工作温度范围为-40°C至125°C,有助于减少逆变电路的死区时间,提高效率东芝公司(Toshiba Corporation今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器,可直接驱动中等容量的
N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路N沟道IGBT,Infineon(英飞凌)公司的产品。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠
IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图IGBT应用于电磁炉的系统框图电路如图为IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管
1 引言 scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括:可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键
斩波是电力电子控制中的一项变流技术,其实质是直流控制的脉宽调制,因其波形如同斩切般整齐、对称,故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位,它不仅关系到调速的技术性能,而且直接影响设备的运行安全和
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
太阳能的转换效率问题是制约其应用的一个巨大挑战,业界正在为每一个进步而努力。日前英飞凌高管,负责销售、市场、战略和兼并的管理委员会成员Arunjai Mittal对本刊表示,英飞凌采用先进SiC工艺的JFET技术,可以将太
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效,降低功
中心论题:由于汽车环境的复杂多变,EV和HEV中的IGBT模块要经受严峻的热和机械条件(振动和冲击)的考验在功率循环、热循环、机械振动或机械冲击试验中IGBT模块会出现的一些典型的故障模式厂商推出用于HEV的高可靠性IG
在科技部发布的《十二五科技发展规划》中,新能源系统和新能源汽车是十二五规划的产业重点之一。同时,积极利用新能源,发展新能源汽车也符合国际社会对节能减排的环保诉求。为了帮助新能源系统和新能源汽车厂商提高
2010年变频器行业增长速度达到27.27%,主要是中低压变频器去年供不应求,增速达到30%,第一次出现比高压变频器增速高的状况;高压变频器竞争加剧,价格继续呈下降趋势。经过测算,未来变频器行业将继续维持20%左右的
美高森美公司(Microsemi)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均
开关电源一直是电子行业里非常热门的技术,而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题,不然一不留神就会跟不上技术发展的步伐。电子元件技术做了项开关电源技术发展关注焦点调查,得出来以下十个热门关注点。关注点
车联网产业被业界普遍认为极具发展潜力,是一块炙手可热的大蛋糕,每家企业也会选择自己最看重和擅长的一块入口。安华高科技(AvagoTechnologies)又喜欢吃哪一块呢?安华高的关注点车“联网”自然就少不了汽车通信网
车联网产业被业界普遍认为极具发展潜力,是一块炙手可热的大蛋糕,每家企业也会选择自己最看重和擅长的一块入口。安华高科技(AvagoTechnologies)又喜欢吃哪一块呢?安华高的关注点车“联网”自然就少不了汽车通信网
1.引言电机是工业生产中主要的耗电设备,高压大功率电动机的应用更为突出,而这些设备大部分都存在很大的节能潜力。所以大力发展高压大功率变频调速技术具有时代的必要性和迫切性。目前,随着现代电力电子技术和微电