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晶圆双雄再掀12寸厂投资潮 业界担忧恐造成产能过剩
继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45／40纳米世代
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晶圆双雄再掀12寸厂投资潮 业界担忧恐造成产能过剩
继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45／40纳米世代
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40纳米成DRAM厂流行口号
近期DRAM厂掀起一股40纳米热潮，这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后，最后决定跳过50纳米，直接转进45纳米，这下刺激了美光(Micron)阵营，南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程
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美光、尔必达提前导入40纳米4大DRAM阵营火药味浓
2010年4大DRAM阵营三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代！继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。
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台积电12寸厂2年内达10座 堪称业界之冠
台积电新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式举行上梁典礼，台积电营运资深副总刘德音表示，phase 5预计2010年第3季投入28纳米制程量产，此外，南科Fab 14第4期厂房过完农历年后亦将开始动工兴建，以加速扩充40纳米制程产
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台积电12寸厂2年内达10座 40纳米良率底定28纳米3Q量产
台积电新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式举行上梁典礼，台积电营运资深副总刘德音表示，phase 5预计2010年第3季投入28纳米制程量产，此外，南科Fab 14第4期厂房过完农历年后亦将开始动工兴建，以加速扩充40纳米制程产
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预测2010年半导体产业的25大事件(下)
2010已经到来，不过整个半导体产业仍然存在着许多不确定因素……别慌张，来参考一下未卜先知水晶球吧！下面是来自EETimes美国版资深编辑Mark LaPedus针对新年度产业趋势所做的25项预测及其分析，或许您可以从中获得一
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台积电斯大林格勒保卫战占先机
超微(AMD；AMD-US)旗下晶圆代工厂Global Fundries(GF) 8日宣布与高通(Qualcomm；QCOM-US)签下45/40纳米与28纳米代工合约，台积电(TSMC；TSM-US；2330-TW)稍后同时宣布，正与高通携手推进28纳米，预计今年中投产，显示
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台积电40纳米业绩冲百亿新台币
台积电40纳米良率上轨道后，去年第四季40纳米占单季营收10%，约新台币90亿元，在恩威迪亚、超微、博通等主力客户助攻下，法人乐观认为本季台积电40纳米挑战百亿元（新台币，下同），在40纳米代工市场市占率高达90%至
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尔必达40纳米制程正式对战美光
一度缺席全球DRAM产业50纳米制程大战的尔必达(Elpida)，随著美光(Micron)2010年加入50纳米制程，尔必达状况更显得困窘，在经过近1年卧薪尝胆后，尔必达2010年开春终于宣布，40纳米6F2制程技术已于广岛厂顺利完成试产
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台积电40纳米业绩 冲百亿新台币
台积电40纳米良率上轨道后，去年第四季40纳米占单季营收10%，约新台币90亿元，在恩威迪亚、超微、博通等主力客户助攻下，法人乐观认为本季台积电40纳米挑战百亿元（新台币，下同），在40纳米代工市场市占率高达90%至
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海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM
韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率每秒28GB/s，电压为1。35V。 新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积
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三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩，积极导入40纳米制程，第4季已开始小幅试产DDR3，预计2010年下半40纳米将成为主流制程，成本结构再度领先竞争同业，而美光 (Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出，尔必
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40纳米良率大降 张忠谋：4Q一定解决
近期半导体业界再度传出台积电40纳米制程良率大降至40%，导致绘图芯片大客户恩威迪亚(NVIDIA)、超微(AMD)出货计画顺延，台积电董事长张忠谋29日对此证实指出，台积电40纳米制程确实遇到设备腔体接合(chamber matchin
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台积电12寸新厂南北齐攻 总投资额上看60亿美元
随著联电、中芯等竞争者45纳米制程推展进程加快，晶圆代工龙头台积电决定扩大投资力道，全面拉开与竞争对手差距，台积电计划南、北开攻，启动新竹、南科12寸晶圆厂全新扩产计画，总投资额将上看60亿美元，预计2010年
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台积电12寸新厂南北齐攻 总投资额上看60亿美元
随著联电、中芯等竞争者45纳米制程推展进程加快，晶圆代工龙头台积电决定扩大投资力道，全面拉开与竞争对手差距，台积电计划南、北开攻，启动新竹、南科12寸晶圆厂全新扩产计画，总投资额将上看60亿美元，预计2010年
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中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
中芯国际集成电路制造有限公司（「中芯国际」，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：0981今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中
