MOSFET
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锂电池保护电路工作原理
电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能，其工作原理分析如下：1 正常状态在正常状态下电路中N1的“CO“与“DO”脚都输出高电压，
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飞兆半导体连续两年获颁伊顿最佳供应商奖
全球领先的高性能功率和移动解决方案供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 连续两年获颁伊顿亚太区的 2012 年亚太区最佳供应商奖。 伊顿 (Eaton) 公司总部位于美国，并在上海设有亚太区总部，该公司是为单
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飞兆半导体荣获中国Top-10电源产品奖
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，该公司在全国领先电子行业媒体《今日电子》与21ic举办的Top-10电源产品奖中，荣获“最佳开发奖”。飞兆半导体凭着FDPC8011S 25V双功率芯片非对称N
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Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si54
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同步降压MOSFET电阻比的选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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恩智浦发布汽车认证双通道Power-SO8 MOSFET
21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标
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USB充电解决方案：高效 AC 适配器
通用串行总线(USB)充电已经成为小型电子产品的一种常见供电方法。许多新型消费类电子设备(例如：智能手机、平板电脑、电子阅读器等)的AC电源适配器/电池充电器的功率范围均
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如何为具体应用选择恰当的MOSFET
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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估算热插拔MOSFET温升的简易方法
本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通
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中电压MOSFET可以减少优异图
功率密度和轻负载效率的提高是关键问题，服务器，电信和AC-DC电源设计师。此外，在这些开关模式电源的同步整流（SMPS）设计要求符合成本效益的电源解决方案，最大限度地减少电路板空间，同时提高效率和降低功耗。仙童
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无锡新洁能功率半导体有限公司
地 址：江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号启航大厦8楼邮 编：214131电 话：0510-85629718传 真：0510-85627839网 站：www.ncepower.com电子邮件：caik@ncepo
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北京落木源电子技术有限公司
地 址：北京市德外教场口一号8号楼225室邮 编：100011电 话：010-62024388传 真：010-62024388网 站：http://www.pwrdriver.com电子邮件：yaning@263.net;b
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深圳市环球众一科技有限公司
深圳冠顺微电子有限公司(原深圳市伊顺电子科技有限公司)地 址：广东省深圳市南山区西丽镇留仙洞工业区康达工业园6栋6楼邮 编：518034电 话：0755-82968940传 真
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深圳冠顺微电子有限公司（原深圳市伊顺电子科技有限公司）
深圳冠顺微电子有限公司（原深圳市伊顺电子科技有限公司）地 址：广东省深圳市南山区西丽镇留仙洞工业区康达工业园6栋6楼邮 编：518034电 话：0755-82968940传
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飞兆半扩展PowerTrench MOSFET系列
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小
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详细介绍如何运用MOSFET实现完美安全系统
汽车上许多组建的多元应用，从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达，不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案，也兼具了注重安全性汽车所必须的通讯和诊断能力。因此，设计人员为了增加车上电子
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MOSFET驱动器及功耗计算介绍
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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瑞萨电子推出新款超级结MOSFET
21ic讯 瑞萨电子公司日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这
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基于高压背光逆变器的液晶电视性能改善方法
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
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MOSFET双峰效应的评估方法简介
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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