MOSFET
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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闸能科技朝高效率绿能产品应用IC发展
绿能环保已成全球电子业发展趋势，位于南港IC设计育成中心的IC设计新创公司闸能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等产品线的多项成果，符合手持装置、LED灯源、LCD面板以及车载等电子系统在绿
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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Intersil推出全球首款高速双通道6A MOSFET驱动器
21ic讯 Intersil公司今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D
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准谐振反激式电源架构及应用
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源
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PMOS开关管的选择与电路设计
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间
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安森美半导体推出非同步升压控制器NCV8871
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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欧姆龙与IceMos Technology量产采用MEMS超结构造MOSFET
图1：开发的MOSFET（点击放大） 美国IceMos Technology与欧姆龙开始量产采用MEMS工艺技术的超结（Super-Junction）构造MOSFET（图1）。IceMos Technology主要负责设计和开发，欧姆龙负责生产。首批量产的是两种产
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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