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IGBT检测好坏的方法
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极 管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。逆变器IGBT模块检测:将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e
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告别缺货烦恼 Silicon Labs CP2102全系列USB MCU世强元件电商十万库存保障供货
自2017年以来，以存储芯片、被动元件、功率器件为主的缺货涨价潮给电子产业带来了超乎以往的影响。目前市场上有的低压MOSFET的交期超过40周，而IGBT的最长交期达50周。而第二季度又是半导体生产链的旺季，各产品需求旺盛，缺货也更加恶化。
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高效能IGBT为高功率应用加把劲
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件，可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益，究竟它是如何办到的?让我们来进一步深入了解。
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意法半导体新ACEPACK功率模块兼有先进性能和经济性
意法半导体新ACEPACK™ (Adaptable Compact Easier PACKage)模块为包括工业电机驱动、空调、太阳能发电、焊机、充电器、不间断电源控制器和电动汽车在内的3-30 kW 应用提供高成本效益的高集成度的功率转换功能。
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为什么说新能源汽车的核心是IGBT？
IGBT约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。
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两单元IGBT模块的寄生电感电路
两单元IGBT模块的寄生电感电路
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HL402 IGBT驱动模块参数和电路设计
HL402 驱动模块具有先降栅压、后软关断的双重保护功能，其降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率均可通过外接电容器进行整定，因而能适应不同饱和压降IGBT的驱动和保护。1.引脚排列及功能HL402的外形尺寸及引脚排
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IGBT的工作原理及作用浅析
本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是
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IGBT模块五种不同的内部结构和电路图
单管模块的内部由若干个IGBT并联，以达到所需要的电流规格，可以视为大电流规格的IGBT单管。受机械强度和热阻的限制，IGBT的管芯面积不能做得太大，大电流规格的IGBT需要将多个管芯装配到一块金属基板上。单管模块外部标签上的等效电路如图1所示，副发射极(第二发射极)连接到栅极驱动电路，主发射极连接到主电路中。
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IGBT驱动电路作用与设计详解，如何选择IGBT驱动器
IGBT驱动电路的作用IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的核心器件，它可在高压下导通，并在大电流下关
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Power Integrations与Future Electronics签署全球分销协议
借助新的创造需求举措，促进设计方案的推陈出新Power Integrations公司今日宣布同全球电子元器件分销及营销领导者Future Electronics签署全球分销协议。Power Integrations
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野“芯”勃勃，比亚迪布局芯片市场
谈到比亚迪，大家更熟悉的是其汽车。尤其是最近几年推出的几款电动车，因而其汽车制造商的名头更为大家所熟知，但其实比亚迪是靠做电池起家的。根据比亚迪财报，他们还从事二次充电池及光伏业务、手机部件及组装业务、以及包含传统燃油汽车及新能源汽车在内的汽车业务。最让笔者佩服的是，为了推进业务的发展，比亚迪在更上游的芯片领域也有不少的布局。
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一大波车用需求！MCU、MOS、IGBT、BMS、驱动IC吃紧
拓墣产业研究院研究经理林建宏指出，从法律层面来看，各国政府对于废气或是二氧化碳等排放有其严格要求，回推到车辆本身，如何进一步降低不必要的能源消耗，以符合政策法规的要求，成为车辆设计的首要课题。
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光伏IGBT逆变器设计原理和电路图
太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下，太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能，输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。以往的光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。
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IGBT串联设计电路 工作原理
IGBT属于场控功率管,具有开关速度快、管压降小等特点,在各领域的电子电器中得到越来越广泛的应用,在运用中，针对IGBT单管耐压值不高的情况，技术人员常常需要将多只IGBT管串联以增加IGBT管的耐压值，拓展其运用范围。
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图解IGBT模块特性的测量方法
IGBT模块选型时比较关键的特性有栅极-发射级门槛电压Vce(th)、栅极-发射极漏电流Ices、开通时间ton、开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断耗散功率Poff、关断耗散能量Eoff、关断时间toff、关断延迟时间td(off)、下降
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IGBT工作原理图
IGBT单管工作原理IGBT管是一个非通即断的开关，由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT管是靠的是它的
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IGBT模块封装流程原理图
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。目前流行的IGBT模块封装形式有
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IGBT驱动电路作用与设计详解
IGBT驱动电路的作用IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要。IGBT是电路的核心器件，它可在高压下导通，并在大电流下关
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Diodes 推出闸极驱动器 简化马达和电源供应器中 MOSFET 与 IGBT 的切换
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 闸极驱动器，皆为浮点高侧驱动器，简化了半桥组态下两部 N 沟道 MOSFET 或两部 IGBT 的切换。这些驱动器产品适合工业自动
