MOSFET
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MOSFET栅陷测试振荡器电路图
接地的外流科尔皮兹振荡器的输出使用美国无线电公司的N通道双栅场效应管，Q1是由CR1检测的，被Q2放大，可用来驱动振荡器。振荡频率是由C1，C2，C3和L1决定的，当L1减小时，频率可达到250MHz。表格给出了9个频率范围内
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中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权
近日消息，中国研究人员在美国《科学》杂志上报告说，在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。 据介绍，它的成功研制将有助我国掌握
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瑞萨退出计算机低压MOSFET市场
【导读】全球最大PC低电压金氧半场效晶体管(Low Voltage MOSFET)供应商日本瑞萨(Renesas)近期突然通知客户，将在今年第4季全面退出市场，造成PC生产链大地震。各家ODM/OEM厂为避免缺货导致生产链断链，已开始紧急固桩
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利用安森美半导体LED驱动器设计高效LED灯串
近年来，高亮度LED的应用领域不断增多，涵盖从移动设备背光、中大尺寸LCD背光、汽车内部及外部照明及通用照明等宽广范围。常见DC-DC LED照明应用包括景观照明、内部低压道路照明、太阳能供电照明、汽车照明、应用车
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无线充电应用的二次侧整流桥应用方案介绍
如今，业界持续需要行动(on-the-go)电源管理，无线(感应式)充电方案在市场变得越来越普及。虽然能效不如现有有线充电方案高，但无线充电方案为消费者提供更多便利，亦省下了
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东芝将为移动设备的高电流充电电路推出超紧凑型MOSFET
高功耗封装阵容扩大21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，该公司已经为智能手机和平板电脑等移动设备的高电流充电电路的开关推出了超紧凑型MOSFET，包括两种电池
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东芝将为移动设备的高电流充电电路推出超紧凑型MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，该公司已经为智能手机和平板电脑等移动设备的高电流充电电路的开关推出了超紧凑型MOSFET，包括两种电池。随着更多功能添加至智能手机和手机、平板电脑和笔记本电脑等
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东芝为射频/模拟应用开发出低功耗MOSFET设备结构
21ic讯 东芝公司最近使用CMOS兼容工艺开发出了高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology an
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东芝推出用于继电器驱动器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"
有源箝位结构可以预防电感负载关闭时的过电压东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K33
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东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
可将导通电阻降低约24%东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并
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东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”，并计划于2013年8月投入量产。通过优化芯片设计，可将其每单
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东芝推出650V系统超级结MOSFET“DTMOS IV”系列
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。该系列采用最
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东芝推出650V系统超级结MOSFET“DTMOS IV”系列
实现顶级1低导通电阻性能东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超级结MOSFET“DTMOS IV”系列650V设备。作为该系列的首款产品，“TK14A65W&rdq
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UC3625无刷直流电动机开环速度控制
UC3625无刷直流电动机开环速度控制
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凌力尔特LT4320不再为散热题而忧 LT3081宽SOA让工业应用有更多选择
6月下旬，凌力尔特向业界推出LT4320 、LT3081两款新品。为此，凌力尔特召开了新品发布会，21ic记者也受邀参加。如今，几乎所有产生的电能都是 AC型的，而电子系统所需要的则为DC型。即使是传统上只接受交流电的设备也
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12V电源电路
系统5V或3.5V时，MOSFET驱动，同时需要相当数量的元件，产生额外的+12V电压，但典型的双MOSFET驱动器不可能采用第二个通道驱动12V电源，通过在独立引脚上使用漏极驱动器，可
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Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay
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东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
低导通电阻可减少移动设备的传导损失21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通过“TPN2R203NC”扩充移动设备锂离子电池和功率管理开关专用保护电路中使用
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飞兆半导体推出新型 MOTION SPM 5系列产品
为小型家用电器提供热感应和稳定的电磁干扰性能，模块经过优化，能够在严苛的应用条件下确保效率及最高可靠性21ic讯 电机控制系统设计人员需要能够在严苛的应用条件下，提
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一款汽车灯调光电路
一款汽车灯调光电路
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