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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
20V P沟道器件具有低导通电阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封装日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源
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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获Top-10电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱
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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只
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Linear 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输入电压工作，在高达 100V 瞬态时
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麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器 集成阴极负载二极管且有最宽可编程栅极驱动电压范围
和用于电池供电应用的现有器件相比，该解决方案可把工作时间延长40%21ic讯 麦瑞半导体公司今天推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业
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解析LED驱动市场的产业现状及其未来趋势
在LED照明市场的强劲驱动下，也带动LED驱动市场成长，LED驱动规模逐渐攀升，据市场研究机构预测，LED驱动IC市场营收规模将由2010年的近20亿美元，在2015年达到近35亿美元，期间平均复合年成长率为12%。该机构并指出，
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LED驱动市场现状及趋势
在LED照明市场的强劲驱动下，也带动LED驱动市场成长，LED驱动规模逐渐攀升，据市场研究机构预测，LED驱动IC市场营收规模将由2010年的近20亿美元，在2015年达到近35亿美元，
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PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器
PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器：“PhotoMOS”是松下电器的一款采用光电元件以及功率MOSFET进行输出的输出光电耦合器。面世二十年间，在全世界的销量达到八亿个，
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恩智浦推出NextPowerS3——可提供带软恢复功能的超快速开关性能的MOSFET
业界首款集成肖特基且具有低漏电流性能的MOSFET恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平台,使用恩智浦特
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美高森美新型新型较大功率和较高电压MOSFET器件 瞄准RF和宽带通信应用
VRF2944在50V供电电压下提供业界最高输出功率21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率
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新能源开发为功率器件市场带来新机遇
【导读】从目前国内新能源市场的开发进展来看，主要热点集中在可再生能源、新能源汽车等领域。 可再生能源又可分为风力发电和太阳能光伏发电两种，对于这两大市场，三菱电机机电(上海)有限公司半导体事业部市场营
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新能源为功率器件市场带来新商机
功率半导体的应用范围日益广泛，不同的应用对于器件的要求也不尽相同，这使得厂商开始走向行业化解决方案的道路。国际整流器公司(IR)亚太区销售副总裁潘大伟指出，功率器件
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东芝为移动设备的高电流充电电路推超紧凑型MOSFET
东芝公司(Toshiba Corporation)已经为智能手机和平板电脑等移动设备的高电流充电电路的开关推出了超紧凑型MOSFET，包括两种电池。随着更多功能添加至智能手机和手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备以及对它们的电
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东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
21ic讯 低导通电阻可减少移动设备的传导损失东芝公司宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造，实现了低导
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如何设计一个合适的系统电源（上）
对于现在一个电子系统来说，电源部分的设计也越来越重要，我想通过和大家探讨一些自己关于电源设计的心得，来个抛砖引玉，让我们在电源设计方面能够都有所深入和长进。Q1：
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中国发明新晶体管 提高芯片制造话语权
根据新华社华盛顿8月8号消息，在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。据了解，这项
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中国发明新晶体管 提高芯片制造话语权
根据新华社华盛顿8月8号消息，在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。据了解，这项
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东芝高压MOSFET “πMOS VIII”系列已量产
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并计划于2013年8月投入量产。通过优化芯片设计，可将其每单
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东芝650V系统超级结MOSFET“DTMOS IV”系列8月量产
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。该系列采用最
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中国发明新晶体管 提高芯片制造话语权
根据新华社华盛顿8月8号消息，在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。据了解，这项
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