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成本下降给力 LED灯泡廉价时代即将到来
成本一直是一个主要障碍，妨碍著人们购买高能效LED灯泡。现在，世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已经完善技术，能显著降低LED的生产成本。 白色LED的制备
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LED球泡灯成本将显著降低
成本一直是LED照明一个主要障碍，妨碍著人们购买高能效LED球泡灯。现在，世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已经完善技术，能显著降低LED的生产成本。白光LED的制备
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欧司朗新技术可取代蓝宝石衬底 大幅降低LED生产成本
据物理学家组织网近日报导，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管（LED）的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在矽衬底上生产出了氮化镓L
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欧司朗在矽衬底上成功生产出了氮化镓LED芯片
据悉，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管（LED）的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在矽衬底上生产出了氮化镓LED芯片，取代了目前普
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氮化镓在射频通信中应用
氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。与现有技术相比，氮化镓（GaN）的优势在于更高的漏极效率、
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欧司朗在矽衬底上成功生产出了氮化镓LED芯片
据悉，一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管（LED）的生产成本，进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在矽衬底上生产出了氮化镓LED芯片，取代了目前普
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东芝普瑞携手：8英寸LED芯片实现突破
据悉，领先的LED照明技术及解决方案开发商和制造商普瑞光电公司与世界领先的半导体制造商东芝公司今日宣布，在年初两家公司达成合作协定短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽基氮化镓LED芯片。该芯片仅
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东芝普瑞携手：8英寸LED芯片实现突破
据悉，领先的LED照明技术及解决方案开发商和制造商普瑞光电公司与世界领先的半导体制造商东芝公司今日宣布，在年初两家公司达成合作协定短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽基氮化镓LED芯片。该芯片仅
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未来5年 氮化镓衬底引领LED衬底发展潮流
在当今日美垄断LED芯片核心技术的格局下，中国LED企业如何打破格局，完成技术攻坚，促进LED发展显得尤为重要。目前，LED衬底类别包括蓝宝石、碳化硅、硅以及被称为第三代半导体材料的氮化镓。与传统衬底材料相比，氮
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RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HV工艺技术
高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，扩展其RFMD 业界领先的氮化镓工艺技术，以包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新
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积极物色代工厂普瑞明年量产矽基氮化镓LED
普瑞光电(Bridgelux)正与全球半导体大厂洽谈代工生产矽基氮化镓(GaN-on-Silicon,简称GaN-on-Si)发光二极体(LED)细节，预定2013年初导入量产。普瑞光电行销副总裁JasonPosselt表示，继八吋晶圆厂后，普瑞光电下一步寻
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王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”
半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通信、网络、航空、航天、国防等领域得到广泛应用，给电子工业带来革命性的影响。2010年，全球半导体市场达到2983亿美元，拉动上万亿美元
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LED2.0比普通LED明亮10倍
2月9日，美国加州的创新公司Soraa宣布推出自己的旗舰产品――被称为LED2.0技术的发光二极管(LED)照明产品。 据悉，Soraa公司发明的这种新型LED灯泡，比普通LED明亮10倍。一个12瓦的灯泡，其明亮程度同50瓦的卤素灯泡
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Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16灯
Soraa是世界领先的氮化镓开发商，开发了世界上第一个商业氮化镓LED产品。Soraa成立于2008年，创办人之一的中村修二拥有“蓝光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗舰产品——被称为LED2.0技术的LED照明产品
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产业冷清晶能光电成烫手山芋 金沙江累计投资超1亿美元
2011年9月，美国LED芯片制造商BridgELux(以下简称“普瑞光电”)公司首席执行官Bill Watkins透露，公司计划裁掉利弗莫尔总部共250名员工中的53名，约五分之一。同时，公司决定将重心从蓝宝石衬底LED制造转移至成本更低
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RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块
21ic讯 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块 RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术，可在频率 45 至 1003MHz 范围
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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材
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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材
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纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好
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苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材
