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  • 传西班牙拟调降太阳能补贴额预计10月前实施

    西班牙太阳光电工业同业(AsociaciondelaIndustriaFotovoltaica，简称ASIF)发言人TomasDiaz指出，西班牙政府打算将目前落地式太阳能面板厂的补助额调降30%，未来则将进一步调降45%。此外，屋顶太阳能系统补贴额也将调降25%。Diaz表示，他不认为太阳能产业能够在此种补贴条件下存活。西班牙相关主管机关发言人不愿对此消息作出回应。Diaz表示，西班牙可能会在2010年10月以前宣布调降太阳能补贴额。他指出，西班牙政府希望立即调降补贴，并要求太阳能业者在两天内决定现有厂房补贴调降的方式。美国多数太阳能类股16日闻讯走软。大陆太阳能电池生产巨擘无锡尚德(SuntechPowerHoldingsCo.Ltd.)跌1.66%，收10.08美元。美国太阳能电池厂商SunPowerCorp.跌1.19%，收14.06美元。大陆太阳能垂直整合大厂林洋新能源(SolarfunPowerHoldingsCo.Ltd.)跌2.77%，收8.07美元。西班牙经济学家报(ElEconomista)报导，国际货币基金(IMF)、欧盟以及美国财政部计画为西班牙提供最多2,500亿欧元(3,070亿美元)的信用额度。不过，欧盟与西班牙政府都否认了这项报导。西班牙央行16日指出，将会公开银行压力测试报告，而德国也正在与针对银行测试报告的公开事宜与欧盟合作。

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  • 意法半导体与清华大学建立长期合作伙伴关系

    意法半导体与清华大学建立长期合作伙伴关系清华大学意法半导体2010年6月18日，意法半导体与清华大学深圳研究生院达成建立长期研发战略合作伙伴关系。从2002年建立ASIC专用集成电路合作研究中心开始，本战略合作协议的签订代表双方的合作关系已进入第二阶段。意法半导体将在数字多媒体芯片和应用软件以及先进模拟芯片和应用软件方面为清华大学提供工程项目、技术支持和先进设计工具。根据本协议的规定，意法半导体还将向清华大学深圳研究生院提供5年的研发经费，每年100万人民币，并负责每年研发项目全面评审。清华大学深圳研究生院和清华大学电子工程系将为双方的长期研发合作提供充足的人才资源(包括毕业生和专业技术人员)、设备及对中国市场的深入而全面的认识。清华大学深圳研究生院常务副院长康飞宇教授评论这项长期研发战略合作伙伴计划时说：“该项合作为清华根据市场需要开发IC模块和芯片推进集成电路设计和创新水平提供了很好的机会。发挥双方的技术、人才与管理优势，拓展合作领域，合作项目主要为未来5年将要转化为实际应用的科研领域，对于迅速提高、加强国内设计人员的研发水平非常有益。”意法半导体公司副总裁兼大中国及南亚区首席执行官FrancoisGuibert对此次合作持积极的欢迎态度：“意法半导体已经在中国市场发展很多年，我们建立了实力雄厚的本地芯片封装、设计和应用开发团队。意法半导体与清华的合作关系将有助于提升公司针对本地市场的需求提供定制的芯片解决方案的本地化能力。与清华大学的长期研发合作，将进一步拓宽并巩固意法半导体在全球最活跃、发展最迅速的市场中与主要厂商的良好关系。”与清华大学的长期研发战略合作作为意法半导体在欧洲、亚洲和美国与一流大学及研究机构建立的合作伙伴体系的重要补充，将带来由本地设计的复杂芯片数量的大幅增长。

