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UPS发展方向的几个标志
1.高频化电子产品的发展方向就是高频化、数字化，UPS产品也不例外。以往的工频机结构产品都是模拟电路，后来经过几次改进上升为数字与模拟相结合的产品，在当今数字时代，有
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VMOS、IGBT逆变充电电路图
逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
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提高太阳能逆变器效能的IGBT选择方法
如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法
1 引言80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr和MOSFET的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，IGBT成为了大功率开关电源、变频
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东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器
工作温度范围为-40°C至125°C，有助于减少逆变电路的死区时间，提高效率东芝公司(Toshiba Corporation今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的
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N沟道IGBT简化等效电路图讲解
N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路N沟道IGBT，Infineon(英飞凌)公司的产品。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠
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IGBT应用于电磁炉系统电路图
IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图IGBT应用于电磁炉的系统框图电路如图为IGBT应用于电磁炉的系统框图电路图。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
1 引言 scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括：可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键
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IGBT在大功率斩波中问题的应用
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调速的技术性能，而且直接影响设备的运行安全和
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IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示
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IGBT绝缘栅双极晶体管栅极过压保护电路图
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
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英飞凌先进工艺将太阳能逆变器效率提升一倍
太阳能的转换效率问题是制约其应用的一个巨大挑战，业界正在为每一个进步而努力。日前英飞凌高管，负责销售、市场、战略和兼并的管理委员会成员Arunjai Mittal对本刊表示，英飞凌采用先进SiC工艺的JFET技术，可以将太
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安森美扩充针对电机控制、太阳能及不断间电源应用的高性能沟槽型场截止IGBT阵容
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功
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面向汽车应用的IGBT功率模块浅谈
中心论题：由于汽车环境的复杂多变，EV和HEV中的IGBT模块要经受严峻的热和机械条件(振动和冲击)的考验在功率循环、热循环、机械振动或机械冲击试验中IGBT模块会出现的一些典型的故障模式厂商推出用于HEV的高可靠性IG
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浅谈新能源及新能源汽车的四大设计热点
在科技部发布的《十二五科技发展规划》中，新能源系统和新能源汽车是十二五规划的产业重点之一。同时，积极利用新能源，发展新能源汽车也符合国际社会对节能减排的环保诉求。为了帮助新能源系统和新能源汽车厂商提高
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变频器行业呈高速增长趋势
2010年变频器行业增长速度达到27.27%，主要是中低压变频器去年供不应求，增速达到30%，第一次出现比高压变频器增速高的状况；高压变频器竞争加剧，价格继续呈下降趋势。经过测算，未来变频器行业将继续维持20%左右的
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Microsemi推出三款新一代1200V非穿通型IGBT
美高森美公司(Microsemi)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均
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