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NAND Flash进入10纳米时代
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
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NAND Flash进入10纳米时代
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
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系统OEM备货需求稳健 6月下旬NAND Flash合约价续扬2-5%
市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供货商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统OEM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价上涨
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NAND Flash颗粒涨声待续
全球市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供应商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统EM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价
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HOLTEK新推出HT67F60A/70A最佳性价比、功能强大的A/D LCD Flash MCU系列
继現有的TinyPowerTM A/D with LCD型Flash MCU HT67Fxx系列，Holtek再推出HT67F60A、HT67F70A，除承袭原有多样完整的功能外，并将程序空间推展到32KWords，同时使用Holtek新推出的加强型MCU核心，增加跨Bank内存的存
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分析师预言英特尔、美光将在NAND市场分道扬镳
英特尔(Intel)与美光(Micron)将在 NAND 快闪存储器业务上分道扬镳吗?一位市场分析师断言，美光将撇下英特尔自己走自己的NAND之路。但英特尔拒绝对此发表评论，表示该分析师
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JTAG口及其对Flash的在线编程
摘要：通过JTAG实现对Flash在线编程。首先，介绍JTAG的定义、结构及引脚的定义，并阐述JTAG状态机的工作原理。然后，介绍JTAG口的边界扫描寄存器，给出实现JTAG在线写Flash
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HOLTEK新推出HT66FV140 Enhanced Flash Voice MCU
21ic讯 Holtek推出全新的Enhanced Flash Voice MCU HT66FV140。HT66FV140是一款应用在语音产品的单片机。由于愈来愈多的家电或消费性产品需要加入语音功能，HT66FV140 Flash MCU经由硬件SPI接口搭配外挂SPI Flash
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HOLTEK推出BS82D20A-3最新一代Flash触控单片机
21ic讯 继BS82C16A-3之后，Holtek再度推出新一代内建LED/LCD Driver的Flash触控MCU BS82D20A-3，支持高达20个触控按键，除了保有上一代的优点之外还比上一代触控MCU更省电、触控侦测的更新率更高，并且抗干扰的能力
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旺宏75纳米NOR Flash第4季量产
据港台媒体报道，全球非挥发性内存领导厂商旺宏电子宣布，由于制程技术研发成果顺利，其生产制造的NOR型闪存(NOR Flash Memory)，将跳过90纳米制程，直接导入至75纳米，并
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VxWorks中怎么从Flash BOOT
作者Email: jinyuhe@163.com 摘要： 本文主要介绍VxWorks系统在MPC860系列处理器的开发中怎么实现去掉BOOT Flash，直接从Flash引导VxWorks的BootRom。 关键词：BOOT Flash
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6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4%
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，近期各家智慧型手机大厂备货力道明显升温，加上NANDFlash厂商加速转进新制程导致供货缩减，6月上旬NANDFlash合约价上
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六月上旬NAND Flash合约价上涨2-4% 第三季可望续上涨
市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，近期各家智能型手机大厂备货力道明显升温，加上NAND Flash厂商加速转进新制程导致供货缩减，6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4%。展望第三季，
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华邦电：物联网有20年好光景
华邦电董事长焦佑钧DRAM厂华邦电子（2344）昨（17）日顺利召开股东常会并顺利改选董监，董事长焦佑钧表示，今年下半年产业景气不错，总体经济也不错，DRAM厂经过几年整并后已不再盲目扩产，市场可望安定。另外，焦佑
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6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4%
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，近期各家智慧型手机大厂备货力道明显升温，加上 NAND Flash厂商加速转进新制程导致供货缩减，6月上旬NAND Flash合约价上涨
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手机设计中T-Flash卡设备的探测与思考
T-Flash(microSD)卡凭借高性能，小体积，大容量，适中的价格迅速在数码市场中普及开来，目前已成为手机中最流行的扩展卡类型。手机设计中常用的TF卡座有Push和 Hinge两种类
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6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4% Q3可望续涨
转自台湾精实新闻的消息，全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，近期各家智能手机大厂备货力道明显升温，加上NAND Flash厂商加速转进新制程导致供货缩减，6月上旬NAND Flash合约
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联发科遭对手大挖角；6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4%
1.集邦：6月上旬NAND Flash合约价上涨2-4% Q3可望续涨；2.告袁帝文刑事不起诉 联发科遭对手大挖角；3.Gartner：2013年eMCP销售成长超越eMMC；4.中国留学生在美买传感器遭钓鱼执法；5.大厂偏重生产移动存储器,DRAM供货
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供给吃紧需求增温 DRAM产业当红
【导读】供给吃紧需求增温 DRAM产业当红 受惠于国际大厂如三星、海力士等将产能移转至NAND FLASH，DRAM产业今年供给吃紧，报价维持高档，不像过去明显受到PC淡季效应影响，加上第 4季PC传统旺季来临，需求明
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海力士再加码 今年资本支出破40亿美元
【导读】海力士再加码 今年资本支出破40亿美元 扩充内存芯片生产设备 寻求更多合作伙伴 根据外电报导，韩内存大厂海力士（Hynix）宣布将再加码投资扩产，继续提高2006年的资本支出，从
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