MOSFET
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飞兆半导体公布2012年度报告 总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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罗姆半导体正式量产碳化硅MOSFET模组
日本半导体制造商 ROHM 已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器（Power conditioner）等变流器/转换器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模组（额定规格1200V/ 180A）投入量产。该模组采用了将功
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飞兆半导体公布2012年度财报 总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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飞兆半导体2012年总收入14亿美元
飞兆半导体日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年财报。 财报显示，飞兆半导体四季度销售额为3.334亿美元，环比下降7%同比下降2%。季度亏损1360万美元，经过调整后的净利润为1230万美元，毛利率为29.8%。2012年
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常用功率器件MOSFET基础介绍
我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器
工作温度范围为-40°C至125°C，有助于减少逆变电路的死区时间，提高效率东芝公司(Toshiba Corporation今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的
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选择最佳MOSFET的方法
MOS管现在在很多注重电源性能的便携产品中越来越多用来替代二极管用于同步整流，但是如何选型非常讲究，相信大部分童鞋都不太有底，特别是面对众多供应商、各种产品型号、多种参数，等等。以英飞凌的低压MOS管为例，
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中科院宣布成功开发22nm MOSFET
中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得进展，成功制造出高K金属闸MOSFET 。中科院指出，中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所积体电路先导工艺研发？？
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数字电源控制技术新保障 不依赖数字控制信号的MOSFET驱动器
UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件
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第三代半导体材料双雄并立，难分高下
进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）——并称为第三代半导体材料的双雄。Si
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飞兆半导体推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以两种产品系列推出，这些MOSFET的输出电容具有
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如何提升数字控制电源性能？MOSFET驱动器有办法
如何提升数字控制电源性能？MOSFET驱动器有办法
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LED照明普及所需解决的问题
众所周知，LED以其无与伦比的节能、环保、长寿命、可控性高等技术优势，成为近年来全球最具发展前景的高新技术之一，正式拉开全面替代传统照明的序幕，半导体照明技术革新正在改变百年传统照明历史。随着LED技术在照
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飞兆半导体推出40V N沟道PowerTrench® MOSFET
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争
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国产IGBT厂商开始小批量销售
“十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重
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晶片商抢推高整合LED驱动器
半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延的窘境，因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案，
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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vi
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罗姆在新一代功率元器件领域的飞跃发展与前沿探索
前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争更低功耗”的指导原理下，随着微细加工技术的发展，实现了开
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第14届高交会：成启，把握产业转移发展契机
纵观功率半导体行业，与功率集成电路产业主要被国外厂商把持的情况不同，国内功率器件行业受技术、资金、产品认可度等因素的制约相对有限，因此能够保持高速增长的态势。作为一家新兴企业，广州成启半导体有限公司是
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汽车电源过压保护电路
典型的汽车电源架构图1给出了一个典型的汽车电源简化框图，主要包括以下几个单元：源保护电路：限制+12V电源总线的正向电压，并阻止产生负压。有源保护电路：该限压器功能与
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