MOSFET
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下一代计算产品用平台方案（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel® Core™处理器系列(代号Sandy Bridge)。这些新产品包括高能效电源管理器件，以及应用于高带
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本土IC公司推出新款600V MOSFET产品
功率MOSFET市场为欧美IDM半导体厂商所掌控，诸如Vishay、TI、凌力尔特在电源管理应用市场，而飞兆、英飞凌等公司的高压MOSFET广泛应用于工业、汽车等市场。甚至，随着高压功率器件市场的快速增长，几年前IR也开始不断
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下一代计算产品用平台方案（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel® Core™处理器系列(代号Sandy Bridge)。这些新产品包括高能效电源管理器件，以及应用于高带
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新型-30V P 沟道功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS
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准谐振反激的原理、应用及参数计算
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰
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多芯片模块XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 开发了3A 降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块XCM526系列。XCM526系列产品是降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块。由于采用低导通电阻(70
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多芯片模块XCM526系列（特瑞仕）
特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 开发了3A 降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块XCM526系列。XCM526系列产品是降压DC/DC控制器与P-ch Power MOSFET一体的多芯片模块。由于采用低导通电阻(70
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汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR
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如何减少电源损耗实现电源效率最大化
我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗：下一步是利用上述简单表达式，并将其放入效率方程式中：这样，输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成)。这种优化可产生一个有趣的结果。当输出电
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如何减少电源损耗实现电源效率最大化
我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗：下一步是利用上述简单表达式，并将其放入效率方程式中：这样，输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成)。这种优化可产生一个有趣的结果。当输出电
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MOSFET驱动器介绍及功耗计算
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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MOSFET驱动器介绍及功耗计算
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT（飞兆）
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFE
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30V车用 MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为
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30V车用 MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为
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汽车用功率 MOSFET 专用系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的 MO
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