具的最新报告则从中立转买进、喊出调高目标价至18元,也是内资近1年半来的最