随着电源技术的发展,低电压,大电流的开关电源因其技术含量高,应用广,越来越受到人们重视。在开关电源中,正激和反激式有着电路拓扑简单,输入输出电气隔离等优点,广泛
多相DC-DC转换器引出当今的高性能ASIC和微处理器己广泛应用工控、通信航天等各个领域。但由于它的功率消耗较高,有时高达150W甚至超过,对于1V至1.5V的电源电压,这些器件所
安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用
有源箝位结构可以预防电感负载关闭时的过电压东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布,该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K33
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia o
21ic讯 东芝公司今天宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技术及电路
1.集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器,他作为基本的电子器件,可以实现多种功能电路,如电子电路中的比例,积分,微分,求和,求差等模拟运算电路。2.运算放大器工作在两个区域:在线性区,他放大小信号;输入
闭环速度控制
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展,私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对服务器电源的要求进一步升级,现已涵盖各种
单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益21ic讯 安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为
功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1.电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法,在电池接反时,PN结反接无电压降,但在正常工 作时有0.6~0.7V的管压降。采用导通电
1 场效应管的性能与双极型三极管比较具有哪些特点?答:场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电,故称为单极型三极管;而普通三极管参与导电的,既有多数载流子,又有少数载流子,故称为双极型
以功率因数控制芯片MC33262 为核心,设计了一种宽电压输入范围、固定升压输出的150 W 的AC/ DC 变 换器. 对该变换器用有源功率因数校正(APFC) 技术、MC33262 芯片的原理和结构做了详尽的分析和讨论. 实验结果表明所设计的以MC33262 为核心的有源功率因数校正器能在95~250 V 的宽电压输入范围内得到非常稳定的400 V 直流电压输出,并使得功率因数达到0. 99 以上,总谐波畸变降低至6 %.
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展,私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外,得
单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率,替代二极管整流桥,实现紧凑的设计并节省电路板空间21ic讯 高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质
现代的电子装置设计须提供多个不同的直流(DC)电压,导致内部电路须透过升压与降压方式转换电压,为装置中负责不同功能单元供电;其中,在高效率DC-DC电源转换设计方面,以电
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
我们都懂得如何利用二极管来实现开关,但是,我们只能对其进行开关操作,而不能逐渐控制信号流。此外,二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
新日本无线株式会社开发出了一款600mA, 500kHz的小型封装降压型开关稳压器 NJW1933,该稳压器最适于逆变器、程控器等产业设备电源及汽车电子配件。此产品已经开始进入生产阶