MOSFET
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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能
面临为需求若渴的移动设备市场提供新功能压力的设计人员正在充分利用全新亚芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。简介：移动功能市场需求移动电话渗透率在已开发市场达到了
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MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能
面临为需求若渴的移动设备市场提供新功能压力的设计人员正在充分利用全新亚芯片级封装(sub-CSP)技术的优势，使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。简介：移动功能市
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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装尺寸，可用于移动计算，在4.5V下导通电阻低至8.0mΩ21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款
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浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素
本文详细介绍了开关电源(SMPS)中各个元器件损耗的计算和预测技术，并讨论了提高开关调节器效率的相关技术和特点，以选择最合适的芯片来达到高效指标。本文介绍了影响开关电
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器
科锐公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣锐特科技有限公司宣布：欣锐特最新推出的高效混合动力车/电动车（HEV/EV）功率变换器中采用科锐1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高达96%，实现业界领先。欣锐特是一
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器，实现业界领先的96%效率|| 欣锐特与科锐密切合作，设立一流电动汽车功率变换器的新标杆
2013 年 11月 18日，中国上海讯 — 科锐公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣锐特科技有限公司宣布：欣锐特最新推出的高效混合动力车/电动车（HEV/EV）功率变换器中采用科锐1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高达96
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科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车
科锐碳化硅MOSFET助力欣锐特革新混合动力车/电动车功率变换器，实现业界领先的96%效率 欣锐特与科锐密切合作，设立一流电动汽车功率变换器的新标杆 2013 年 11月 18日，科锐公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣锐特科技有限公
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SiC半导体元件“真命天子” 沟道MOSFET即将实用化
LED半导体照明网讯 高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型”SiC MOSFET’（电装解说员）。在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术（图
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德州仪器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低导通电阻
小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。
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数字供电和模拟供电
数字供电和常见的模拟供电不同，前者采用了数字PWM，体积更小的整合了数字MOSFET和DRIVER的芯片，以及体积更小的数字排感，搭配多个MLCC;而模拟供电不同，采用传统的PWM芯片
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三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题设计方案
在三相正弦波逆变器瞬中瞬态共同导通往往是被忽略的问题，因为瞬态过程很难捕捉。以半桥变换器为例，其典型驱动电路如下图a)所示，理想的栅极电压波形如下图(b)所示。 但是
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恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3 A晶体管
高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值，适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分
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ST PNP电晶体兼具MOSFET能效与板空间使用效率
意法半导体(ST)最新的双载子功率电晶体 3STL2540 ， 提供双载子电晶体的成本优势与矽晶面积使用效率，同时兼具同等级 MOSFET 的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和 DC-DC 电源转换器(DC-DC convert
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SiC功率半导体元件的“真命天子”，沟道MOSFET即将实用化
“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊
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怎样做好LED照明设计
LED光源具有节能、环保、发光均匀、使用寿命长、光色RGB的发光强度能连续变化，并可按照环境整体要求进行编程控制等传统光源无法比拟的优势，在照明设计产品应用过程中，越来越成为灯光设计师们的首选光源。而在LED照明设计中我们要先了解LED照明的设计理念。
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浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素
效率是任何开关电源（SMPS）的重要指标，特别是便携式产品，延长电池使用寿命是一项关键的设计目标。对于空间受限的设计或者是无法投入成本解决功率耗散问题的产品，高效率也是改善系统热管理的必要因素。
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IR推出AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系统尺寸和成本
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用，包括
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ST推出双极功率晶体管 媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装
21ic讯 意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-
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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5
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