MOSFET
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Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
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低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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闸能科技朝高效率绿能产品应用IC发展
绿能环保已成全球电子业发展趋势，位于南港IC设计育成中心的IC设计新创公司闸能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等产品线的多项成果，符合手持装置、LED灯源、LCD面板以及车载等电子系统在绿
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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Intersil推出全球首款高速双通道6A MOSFET驱动器
21ic讯 Intersil公司今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D
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准谐振反激式电源架构及应用
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源
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PMOS开关管的选择与电路设计
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间
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安森美半导体推出非同步升压控制器NCV8871
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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