MOSFET
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同步降压转换器的设计方案
设计降压转换器并不是件轻松的工作。许多使用者都希望转换器是一个盒子，一端输入一个直流电压，另一端输出另一个直流电压。这个盒子可以有很多形式，可以是降阶来产生一个更低的电压，或是升压来产生一个更高的
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同步降压转换器的设计方案
设计降压转换器并不是件轻松的工作。许多使用者都希望转换器是一个盒子，一端输入一个直流电压，另一端输出另一个直流电压。这个盒子可以有很多形式，可以是降阶来产生一个更低的电压，或是升压来产生一个更高的
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同步降压转换器的设计方案
设计降压转换器并不是件轻松的工作。许多使用者都希望转换器是一个盒子，一端输入一个直流电压，另一端输出另一个直流电压。这个盒子可以有很多形式，可以是降阶来产生一个更低的电压，或是升压来产生一个更高的
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光伏逆变器拓扑结构及设计思路
1 引言 对于传统电力电子装置的设计，我们通常是通过每千瓦多少钱来衡量其性价比的。但是对于光伏逆变器的设计而言，对最大功率的追求仅仅是处于第二位的，欧洲效率的最大化才是最重要的。因为对于光伏逆变器
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高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器（飞兆）
为了满足全球各地的能效标准要求，太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为此开发出
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德仪3座晶圆厂 瞄准模拟IC
德仪（TI）近两年分别在美国德州、日本会津若松市及中国成都大举收购晶圆厂生产设备，藉以扩充模拟IC产量，昨（16）日台湾区总经理陈建村对外界说明，包括位于德州Richardson的12吋晶圆厂（RFAB）及会津若松市、成都
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高
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高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器（飞兆）
为了满足全球各地的能效标准要求，太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为此开发出
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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车用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、
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Dual Cool封装MOSFET（飞兆）
随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fa
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Dual Cool封装MOSFET（飞兆）
随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fa
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车用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、
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满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
当维持相同的结点温度时，可以获得更高的输出功率和改善功率密度。另外，散热能力的提高使得电路在提供额定电流的同时，还可以额外提供不超过额定电流50%的更高电流，并使器件工作在更低的温度、减少发热对其他器件的影响，也提高了系统的可靠性。
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控制驱动VR的方法
为减小导通损耗及反向恢复损耗，同步整流需要精确的时间控制电路，虽然已有几种方法来产生控制信号，我们现在采用一种从反馈系统来有源控制的栅驱动信号的定时系统。其关键优点在于该电路将根据元件状态的变化来特
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一种MOSFET双峰效应的简单评估方法
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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一种MOSFET双峰效应的简单评估方法
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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安森美半导体下一代计算产品用平台方案
日前，应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出一系列新产品，简化及加速计算平台的设计，包括应用于即将发布的第二代Intel Core处理
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