MOSFET

一种宽输入双管反激式开关电源的设计

摘要：光伏并网发电系统中通常使用宽输入范围的开关电源来为低压微控制器、IGBT驱动器以及LCD供电。文中介绍了一种输入范围为120～800 V，输出为20V／1A的开关隔离电源的设计方法，从而有效地解决了光伏并网发电系统

大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算

0 引言 众所周知，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。近年来，内核CPU所需的电源电流每两年就翻一番，即便携式内核CPU电源电流需求会高达40A之大，而电压在0.9V和1.75

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皮卫星智能航天电源系统设计

本文针对皮卫星电源系统的特点开发了一套智能化、高效率的数字化电源系统，其智能化设计主要体现在：通过多种测量电路对电源系统各关键节点的电压、电流等重要信号进行实时采集、处理与分析，随时掌握电源系统的能量

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NS推出内置MOSFET门极驱动器的全桥PWM控制器

21ic讯 美国国家半导体公司（NS）宣布推出业界首款内置全部4个初级端桥接MOSFET门极驱动器的全桥脉冲调制（PWM）控制器。这两款型号分别为LM5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8砖电源模块的效率和功率密度，其

MOSFET的AGC环路

飞兆半导体在展会上重点展示功率技术解决方案

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在3月15至17日于上海新国际博览中心举行的electronica China 2011展会上，展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案，展台编

瑞萨将上市SiC功率半导体

瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因

意法半导体上市LED灯泡用驱动IC MOSFET

意法合资的意法半导体(STMicroelectronics)上市了小型LED灯泡用驱动IC“HVLED805”。该IC用在反激型绝缘AC-DC转换器的一次侧，在一个芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐压的功率MOSFET。无需使用电流检测电阻便可检测出

IR将携最新节能电源管理解决方案参展IIC-China 2011

　　全球功率半导体和管理方案厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布将携行业领先的节能电源管理解决方案参展第十六届国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China 2011）。　　IR的工程师和

英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线

2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS? 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS? 晶体管技术不断优化，这为取得成功

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英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠

LED恒流驱动器件MOSFET选择

常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主.　　功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来

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同步MOSFET栅极驱动器LTC4444/-5的H级版本（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本，该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器，为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设

利用STR F6656设计34寸彩色电视机开关电源

摘要：介绍Sanken公司的混合型开关电源ICSTR?F6600系列的原理和应用，作为实例，介绍了使用STR?F6656设计一个34″彩电用的开关电源，并给出满意的实验结果。1引言　　混合型电源ICSTR?F6600系列是日本Sanken

英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线

英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠

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