Nand

u-boot-2009.08在mini2440上的移植（三）---增加nand flash功能

移植环境1，主机环境：VMare下CentOS 5.5 ，1G内存。2，集成开发环境：Elipse IDE3，编译编译环境：arm-linux-gcc v4.4.3，arm-none-eabi-gcc v4.5.1。4，开发板：mini2440，2M nor flash，128M nand flash。5，u-bo

西部数据公司发布面向高端智能手机的96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘

西部数据公司近日推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND?MC EU321，旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。

大容量存储需求强劲！西部数据发布96层3D NAND UFS 2.1嵌入式存储

西数发布的96层3D NAND UFS 2.1存储就是针对这一情况发布的产品，具备iNAND SmartSLC 5.1架构，针对目前热门的AI、AR和多摄像头支持、高分辨率拍摄等领域有所优化。

基于ARM和NAND Flash的FPGA加载配置在TD-LTE中的实现

三星明年对存储器投资整体下降：DRAM投资大降20%，NAND Flash投资将增加

报道进一步指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。

为减少对DRAM的依赖，SK加码投资NAND！

日前有韩国媒体《Business Korea》分析，SK海力士这间M15工厂落成后，可借由扩大生产来缩小市场差距。另外根据SK海力士在第2季的财报中显示，DRAM占80%的销量，NAND Flash则仅占18%，和三星电子60：40的比重来比，SK海力士对DRAM的依赖偏高。SK海力士打算借由此次加码投资NAND Flash来减少对DRAM的依赖。

ARM 系列 -- FS2410 开发板上 Nand Flash 到内存的代码搬移

一、目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的内存， 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。二、代码 关于如何建立开发环境，在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循

长江存储高启全：未来10年闪存 20%的市占率才能存活

对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking，长江存储执行董事长高启全接受中国证券报记者专访表示，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。未来十年，长江存储将持续增加研发投入。

STM32 USB NAND Flash模拟U盘无法格式化问题的解决

前几天，一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜，还苦逼地在实验室调代码，也许是杭州大圆月的原因，今晚感觉整人特别亢奋，效率也特别高，灵感也多。终于，在不懈的努力下，找到代码中的

U-Boot中SMDK2410的NAND Flash驱动

标准的SMDK2410板不支持NAND Flash，启动的时候是这样的：U-Boot 1.1.2 (May 28 2006 - 08:20:50)U-Boot code: 33F80000 -> 33F99A14 BSS: -> 33F9DB0CRAM Configuration:Bank #0: 30000000 64 MBFlash: 1 MB*** War

新款iPhone 存储器是定价的关键

根据《彭博社》24日报导，苹果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手机，不同储存容量版本，定价策略都有特别考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版为准，苹果预计512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多赚取约134美元获利。

东芝、西数宣布Fab 6工厂正式启用！重点生产96层堆栈3D NAND闪存

今天东芝、西数一起宣布他们位于日本四日市三重县的Fab 6工厂正式启用，配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是96层堆栈3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝/西数的3D闪存产能进一步提速。

从Nand Flash启动U-BOOT的基本原理

前4K的问题如果S3C2410被配置成从Nand Flash启动(配置由硬件工程师在电路板设置), S3C2410的Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,Nand Flash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中

中韩大力兴建晶圆厂，两国投资占全球一半

近年来中国对半导体愈加重视，并大力投资兴建晶圆厂，而半导体产业相对发达的韩国也对建设晶圆厂非常重视，投资金额超过中国成为世界投资晶圆厂最多的国家。

中韩近年来大手笔兴建晶圆厂，投资远远超过其他地区

其中韩国将以630亿美元的投资领于其它地区，仅比排名第二的中国多10亿美元。日本和美洲在晶圆厂方面的投资分别为220亿美元和150亿美元。而欧洲和东南亚投资总额均为80亿美元。其中大约60%的晶圆厂将服务于内存领域(占比最大的将是3D NAND闪存，用于智能手机和数据中心的存储产品)，而三分之一的晶圆厂将用于代工芯片制造。

迎接SSD低价大容量时代，群联64层3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出货

群联董事长潘健成表示，QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代!

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程

近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NA

NAND闪存架构还要再跌11-13%，希捷、西数股价遭殃

与内存相比，NAND闪存价格在今年初就开始由涨转跌，上半年跌幅至少50%。对于未来的NAND价格走势，市场及分析师普遍认为还会继续再跌11-13%。NAND闪存价格下跌，但是今天股价遭殃的反而是希捷、西数，其中希捷股价暴跌7%，Evercore分析师大幅下调了希捷的目标股价。

stm32学习之NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大

厂商产能陆续开出，内存将继续降价？

自2018年第二季起，内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动，由其是在中国大陆，无论是DRAM或是NAND Flash产能都在持续开出;尽管目前尚未进入稳定量产阶段，但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间， 在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。