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台积电将发表28纳米设计流程 明年1Q投产
台积电自40纳米制程顺利量产后，积极向下世代制程技术28纳米制程演进，据了解，台积电内部正积极着手28纳米制程研发进入量产阶段，同时也规划将于7月正式发表28纳米制程技术的设计流程(Design flow)10.0版本，开始正
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台积电将发表28纳米设计流程 明年1Q投产
台积电自40纳米制程顺利量产后，积极向下世代制程技术28纳米制程演进，据了解，台积电内部正积极着手28纳米制程研发进入量产阶段，同时也规划将于7月正式发表28纳米制程技术的设计流程(Design flow)10.0版本，开始正
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台积电承认40纳米工艺遭遇障碍
在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。 台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1%的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2%左
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ARM与台积电合作40纳米实体IP
全球硅IP龙头安谋(ARM)宣布与台积电40纳米泛用型制程合作实体IP。未来将锁定磁碟机、机上盒、行动运算装置、网络应用、高传真电视和绘图处理器等芯片市场提供台积电制程、安谋IP库的制造服务。 安谋表示，与台积电4
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台积电投资未来 扩充研发、设计核心部门
台积电首场技术论坛率先在旧金山举行，台积电总执行长蔡力行以投资未来「Invest to the Future」为题表示，尽管目前确实看到客户急单需求，但未来依然充满挑战，台积电抱以谨慎乐观态度。台积电指出，在此时前景混沌
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ARM发布业界最广泛的40纳米G物理IP平台
ARM公司近日宣布，开始向台积电的40纳米G制造工艺提供业界最完善的IP平台。这一最新的、已通过流片验证的物理IP能够满足性能驱动消费产品的高成本效率开发；这些产品要求在不提高功耗的前提下提供先进的功能。这一平
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台积电投资未来 扩充研发、设计核心部门
台积电投资未来 扩充研发、设计核心部门
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40纳米G物理IP平台（ARM）
40纳米G物理IP平台（ARM）
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三星研制出首款40纳米内存 年内量产
继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。 据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相
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三星电子研发出世界首款40纳米内存
近日消息，三星电子研制开发出了世界首款40纳米工艺DDR2动态内存产品（1纳米等于十亿分之一米）。继05年率先开发出60纳米内存，06年开发出50纳米内存后，09年伊始三星电子再次通过成功开发40纳米动态内存产品，向外界
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台积电加速技术研发缩减两成预算度寒冬
“我们明年将缩减20%资本支出，但并不减少在科研方面的投入。”11月25日，全球半导体代工龙头台积电代理发言人曾晋浩向本报表示，在经济衰退的当口，台积电以减少产能扩张，加速技术研发来蓄势待发，年研发支出仍维持
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台积电再砍两成投资预算
“我们明年将缩减20%资本支出，但并不减少在科研方面的投入。”11月25日，全球半导体代工龙头台积电代理发言人曾晋浩向本报表示，在经济衰退的当口，台积电以减少产能扩张，加速技术研发来蓄势待发，年研发
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传Nvidia和ATI明年初将生产40纳米GPU
据来自台湾地区的报道称，Nvidia和AMD已经同台积电签署了在2009年第一季度生产40纳米芯片的合同。 Nvidia和AMD目前已经在利用55纳米工艺生产图形处理器芯片。Nvidia预计将在2009年年初将其GeForce 200系
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台积电率先量产40纳米工艺
台积电公司日前表示，40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）工艺正式进入量产，成为专业集成电路制造服务领域唯一量产40纳米工艺的公司。同时，也针对40纳米泛用型及40纳米低耗电工艺提供全备的设计服务，包括组
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低功耗、DFM及高速接口是65/40纳米设计重点
近两年，国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品，并开始了45纳米/40纳米产品的研发，而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设计。但总体来说，65纳米/40纳米设计目前仍然还是一个新生事物，企业要解决一系列的技
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中芯计划明年投产45和40纳米芯片
10月6日消息，中国芯片制造商中芯国际公布了该公司的生产工艺计划。中芯国际计划明年投产45和40纳米工艺的芯片。据国外媒体报道称，中芯国际还希望2011年投产32纳米工艺的芯片，并表示该公司正在与IBM谈判有关许可32
