随着应用不断扩大,及系统产品内建容量持续扩增,今年来半导体硅晶圆、磊晶与内存等多项产品市况热络,在供应持续吃紧下,各项产品下半年价格依然看涨。
兆易创新是国内存储器芯片设计龙头,公司董秘李红表示,在国家大力扶持集成电路产业及芯片进口替代加快的趋势下,集成电路行业迎来一轮蓬勃发展期,兆易创新将充分受益于行业景气周期。公司在原有NOR Flash市场优势的基础上,增添了NAND和MCU等新的成长点,并将通过收购北京矽成完善公司存储器版图。
如果有几个设置参数需要存储到Flash中,我们一般会怎么存储呢?将不同的参数都存储到不同的页中,还是将这几个参数捆绑成一种结构体,每次修改都同时写入一次呢? 将参数存
内存是半导体的主力产品之一,目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。
继美光后,全球第二大NOR Flash制造厂Cypress也在财报发布会上释出将淡出中低容量的NOR Flash市场,专注高容量的车用和工规领域的消息,加上苹果明年新手机全数导入OLED面板,同步得搭载NOR芯片维持手机色彩饱和度,明年缺口持续扩大。
有数据显示,到2020年,全球数据总量将达到40ZB。而存储器作为数据的基石,市场规模也随之不断扩大。存储器行业属于周期性行业从历史表现上看,存储器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中。存储器行业周期特征明显主
Holtek推出全新的无线吸尘器ASSP Flash MCU - HT45F0084,内建硬件过电流/过电压/欠电压保护,针对电机与电池提供完整的保护,也可节省外围零件,非常适合开发无线吸尘器中的直流有刷电机机种。
Holtek推出专门应用于多彩RGB LED产品的USB Flash MCU - HT66FB572/HT66FB574,除适用于一般计算机外设与消费性产品外,其最大的特点是以内建定电流源分别配合15 / 24个PWM输出.
余承东日前爆料称,P10系列手机混用UFS和EMMC两种闪存方案的核心原因,就是供应链Flash严重缺货,华为的存储至今还处于缺货之中。那么,NAND Flash制造商如今产能状况如何?缺货问题何时能够得到缓解?
全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力,包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生产,熟悉后段封测业者表示,估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解,价格涨势回稳,而进入3D NAND时代后,存储器封测业者中,又以力成最为受惠。
力晶集团执行长黄崇仁表示,第五代行动通讯(5G)快速兴起,将启动大量影像传输需求,加上汽车电子及云端服务器快速成长,将开启另一波内存(DRAM和Flash)强劲需求,但供给端都遭遇程技术瓶颈,预料明年DRAM还是会缺货。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转,使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑,并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
根据市场研究机构集邦咨询(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭载 OLED 面板的智能手机数量大幅增加,以及 TDDI 技术所需 NOR Flash 产能提升的带动,加上如美光、兆
根据科技网站 ZDNet 的报导指出,半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知,预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧,这也迫使得英特尔未来将优先以供应数
Holtek在血糖仪产品上,继第一代HT45F65/HT45F66/HT45F67之后再推出高度整合的BH66F2470及BH67F2470。
Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等
固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
SK海力士(SK Hynix)入主东芝(Toshiba)半导体事业部的竞争即将进入白热化,但规模上看26兆韩元(约228亿美元)的钜额投资计划,是否能为SK海力士带来1加1大于2的事业综效,外界出现不同评价。
NAND Flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
3D 架构的 NAND 型快闪内存(Flash Memory)竞争越来越激烈,东芝(Toshiba)于去年 7 月宣布领先全球同业开始提供堆叠 64 层的 256Gb(32GB)3D Flash 的样品出货,之后三星于去年 8 月宣布,堆叠 64 层的 3D Flash 产品将在 2016 年 Q4(10-12月)开卖。而现在又换东芝出手,宣布容量提高 1 倍的 64 层 512Gb(64GB)3D Flash 已进行送样,且将在今年下半年量产。