晶圆代工厂联电(2303)昨(29)日宣布,推出A+制程技术解决方案,持续推升8寸晶圆制造能力,联电成为业界唯一在8寸晶圆厂中,提供最完整的0.11微米后段全铝A+技术平台的晶圆代工厂。 联电表示,A+制程技术解决方
基于CMOS探测器的射线检测设计应用
1 引言 随着医疗诊断仪器小型化、便携化的进程,高性能32位微处理器正在越来越多地应用于各类小型医疗影像设备中,但是如何利用这些微处理器传送和处理实时图像,却是一个丞待解决的问题。从ARM 7系列开始,ARM处理器
CMOS图像通道在超声诊断仪中的应用
高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车零售价相对较低,因此给汽车组件带来很大的成本压力。此外,在发达经济体如美国、欧洲国家和日本的汽车市场
高增长的经济体如巴西、印度尼西亚、印度和中国已出现新兴中产阶级和快速增长的汽车市场。这些市场要求汽车零售价相对较低,因此给汽车组件带来很大的成本压力。此外,在发达经济体如美国、欧洲国家和日本的汽车市场
MEMS-JFET构造 美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康耐尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)晶体管,并可提供给SRC联盟成员采用,做为CMOS芯片上的时序(timing
Crocus科技,领先的强化磁性半导体技术开发商,和中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽约证交所代码:SMI,香港联交所代码:0981.HK),中国内地最大最先进的集成电路晶圆代工企业,今天宣布,正
21ic讯 Crocus科技和中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”)日前宣布,正式签署合作技术开发和晶圆制造协议。根据协议,两家公司将共同开发针对汽车应用的高温磁性逻辑单元™(MLU)技术。中芯
焊接绝缘栅(或双栅)场效应管以及CMOS集成块时,因其输入阻抗很高、极间电容小,少量的静电荷即会感应静电高压,导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法,取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康耐尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)晶体管,并可提供给SRC联盟成员采用,做为CMOS芯片上的时序(timing)解决方案。 这种MEMS-JFET元
美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康乃尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)电晶体,并可提供给SRC联盟成员采用,做为 CMOS 晶片上的时序(timing)解决方案。 这种 MEMS-JFE
摘要 分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方
打造台湾“创业型经济”环境,台湾经济部中小企业处委请工业技术研究院推动“研发成果资讯整合平台”计划,计划已推动包含LED照明、太阳能电池等8项重点次产业的产业资讯地图,14日于台北金融研训院举办成果发表会,