MOSFET
-
运放做自动OR操作的电源选择器
一般来说，人们都希望系统供电电源是可用性最高的输入电压。用一种肖特基二极管的OR方法就可以完成这个任务(图1)。糟糕的是，肖特基二极管的正向压降在300mV~600mV范围内。这个压降会消耗功率，产生热量，降低系统可
-
运放做自动OR操作的电源选择器
一般来说，人们都希望系统供电电源是可用性最高的输入电压。用一种肖特基二极管的OR方法就可以完成这个任务(图1)。糟糕的是，肖特基二极管的正向压降在300mV~600mV范围内。这个压降会消耗功率，产生热量，降低系统可
-
最佳电源模块选择标准
目前，许多电信、数据通信、电子数据处理，特别是无线网络系统采用分布式电源架构供电。这些复杂的系统要求电源管理解决方案能够监控电源，直至每个精确的参数。为达到这种性能水平，大部分设计采用FPGA、微处理器、
-
最佳电源模块选择标准
目前，许多电信、数据通信、电子数据处理，特别是无线网络系统采用分布式电源架构供电。这些复杂的系统要求电源管理解决方案能够监控电源，直至每个精确的参数。为达到这种性能水平，大部分设计采用FPGA、微处理器、
-
理解功率 MOSFET 的电流
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选
-
晶片设计/封装别出心裁 电源供应系统加速“绿”化
随着各国法规对电子产品耗电量的要求日益严苛，消费者也开始将节能效果的良窳，做为采购时的重要参考指标。为符合市场需求，电源晶片商正全力开发更高转换效率的解决方案，以因应电源供应器朝向更高节能效率发展的风
-
Vishay的MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖
2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。 《今
-
Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于
-
一种高效率AC/DC电源的设计
由于功率密度的增加，能量损耗的密度也更为集中。更高的效率就意味着更低的热损耗。提高电源效率正在迅速成为提高功率密度时唯一可行的措施。本文讨论的AC/DC电源，80%以上的效率就可以被视为高效率。现在，市场上可
-
两种常见的MOSFET驱动电路设计
由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下： A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
-
集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
-
低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
-
电动自行车控制器MOSFET驱动电路的设计
电动自行车具有环保节能，价格合适，无噪声，便利等特点，因此，电动自行车成为当今社会人们主要的代步工具。与此同时，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求也越来越高。作为整车四大件之一的控制器的可靠性显得尤
-
高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
-
Blade封装技术助力 低压MOSFET效能升级
在绿色节能热潮持续发烧与能源规范日趋严格等因素驱使下，市场对电源供应系统的效率和功率密度的要求也不断提升。为因应此一发展趋势，英飞凌(Infineon)已研发出采用新一代Blade封装技术的低压金属氧化物场效电晶体(
-
Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
-
Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
-
集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
-
集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
-
低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
lux169
1094956558
kingun
hxx001
跃迁
shilingdao2005
ankerd
寻梦者在路上
555ter4yrthtr0
落叶行健ywm
赛元MCU3
6551130
flyleopard
sxhhhjicbb
shyan2812
williamfang
woody96
hanfly
酷洵软件
LONGXIA
