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三星称可用玻璃制超大尺寸显示屏
据国外媒体报道，三星电子周一称，其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破，将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称，三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出单晶氮化镓。这
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三星声称在LED技术上取得突破性进展
据国外媒体报道，三星电子周一宣布，公司研究人员已经在LED(发光二极管)技术上取得突破性进展，现在已经能够利用普通玻璃比如窗户玻璃来生产超大尺寸的高级显示屏面板。三星高级技术研究所(Samsung Advanced Institu
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三星称突破LED技术 可用玻璃制超大尺寸显示屏
10月11日消息，据国外媒体报道，三星电子周一称，其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破，将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称，三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出
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三星称突破LED技术 可用玻璃制超大尺寸显示屏
10月11日消息，据国外媒体报道，三星电子周一称，其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破，将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称，三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出
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美国高速武器数据链技术取得重大突破
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成，目标是改进武器数
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美国高速武器数据链技术取得重大突破
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成，目标是改
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东莞LED产业链坚挺 东莞中镓半导体1年从一千万到一亿
1千万元到1亿元的距离，东莞中镓半导体公司（以下简称中镓半导体）觉得不远，今年直指1亿元产值目标，而去年产值才1千万元。 中镓半导体的1亿元产值，即便在东莞也不算多。led产业已列入广东省战略性新兴产业。去年，
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宜普电源转换公司推出氮化镓场效应晶体管EPC2012
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
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宜普电源转换公司推出氮化镓场效应晶体管EPC2012
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
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志在取代蓝宝石制程 Bridgelux：两年内推矽基板
台积电(2330)转投资的LED照明技术及解决方案研发与制造厂商Bridgelux公司今早宣布，其刷新自己创下在业界「氮化镓上矽」技术（GaN-on-Si）最高每瓦流明纪录。Bridgelux技术长Steve Lester指出，公司对于这个领域的进
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普瑞未来两年内制造出硅衬底LED芯片
近日，普瑞宣布将在未来两年预计制造基于硅衬底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻碍了LED照明在通用照明领域的普及，普瑞希望通过此举可降低大约20%至30%LED照明成本。普瑞公司战略和发展副总裁Bullington表示
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普瑞将在未来两年内制造出硅衬底LED芯片
近日，普瑞宣布将在未来两年预计制造基于硅衬底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下，阻碍了LED照明在通用照明领域的普及，普瑞希望通过此举可降低大约20%至30%LED照明成本。普瑞公司战略和发展副总裁Bullington表示
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Kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶衬底
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底，尺寸为10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘
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Kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶衬底
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底，尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
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Kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶衬底
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底，尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
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中国LED产业规模分析（图）
赛迪顾问表示，从2003年启动国家半导体照明工程到现在，中国的led产业已经获得了长足的发展。2008年，受全球金融危机的影响，LED行业下游需求低迷，LED行业增长减慢。到2009年，由于国家的各项配套政策，LED行业的增
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东莞垂直整合LED产业链 圈定八大战略新兴产业
转播到腾讯微博 东莞，正发动一场科技创新促进产业转型升级和转变经济发展方式的“诺曼底登陆”。东莞市科学技术局局长何跃沛昨日接受南都记者专访时介绍，一份支撑和引领东莞市经济社会发展的科技创新的专
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2011年GaN LED市场有望增长38% 达到108亿美元
IMS Research最新发布的“氮化镓季度led供需报告”中指出，2011年氮化镓（蓝/绿）LED市场销量预计将增长49％至62亿个，销售额将增长38％至108亿美元，而2010年氮化镓（蓝/绿）LED市场的销售额增长67％至80亿美元。 I
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世界最大的氮化镓LED MOCVD反应器诞生 LED制造成本有望下降
来自AIXTRON SE公司官方网发布的消息，AIXTRON SE最新推出的CRIUS II-L MOCVD反应器将MOCVD反应器的容量，生产能力和led生产成本都提升到新的高度，成为世界上最大容量的MOCVD反应器。该MOCVD反应器具有生产16x4英寸
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科锐商用无线射频的发货量已突破10兆瓦
科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓 (GaN-on-SiC) RF 功率晶体管和 MMIC 产品的合计 RF 输出功率已突破 10 兆瓦。这一里程碑式成果充
