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新思科技完整实施流程助力英飞凌芯片设计
新思科技有限公司（Synopsys Inc.）日前宣布：英飞凌科技（西安）有限公司通过采用新思完整的、基于统一功率格式（UPF）的低功耗综合、物理实现和验证流程，完成了国内首款采用40nm工艺技术的3G智能手机基带处理器设
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新思科技助力英飞凌40纳米3G基带处理器芯片设计和一次流片成功
全球半导体设计及制造软件和知识产权领先供应商新思科技有限公司（Synopsys Inc.）日前宣布：英飞凌科技（西安）有限公司通过采用新思完整的、基于统一功率格式（UPF）的低功耗综合、物理实现和验证流程，完成了国
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新思助力英飞凌40nm芯片设计流片
全球半导体设计及制造软件和知识产权领先供应商新思科技有限公司（Synopsys Inc.）日前宣布：英飞凌科技（西安）有限公司通过采用新思完整的、基于统一功率格式（UPF）的低功耗综合、物理实现和验证流程，完成了国
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新思科技助力英飞凌实现40纳米3G基带处理器芯片设计成功
新思科技有限公司日前宣布：英飞凌科技(西安)有限公司通过采用新思完整的、基于统一功率格式(UPF)的低功耗综合、物理实现和验证流程，完成了国内首款采用40nm工艺技术的3G智能手机基带处理器设计，并按照时间计划成功
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士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《
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多串口单一中断源的芯片设计
随着单片机技术越来越广泛的应用，使得串口资源愈显紧缺，为了解决这个问题，本文采用自顶向下的﹑模块化的设计思想，结合单片机的读写操作，设计了一多串口单一中断源的芯片，并采用 ModelSim软件对所设计芯片进行逻辑和时序的仿真，本设计在实际应用中具有较高的参考价值。
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ARM与台积电签署芯片代工与芯片设计技术合作协议
ARM与其长期代工合作伙伴台积电公司近日宣布双方已经正式签署了由台积电公司使用28/20nm制程技术为ARM公司代工新款SOC芯片的合作协议。根据这份协议，台积电公司将为ARM代工多款专门针对台积电的制程技术优化过的ARM
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来自美国硅谷的信息(上)
2010年6月7日至6月10日，GlobalPress公关公司在美国硅谷举办了亚洲媒体发布会，此次的参会厂商给予媒体的一个强烈信号是半导体产业正在加快复苏的步伐，而亚太地区是新的掘金地。下面让我们一起来看看参会的几家厂商
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中国半导体产业的下一个十年
毋庸置疑，中国本土半导体产业正面临难得的机遇。随着市场发展，国际半导体公司在中国市场的弱点日益暴露，比如不适应中国高度分散的市场特点；流程复杂，本地服务快速反应能力不佳；很少将中国公司作为真正的Tier o
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思源科技LAKER系统获得TSMC 28nm模拟与混合讯号参考流程认证
专业IC设计软件全球供货商思源科技日前宣布，Laker系统获得TSMC开发的28nm模拟与混合讯号(AMS)参考 流程1.0认证合格。将Laker系统整合到TSMC参考流程，产生具LDE(layout dependent effect)认知功能的设计实现方法，提
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新一代芯片设计专享的定制数字版图
本文详细说明了一家消费类产品市场中大型无晶圆半导体公司的数字IC设计团队如何活用标准化工具的互操作性，以维护大型、讲求性能的40纳米设计的手工版图优势。该团队已经在多家供应商工具的协助下，通过Silicon Inte
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ARM CEO：ARM应独立运作，不建议收购
ARM CEO：ARM应独立运作，不建议收购
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思源Laker系统获TSMC 28nm参考流程认证
思源科技(SpringSoft)宣布，Laker系统获得台积电(TSMC)开发的28nm模拟与混合讯号(AMS)参考流程1.0认证通过。将 Laker 系统整合在 TSMC 参考流程，产生具 LDE (layout dependent effect)认知功能的设计实现方法，可
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思源Laker获台积电28奈米流程1.0认证
思源近期积极拓展与晶圆代工龙头台积电合作，15日宣布其Laker系统获得台积电开发的28奈米模拟与混合讯号(AMS)参考流程 1.0认证合格。未来思源将Laker系统整合到台积电参考流程，产生具LDE(Layout Dependent Effect)认
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回看过去10年芯片仿真验证
全球IC设计与10年之前有很大差别，那时EVE公司刚开始设计它的第一个产品。在2000年时半导体业正狂热的进入一个新时代。 回看那时，工艺技术是180纳米及设计晶体管的平均数在2000万个。一个ASIC平均100万门，而大的
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回看过去10年的芯片设计
全球IC设计与10年之前有很大差别，那时EVE公司刚开始设计它的第一个产品。在2000年时半导体业正狂热的进入一个新时代。回看那时，工艺技术是180纳米及设计晶体管的平均数在2000万个。一个ASIC平均100万门，而大的设计
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TSMC宣布三项能加速系统规格至芯片设计完成时程的创新技术
TSMC 7日宣布扩展开放创新平台服务，增加着重于提供系统级设计、类比/混合讯号/射频设计(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二维/三维集成电路(2-D/3-D IC)的设计服务。TSMC亦同时针对上述新增的服务，宣布开放创新
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「台积电扩展开放创新平台服务」重点摘录
TSMC6月7日宣布扩展开放创新平台服务，增加着重于提供系统级设计、类比/混合讯号/射频设计(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二维/三维集成电路(2-D/3-D IC)的设计服务。TSMC亦同时针对上述新增的服务，宣布开放创
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台积电创新平台
台积电设计建构营销处资深处长庄少特表示，该公司在2年前的开放创 新平台已为设计生态环境合作订立了标准，如今为因应市场需求，在相同的合作精神下，台积电此次并扩增系统级芯片设计服务。 台 积电的开放创新平
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扩展开放平台服务 台积电宣布3项创新技术
台积电7日宣布扩展开放创新平台(Open Innovation Platform)服务，与以往不同的是，此次着重于提供系统级设计、模拟 ／混合讯号／射频设计，以及2D/3D IC的设计服务。 针对上述新增 的服务，台积电藉此宣布开放创新
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