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GlobalFoundries、三星携手投产28nm HKMG高性能工艺
GlobalFoundries、三星电子今天联合宣布，计划在双方的全球晶圆厂内同步制造基于28nm HKMG高性能低漏电率工艺的芯片。据称，这种新工艺是专为移动设备应用处理器而设计的，包括高性能智能手机、平板机、笔记本、上网
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Intel 22nm晶圆厂升级速度减缓？
今天有多份业界分析人士的报告指出，Intel旗下晶圆厂升级为22nm工艺的速度可能会有所放缓，尤其是爱尔兰的Fab 24将不会享受此待遇。Intel今年初宣布了庞大的22nm工艺升级计划，计划在2011-2012年间将旗下五座晶圆厂升
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分析称英特尔可能削减明年资本支出 今年计划不变
北京时间8月31日早间消息，华尔街分析师认为，鉴于PC需求疲软，英特尔可能削减今年和2012年的资本设备支出。巴克莱资本分析师穆斯(C.J.Muse)周二引用消息称，英特尔已经将其在爱尔兰莱克斯利普(Leixlip)的Fab 24晶圆
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“震”出心得 瑞萨供应链策略大转弯
日本311强震让瑞萨电子(Renesas Electronics)8寸和12寸晶圆厂严重受创，连带拖累其第二季营收；而历经此次灾难的洗礼，瑞萨电子除已逐渐恢复正常营运外，亦决定改变原有的产品生产与供应策略，未来供应模式将以分散产
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代工厂需谨防供过于求 新兴应用将推动产业复苏
尽管2011年全球半导体销售收入预计将成长7.2%，但Mentor Graphics CEO Walden Rhines警告道，你得注意2012年是否仍能维持此一成长态势。Rhines指出，与过去两年相较，包括台积电、GlobalFoundries和三星电子在内的代
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明导CEO：晶圆代工恐供过于求
尽管2011年全球半导体销售收入预计将成长7.2%，但MentorGraphicsCEOWaldenRhines警告道，你得注意2012年是否仍能维持此一成长态势。IHSiSuppli发布的修正版预测指出，全球半导体销售收入在2011年将从前一年的3,041亿
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飞兆：为便携产品带来更响亮更清晰的音质
据市场调研机构iSuppli预测，2011年，全球手机出货量将达到14亿部，其中，中高端智能手机的出货量将接近4亿部。 图：2010-2014手机出货量预测（来源：iSuppli）“中高端智能手机是未来几年增长最快的市场，
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东芝Sandisk 共庆300mm级NAND闪存厂Fab 5在日投产
东芝株式会社与SanDisk公司今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。 由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着NAND闪存的全球需求
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台积电法说前夕 瑞信看衰Q3营收将负成长6.5%
台积电(2330-TW)(TSM-US)明(28)日下午将举办第2季法人说明会，瑞信证券抢在法说前会前出具研究报告指出，本次法说会将聚焦3大点，考量Fabless及IDM客户订单削减，将早先预测的台积电第3季营收成长调降9.9个百分点，从
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东芝Sandisk 共庆300mm级NAND闪存厂Fab 5在日投产
东芝株式会社与SanDisk公司今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。 由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着NAND闪存的全球需求
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英特尔升级芯片厂获以色列2.95亿美元补贴
英特尔升级芯片厂获以色列2.95亿美元补贴
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200mm晶圆的金属接合时间减半，三菱重工推出常温接合装置
展示的样品为了便于观察，由150mm和75mm不同尺寸（直径）的晶圆接合而成。对各自表面上形成的铜层进行了常温接合。笔者拍摄。（点击放大） 在形成有硅贯通电极（TSV）的LSI的三维积层中，晶圆表面上形成的金属层之
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三星电子韩国新NAND厂预计9月投产
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透
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三星电子韩国新NAND厂预计9月投产
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。2010年5月时，三星在韩国京畿道(GyeonggiProvince)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露
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报道称Intel已查明Fab22工厂爆炸事故起因
据报道，Intel公司已经查明了上月亚利桑那州chandler Fab22芯片厂发生爆炸事故的原因，据称是由于工厂当时正在使用一套“临时系统”来进行生产用溶剂的清洗处理，而intel则认为这套所谓的“临时系统”存在严重问题。
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东芝与Sandisk共庆NAND闪存工厂Fab5正式投产
东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着NAND闪存的全球需求总量进
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300mm级NAND闪存工厂Fab 5在日本正式投产
2011年7月12日，日本三重县四日市 —— 东芝株式会社 (TOKYO：6502) 与SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
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东芝启动NAND闪存新厂房Fab5，将成为后NAND存储器的主力工厂
竣工仪式的剪彩仪式（点击放大） 在竣工宴会上致辞的东芝佐佐木（点击放大） 东芝宣布，该公司在四日市工厂（三重县四日市市）内建设的NAND闪存新制造厂房“Fab5”已经竣工并投产。该厂房将成为24nm工艺以后的
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东芝Sandisk 共庆300mm级NAND闪存厂Fab 5在日投产
东芝株式会社与SanDisk公司今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。 由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着NAND闪存的全球需求总量进
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东芝和新帝Fab 5新厂
连于慧 NAND Flash大厂东芝(Toshiba)和快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk) 于日本三重县四日市合资新12吋晶圆厂Fab 5，此座新厂是采用2层式钢结构混凝土建筑，共达5层楼，建筑面积约38,000平方米，使用面积约187,000平方米
