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中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
中芯国际集成电路制造有限公司（「中芯国际」，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：0981今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中
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中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE：SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其
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联电新加坡厂扩产，积极布建45/40纳米制程
晶圆代工大厂联华电子(UMC)宣布，为扩大产能并进行45/40纳米制程生产，该公司位于新加坡的生产基地Fab 12i已积极展开扩产，将能针对客户在先进制程方面日益增多的需求提供更好的服务，并且能扩大先进制程之市场占有率
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联电新加坡晶圆厂扩产 积极布建45/40纳米制程
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">晶圆代工大厂联华电子(UMC)宣布，为扩大产能并进行45/40纳米制程生产，该公司位于新加坡的生产基地Fab 12i已积极展
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联电新加坡厂扩产，积极布建45/40纳米制程
相关文章最高可达20层的PCB为更小巧便携设计锦上添花再生能源与节能技术潜力可期，联电成立投资子公司简化客制IC设计，思源科技与联电推出65纳米套件台积电与联电欲削减成本 强制员工休无薪假台湾晶圆代工双雄2月财报
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晶圆代工砸银弹 联电2010年资本支出倍增
因应景气翻扬，晶圆代工厂台积电、联电纷纷备妥银弹展开资本支出竞赛，其中45/40纳米产能扩充将是2009~2010年重点，而台积电则于40纳米制程世代起一并提供客户全套式的前、后段制程代工服务，加上太阳能产厂将动工，
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消息称台积电将扩产追加资本支出至25亿~30亿美元
据台湾媒体报道，业内人士预计，由于台积电看好明年IDM(集成器件制造)厂扩大委托代工，台积电月底可能将再度调升今年资本支出预算至25亿~30亿美元以上。台积电花钱扩产不手软，由于看好明年IDM厂扩大委托代工，及65纳
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台积电扩产追加资本支出至30亿美元以上
由于看好明年IDM厂扩大委外代工，及65纳米以下先进制程产能供不应求，台积电今年来公告取得设备及厂房等总投资金额，已超过新台币700亿元，换算已达21亿至22亿美元，今年额定23亿美元资本支出几乎都已用罄。设备业者
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台积电扩产追加资本支出
由于看好明年IDM厂扩大委外代工，及65纳米以下先进制程产能供不应求，台积电今年来公告取得设备及厂房等总投资金额，已超过新台币700亿元，换算已达21亿至22亿美元，今年额定23亿美元资本支出几乎都已用罄。设备业者
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尔必达拟投资4.52亿美元提高40纳米芯片产量
尔必达拟投资4.52亿美元提高40纳米芯片产量
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制程差距扩大 台湾DRAM厂隐忧
台湾DRAM大厂南科（2408）宣布8亿股现金增资计划，预计筹措100亿元以上资金，全数投入50纳米制程，以及偿还公司债，尽管DRAM现货价格已站上每颗2美元，时间点来得比预期早，国内DRAM厂暂时度过最艰困的时刻，但三星半
