MOSFET
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麦瑞半导体推出一款85V 全桥 MOSFET 驱动器 MIC4606
为何需要MOSFET驱动器呢？因为要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够
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光伏组件户外性能测试平台设计
在传统工作模式电子负载的基础上提出的一种户外光伏组件测试平台，以自动切换工作模式的可编程电子负载为核心，实现了对光伏组件IV特性曲线更加精确而完整地测量。它可
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IR推出坚固的车用双低侧驱动IC AUIRB24427S
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S，适合混合动力电动汽车 (HEV) 、电动车 (EV) 和大功率工业转换器中的开关电源
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盘点关于开关电源设计的经典问答题
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
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为便携式设备快速充电
移动设备正日益成为我们日常生活不可或缺的一部分。以智能手机为例，除了简单的手机呼叫功能外，智能手机现在还具有丰富的特性，能够支持社交网络、Web 浏览、消息发送、游
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2014年开关电源主力市场发展如何？
随着电力电子技术的高速发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化，率先完成计算机
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IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的
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德州仪器推出业界首批支持集成型MOSFET的大电流PMBus转换器
20A 及 30A SWIFT™ DC/DC降压转换器支持电压、电流以及温度监控日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首批具有 PMBus 接口的 18V、20A 及 30A 同步 DC/DC 降压转换器。该
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IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具备极低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变
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盘点2013中国十大电路保护技术厂商（下）
安森美半导体安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、
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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种 MOSFET 将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生
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反激式LED驱动中的PFC原理
作为一种固态光源，发光二级管(LED)具备使用寿命长、功效出色以及环保特性，因此得到了广泛应用。目前，LED正在取代现有的照明光源，如白炽灯、荧光灯和HID灯等。若要点亮LED，需要用恒定电流进行操作，而且必须具有
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保护敏感电子组件，抵御高压瞬态
汽车和工业应用中常常遇到持续时间从几微秒到数百毫秒的高压电源尖峰。这些系统中的电子产品不仅必须耐受瞬态电压尖峰而不被损坏，而且在很多情况下还必须在出现电压尖峰时
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基于FAN6300准谐振LED路灯电源的设计
近年来，LED 由于节能环保而在路灯照明方面得到广泛应用。为满足大功率LED 的电气特性，在传统的反激变换器的基础上，基于飞兆FAN6300 设计了一种准谐振高压恒流LED 路灯驱动电源。阐述了准谐振开关电源的原理和优点，给出了电路原理图，以及关键元件的参数计算和选取方法。实验结果证明了该设计的可行性和有效性。
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联电在先进材料与组件研发方面获得重要的成果
【导读】联电在先进材料与组件研发方面获得重要的成果 联电在2006超大规模集成电路技术会议中，针对先进材料与组件研发提案报告其重要研究成果。 这些重要发现主要针对半导体组件微小化，其中包括在
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飞兆半导体的AEC-Q101低压MOSFET 为汽车电子设计提供高效率等优势
【导读】飞兆半导体的AEC-Q101低压MOSFET 为汽车电子设计提供高效率等优势 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench&
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安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
【导读】森美半导体扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设
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飞兆半导体为智能电话背光应用实现高转换效率
【导读】为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。 1mm2的小占位面积升压开关可节省智能电话设计的板上占位空间高达6
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飞兆半导体Ultra FRFET MOSFET荣获2010年“年度电源产品奖”
【导读】全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《电子工程专辑》杂志举办的2011年中国电子成就奖中，获选为“年度电源产品奖”得奖
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飞兆半导体在electronica上展示功率技术解决方案
【导读】飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在3月15至17日于上海新国际博览中心举行的electronica China 2011展会上，展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semico
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