本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方
Power Integrations近日推出SCALE-iDriver 系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT,通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于最新的三电平拓扑光伏逆变器,以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驱动器方案。
继“集成电路产业”带动中国在半导体行业的投资热潮后,三代半导体如今逐步进入人们的视线。今天我(作者)就以一个在三代半导体行业浸淫近15载的江湖中人角度给大家聊一聊,三代半导体产业在中国乃至世界的发展,以及这个行业的特点。
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频
TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计,采用多触点结构,具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。其
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳推出英飞凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT,对传统技术的一次突破,重新界定IGBT同级最佳效能。该款器件采用TRENCHSTOP&
2016年10月17日,德国慕尼黑讯——感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出最佳性能。英飞凌科技股份公司(FSE:
SVG是目前无功功率控制领域内的最佳方案。相对于传统的调相机、电容器电抗器、以晶闸管控制电抗器TCR为主要代表的传统SVC等方式,SVG有着无可比拟的优势。
Littelfuse, Inc宣布其已达成最终协议,将向ON Semiconductor Corporation收购用于汽车点火应用的瞬态电压抑制(“TVS”)二极管、开关晶闸管和绝缘栅双极晶体管(
TDK 集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计,采用多触点结构,具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点
随着大功率电源设备的普及率越来越高,IGBT在大功率电源设备中的作用也越来越重要,因此对IGBT知识进行全方面的了解是非常有必要的。随着使用频率的升高,IGBT在使用过程中
先来看几个电动/混动汽车(EV/HEV)由于过热问题被召回的真实案例。2016年1月,美国汽车制造商召回五千多万的汽车;2014年9月,福特公司由于电子混合系统过热问题召回7400辆汽车;2014年1月,特斯拉为了防止过热召回290
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。借助 MicReD
Mentor Graphics公司(纳斯达克代码:MENT)今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。
由于IGBT类电源的特殊性,于一般的电源相比其中很多器件都会有相应的改动。滤波电容就是其中一个变动较大的器件。为了为大功率电源进行不间断的供电,滤波电容需要拥有较大
IGBT作为电压控制型开关器件,IGBT的开关由栅极的电压控制。大家都知道栅极电压升高,IGBT导通,栅极电压低,IGBT关断。但是使用的时候还是很容易忽略栅极导通电压的高低对
在绿色能源快速发展的当下,太阳能发电对于人们来说已经不是什么新鲜事物。在太阳能逆变电源的角度来说,想要获得更多的效率,IGBT就是必不可少的重要器件。使用IGBT能够为太阳能逆变器带来更大的收益。
21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120F