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  • 以芯片为纲三星LED链条式扩张

    6月9日，在天津经济技术开发区微电子工业区内，天津三星LED有限公司举行了新生产线投产庆典。天津三星LED有限公司成立于2009年6月，用地面积为43000平方米。仅仅一年多，天津三星工厂扩大产能迅速实现一变三。这只是三星LED产业链上的一个环节，来自韩国工厂的芯片，会在这里完成封装以及形成模块的研发、制造和下游的应用销售。LED产业是三星垂直一体化的产业整合能力又一典型代表，这使得其在终端市场中更具竞争力。产能一年翻番天津工厂要做全球第一据天津三星LED有限公司总经理金常务介绍，2009年6月，以天津三星LED第一家工厂为基础，将LED事业从三星电机高新法人分离出来，设立了天津三星LED有限公司。2009年9月，在天津市微电子工业区租用了现代电子的建筑，进行改造，建立了二工厂，用于生产LED彩电用的PKG。2010年2月，三工厂也正式量产LEDPKG和LED彩电用模块。“到目前为止，我们已经具备了相当规模的生产能力。”金常务表示。天津三星LED延续了生产制造部门的低调，当日并不愿意透露具体的投资额度以及产能。南都记者侧面了解到，目前市场上彩电用LED很大部分来自于这里，其中一厂主要生产手机、电脑用产品。二厂、三厂产品则主要用于汽车和彩电。二厂、三厂和一厂的产能相差不大，这意味着产能实现了200%左右的增长，而且四厂也已经在规划中。南都记者在二厂看到，密闭的生产线24小时不停运转，LED产业是技术和资金密集型产业，一个车间内仅有几位员工在一台台机器间不断查看数据。据三星方面介绍，来自三星韩国工厂的芯片，就是在这里进行封装，焊金丝线，点荧光粉，经过一系列环节后形成LED产品，除了实现自我供给，还向多家其他企业供货。1995年4月，三星迈出LED事业第一步，三星希望通过将LED用于便携产品、彩电等找到新的市场空间。2009年4月，三星电子和三星电机携手，创立三星LED公司，之后两个月就有了天津三星LED。韩国三星LED总裁金在旭表示，天津三星LED公司在成立时，就确立了目标，即成为世界第一的LED公司，起到“三星LED全球化的尖兵作用。”在三星的新战略产业投资计划中，截至2020年，将在LED(显示材料)、环保能源等领域投资23.3兆韩元(约合1407.32亿人民币)，其中三星在LED产业投资最大，将从显示用背光源向照明、发光电子部件等领域扩大，计划到2020年实现累计投资8.6兆韩元，销售额17.8兆韩元。链条式扩张实现规模效应LED是三星颇为得意的一步棋。2009年三星率先推出LED电视，全球销量一举突破260万台，这被内部称为“空前的成功”。事实上，三星LED电视的背后有一个完整的产业链条为其提供支持。在韩国的水原总部，主要承担了销售、采购、管理支援等核心技能以及研究开发部分。韩国器兴工厂负责生产芯片等业务。天津的LED工厂则负责将芯片加工成LED产品的包装工程与模块工程。除了韩国和中国，还在全球六个国家设立了销售部门。“我们是全球最大的半导体企业，这使得我们在发展LED产业上占据优势”。有三星内部人士表示，三星在半导体产业积累了大量的技术和经验，对于LED芯片生产、研发提供了支持。此前，也有三星内部人士表示，三星的芯片是公司盈利最为丰厚的部分，美国市场调研公司ICInsights预计，韩国三星电子公司2010年全年的半导体芯片销售额将会增长50%，飙升至300亿美元。在5月中旬三星抛出的2010年年度26兆韩元的一揽子投资计划中，半导体领域就占了11兆韩元。与很多欧美厂商不同的是，三星不仅仅有很强的研发能力，也坚持自己建厂、自己生产，这种垂直一体化的产业整合能力在全球信息产业巨头中比较少见。据了解，天津三星LED销售增长迅速，对比前一年已经实现了三倍增长。目前，液晶面板正逐步采用LED背光源。这意味着，LED背照灯成本的降低和芯片的稳定供应成为竞争的关键。南都记者了解到，天津三星LED的设备价格每台高达10万美元，采购规模不下千台。动辄上亿美元的投资，使得三星可以尽快实现规模效应，降低成本。

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  • 传德国太阳能补助原案7月1日砍16%

    期待德国后延下砍补助的人恐要空欢喜一场！德系太阳能业者表示，德国已通过依照原案于7月1日下砍太阳能屋顶补助费率16%，地面太阳能电厂费率下砍15%。显示德国上议院6月初的杯葛最后是无功而返，而全球市占率高达5成的德国市场大刀下砍后，预估市场将在近期快速反应7月的新环境。太阳能业者表示，德国市场已传出，其新太阳光电补助案将照原案执行，太阳能屋顶补助下调16%的电价买回费率补助，地面(groundmounted)装置补助则下调15%，均在7月1日实施，2010年若安装量超过35亿瓦，则再追加2.5%的下调补助、2012年后变成追加3%。由于时差关系，目前在国际媒体上仍未见相关报导，不过，依照业者最初判断，德国或后延下砍补助的日期，德系业者因空窗期无法适从，期间所造的损失，可以依法控诉德国政府并要求赔偿。德国下议院原定决的法案，在6月初受到上议院杯葛，上议院要求以下砍不超过10%的补助费率来挽救德国的太阳光电产业供应链及补助下砍所造成的就业危机，让市场期待下砍补助案可能后延，现在看来恐是空欢喜一场。

