MOSFET
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Linear 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽车 (H 级) 和高可靠性军用 (MP 级) 版本 LT4320，该器件是一款理想二极管桥控制器，适用于 9V 至 72V 系统。
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Vishay发布采用ThunderFET技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET
采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的100V N沟道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面积为5mm x 6mm21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布首颗通过AEC-Q1
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常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动 功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
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用于车载USB供电的NCV8852
一 前言在目前的车载娱乐系统中，USB接口已经成为系统的标配。随着大电池容量的便携设备的流行，做为车载充电接口的USB电源，需要提高更大的电流以满足设备的需要。目前主流
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飞兆的中压MOSFET采用空间节省型封装可优化电能应用
2014年2月13日 –许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在
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Vishay发布采用PowerPAIR® 封装的高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封装，最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压（Vt
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热插拔控制器在直流升压电路中的设计应用
设计了一种利用热插拔保护控制芯片，实现直流升压电路的输出过流、短路保护。本文分析了直流升压电路以及热插拔保护电路的工作原理及实现方式，详细介绍了电路及参数设计、选择过程，以及实际工作开关波形，并给出了设计实例。实验证明，利用热插拔保护控制芯片，有效地避免了常规直流升压电路在输出过流短路时的固有缺陷，提高了电源使用的可靠性。
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封装的P沟道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移动计算21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低
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政策扶持重点 功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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答疑解惑 盘点在开关电源设计中的经典问答题
如何为开关电源电路选择合适的元器件和参数?很多未使用过开关电源设计的工程师会对它产生一定的畏惧心理，比如担心开关电源的干扰问题，PCB layout问题，元器件的参数和类型
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Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖
【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品
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Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获最佳产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内，以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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瑞萨转单效应，尼克森收复季线
MOSFET厂尼克森(3317)11月营收创下今年次高数字，市场看好来自瑞萨转单效应发酵，可望挹注出货量大幅成长，不过尼克森表示，转单效应并没有那么强烈，而公司除了力守PC市场MOSFET市占外，长期规划也将着眼于非PC市场
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Vishay推出通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC转换器中可节省空间21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO
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Vishay推出通过AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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