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TDK发布用于新型IGBT模块的直流支撑电容器
TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计，采用多触点结构，具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。其
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解读电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频
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大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级最佳效能。该款器件采用TRENCHSTOP&
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英飞凌RC-E系列单管IGBT可直接升级现有设计，树立性价比新基准
2016年10月17日，德国慕尼黑讯——感应加热电器通常采用谐振拓扑结构，需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出最佳性能。英飞凌科技股份公司(FSE:
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高压无功补偿发生器（SVG）电源解决方案
SVG是目前无功功率控制领域内的最佳方案。相对于传统的调相机、电容器电抗器、以晶闸管控制电抗器TCR为主要代表的传统SVC等方式，SVG有着无可比拟的优势。
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Littelfuse将收购ON Semiconductor部分产品组合 提高在汽车用电子产品市场的份额
Littelfuse, Inc宣布其已达成最终协议，将向ON Semiconductor Corporation收购用于汽车点火应用的瞬态电压抑制(“TVS”)二极管、开关晶闸管和绝缘栅双极晶体管(
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薄膜电容器: 用于新型IGBT模块的直流支撑电容器
TDK 集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计，采用多触点结构，具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。
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IGBT最基础的东西，看完就懂！
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能两方面的优点
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三大方法快速判断IGBT是否已经损坏
随着大功率电源设备的普及率越来越高，IGBT在大功率电源设备中的作用也越来越重要，因此对IGBT知识进行全方面的了解是非常有必要的。随着使用频率的升高，IGBT在使用过程中
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防止电动/混动汽车“发烧”，先测测IGBT的热性能
先来看几个电动/混动汽车(EV/HEV)由于过热问题被召回的真实案例。2016年1月，美国汽车制造商召回五千多万的汽车;2014年9月，福特公司由于电子混合系统过热问题召回7400辆汽车;2014年1月，特斯拉为了防止过热召回290
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Mentor推出 MicReD Power Tester 600A 解决方案，用于解决电动和混合动力车 IGBT 热可靠性问题
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品，其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。借助 MicReD
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Mentor Graphics 推出独特的 MicReD Power Tester 600A 解决方案，用于解决电动和混合动力车 IGBT 热可靠性问题
Mentor Graphics公司(纳斯达克代码：MENT)今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品，其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。
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大功率IGBT中滤波电容的选择与计算
由于IGBT类电源的特殊性，于一般的电源相比其中很多器件都会有相应的改动。滤波电容就是其中一个变动较大的器件。为了为大功率电源进行不间断的供电，滤波电容需要拥有较大
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大功率电源中IGBT电压与驱动能力是什么关系?
IGBT作为电压控制型开关器件，IGBT的开关由栅极的电压控制。大家都知道栅极电压升高，IGBT导通，栅极电压低，IGBT关断。但是使用的时候还是很容易忽略栅极导通电压的高低对
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太阳能中根据逆变拓扑进行IGBT选择
在绿色能源快速发展的当下，太阳能发电对于人们来说已经不是什么新鲜事物。在太阳能逆变电源的角度来说，想要获得更多的效率，IGBT就是必不可少的重要器件。使用IGBT能够为太阳能逆变器带来更大的收益。
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安森美半导体推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件
21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON)，推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)，采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120F
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三个将造成IGBT损坏的低级操作错误
熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的内部主要是MOS结构。这就意味着IGBT对于静电非常敏感，在使用过程中稍有不当就可能造成IGBT的损坏。那么在使用IGBT时，需要设计者注意哪些问题
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避免IGBT不良反应的隔离驱动7条经验
IGBT技术大多应用在大功率电源场合，要在这些场合应用，首先就需要拥有避免欠压、米勒效应、过载一类的不良反应。因此在隔离驱动IGBT功率器件的设计上就需要相应的设计技巧
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大功率电源IGBT损坏的问题成因探讨
随着市场对大功率供电设备需求日益激增，IGBT不间断电源开始发挥越来越重要的作用。IGBT设备性能的好坏直接影响大功率电源的供电效率。一般来说，较为成熟的IGBT设计出现损
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通过对耦合电流路径改造提升IGBT可靠性
随着大功率与特种电源逐渐在市场上盛行，IGBT技术也随着时间的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上决定的了大功率电源的性能，因此人们总是想通过各种方法来提高IGBT的效
