MOSFET
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飞兆推出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块
21ic讯 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战， 飞兆半导体公司(Fairchild Semicondu
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基于双管正激的模块电源设计
高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成为当前模块电源技术发展的关键驱动力。双管正激电路是实现这些要求的实用电路之一,被广泛应用在中、高功率电源设计中。本文简要介绍了双管正激电路的工作原理及优点,同时详细介
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同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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电池电路工作原理
电池电路工作原理 电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能，其工作原理分析如下： 1、正常状态 在正常状态下电路中N1的“CO"与“DO"脚都输出高电压，两个MOSFET都处于导通状
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飞兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic讯 对于需要提升系统效率并最大限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说，构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。为了帮助设计人员应对这一挑战，全
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飞兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic讯 对于需要提升系统效率并最大限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说，构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。为了帮助设计人员应对这一挑战，全
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic讯 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic讯 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新产品开始供货
21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新产品开始供货
21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最
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基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计
摘 要: TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET 开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外
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IR推出WideLead 封装的车用MOSFET系列
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列，与传统的 TO-262封装相比，可减少 50% 引线电阻，并提高 30% 电流。这款新型车用 MOSFET 系列适合
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飞兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic讯 DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。为了满足这一需求， 飞兆半导体公司(Fairchild
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飞兆推出60V PowerTrench MOSFET器件
21ic讯 DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。为了满足这一需求， 飞兆半导体公司(Fairchild
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Diodes推出全新DFN3020封装MOSFET
21ic讯 Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代
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为你的应用选择合适的高压MOSFET
高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开
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IR推出优化版车用DirectFET®2功率MOSFET芯片组
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7
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IR推出优化版车用DirectFET®2功率MOSFET芯片组
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7
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IR推出优化版车用DirectFET®2功率MOSFET芯片组
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了一款优化版车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片组，适合内燃机、混合动力和电动车中的 DC-DC 应用。新型 40V 逻辑电平栅极驱动芯片组包含 AUIRL7
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采用测量放大电路推动的功放
放大器电路，特点是运算精度高、输入阻抗高，增益容易调节，具有优良的共模抑制比以及低失调低温漂等。电路中A1、A2组成第一级差分放大器，A3组成第二级差分 放大电路 (减法电路)。R3和R4、R5组成了深度的电压
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