为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全
摘要 针对飞机直流电源上的浪涌干扰,分析了采用电压钳位和开关式稳压电路两种方法,实现80V浪涌吸收器的可行性。经过设计和试验,较好地解决了这一问题。 关键词 机载电子设备;80V浪涌吸收器;浪涌干扰 随
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列,适合要求低导通电阻的一系列应用,包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻,适合电压介于40V和75V之间的各种
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列,适合要求低导通电阻的一系列应用,包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻,适合电压介于40V和75V之间的各种
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示,到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1],而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理,因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示,到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1],而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理,因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
引言 随着现代科技的飞速发展,开关电源正朝着小、轻、薄的方向发展。反激变换器因具有电路拓扑简单、输入电压范围宽、输入输出电气隔离、体积重量小、成本低、性能良好、工作稳定可靠等优点,被广泛应用于实际变
新问世的NexFET Power Block透过矽晶片及封装技术的突破,来满足小尺寸产品的高效率及高电量需求,其所占空间约为离散式MOSFET的一半,可降低相关寄生效应,并使同步降压电源配置,能够在效能方面超越离散式MOSFET电
现代创新理论的提出者约瑟夫·熊彼特认为,企业家的职能就是实现“创新”,引进生产要素或生产条件的“新组合”,目的是最大限度地获取超额利润。创新催生利润,因此“创新”一
21ic讯 Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD,可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能,以确保平衡分配电机负载的直流损耗
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求,但由于混合动力电动汽车采用了几个系统,它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求,但由于混合动力电动汽车采用了几个系统,它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
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21ic讯 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中,上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战, 飞兆半导体公司(Fairchild Semicondu
21ic讯 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中,上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战, 飞兆半导体公司(Fairchild Semicondu
高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成为当前模块电源技术发展的关键驱动力。双管正激电路是实现这些要求的实用电路之一,被广泛应用在中、高功率电源设计中。本文简要介绍了双管正激电路的工作原理及优点,同时详细介
在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组
电池电路工作原理 电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护功能,其工作原理分析如下: 1、正常状态 在正常状态下电路中N1的“CO"与“DO"脚都输出高电压,两个MOSFET都处于导通状