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  • 半导体制造：又逢更新换代时

    环保意识的提升，首当其冲的就是对各种电子产品能效指标的愈加严格，功耗管理及其对系统成本和性能的影响是当前电子系统设计人员和制造商所首要关注的问题。随着竞争日益激烈，尽力降低功耗、加强对热耗散的有效管理、并同时在由价格和性能驱动的功能方面保持领先等更加不可或缺。与众多先进电源管理方案实现降低系统功耗相比，制程工艺的进步才是提升性能和降低功耗最根本的办法，转向更高制程无疑是提升半导体产品性能功耗比和市场竞争力最直接有效的办法。　　市场研究机构Gartner Dataquest产业分析师Kay-Yang Tan表示，过去数十年来，集成器件制造商(IDM)在工艺技术及服务的创新方面扮演领航者的角色，未来也将继续在新世代产品的开发上扮演重要的角色。专业集成电路制造服务领域所产出芯片的市场销售金额占全球半导体业的比例已从1998年的9.2%增加到2009的28.1%。　　经历过经济危机的洗礼之后，半导体市场从2009年下半年开始强力反弹，在这样的市场大环境推动下，2010年又将迎来一个制程工艺全面革新换代的年份。2009年，Intel已经迈入了32nm时代，今年领先的几大代工厂商均已经宣布开始量产32nm的博弈。TSMC(台积电)、IBM联盟以及三星都已经在2009年公开了自己2010年的工艺革新计划，只是，这次三大代工阵营似乎如商量好般直接发布自己的28nm工艺，而跳过了32nm这个主节点。　　代工厂的进程　　28nm工艺是目前几大主流Foundry(代工厂)提供的新一代工艺节点，代工界龙头TSMC计划于2010年第三季与第四季依序推出28LP 低耗电及28HP高效能的工艺以满足客户的需求，并且于2011年第一季再推出28HPL 高效能低耗电的后续工艺。一般而言，大规模的生产时程会于推出半年后开始。TSMC将同时提供客户高介电层/金属栅(HKMG，High-k Metal Gate)及氮氧化硅(SiON，Silicon Oxynitride)两种材料选择，与40nm工艺相较，栅密度更高、速度更快、功耗更少。TSMC负责研发的资深副总蒋尚义博士介绍，之所以选择跳过32nm，是因为工艺都是基于服务客户的需求。 相较于32nm，28nm的栅密度显然更高许多。同时考虑到客户在高效能对于速度以及无线移动通讯对于低耗电方面的要求分别推出以HKMG栅极工艺的28HP以及延续SiON闸极介电材料的28LP，相信会给客户带来更多在效能，耗电及成本方面的效益。　　TSMC的HKMG用于28HP高效能是全新的工艺，与40nm相较在相同漏电基础上有50%的速度提升，相同速度基础上漏电亦有大约50%的降低。HKMG的工艺成本会增加，但是TSMC在每一代的工艺都会给客户尽可能高的性价比。TSMC的28nm HKMG比一般32nm有更高的栅密度、更快的速度、更低的耗电，同时HKMG更进一步降低了栅极的漏电。尽管也有竞争对手同时有采用Gate first的工艺，但是这种单一金属材料很难同时让NMOS、 PMOS 达到功能的匹配。TSMC使用不同的金属材料使得NMOS、PMOS在功能的匹配及Vt调整上都能达到要求。　　从设计角度，蒋尚义博士介绍，28nm与现在的45(40)nm这代工艺相比存在全新挑战。 TSMC在45(40)nm 采用了部分的设计准则限制(Restricted Design Rule)，但是到28nm设计准则限制的范围更加扩大;另外提取和仿真(extraction and simulation)需要处理更多的数据。为了应对这些挑战，TSMC和客户以及设计伙伴间对每个产品都必须更早及更紧密地联系及合作。　　为了提高合作的效能，TSMC为了先进工艺推出多项EDA技术档案。包括可互通的制程设计套件(iPDK)、制程设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及制程电容电阻抽取模块 (iRCX)，其中iRCX就是为28nm推出的。　　与前一代工艺比较，为了依然能够达到让新工艺有大约2倍的栅密度(gate density)，TSMC的28nm 在线路布局方面有新的要求。同样地，将来更新工艺如 22/20nm在design rule(设计准则)方面会有许多新的要求与限制以达到栅密度倍增的要求。将来可以预见的是客户会更紧密地与晶圆代工伙伴合作以提前应对许多在制程工艺以及设计上更多的挑战，以达到上市以及上量的目标。     Fabless择机而动　　处理器、FPGA与基带处理，这三个能够完成独立处理功能的半导体产品还有什么共同点?那就是必须一直坚持紧跟工艺革新的步伐，否则就将面对可能掉队的危险。这三种产品其实并不一定是采用最领先的制程就能制造出最符合市场需求的产品，但面对着越来越激烈的半导体产品竞争，三大产品线已经不得不咬紧牙关，把工艺紧跟到底。在众多Foundry已经公布28nm路线图的基础上，目前只有这三大应用的Fabless公司高调公布了自己的28nm产品战略。　　处理器　　Intel早已在2009年就开始32nm生产，作为目前唯一一个宣称要坚持到底的IDM厂商，Intel一直将工艺作为其产品的核心竞争力之一。而另一家处理器厂商AMD则还在与自己的代工厂GLOBALFOUNDRIES(GF)进行相关工艺开发，预计今年下半年可以推出32(28)nm的工艺。通用处理器IP厂商MIPS同样已经开始推出基于全新制程节点的参考设计提供给客户。　　便携处理器方面，GF和ARM共同发布了其尖端片上系统平台技术的新的细节，该平台技术专门针对下一代无线产品和应用。这一新的平台包括两种GF的工艺：针对移动和消费应用的28nm超低功耗(SLP)工艺和针对要求最高性能应用的28nm高性能(HP)工艺，预计GF将在2010年下半年启动制造生产。相较于以往的40/45nm技术， 28nm工艺及其Gate-First HKMG技术能够提供卓越的性能收益。根据目前的预计，28nm HKMG在相同的温度范围(thermal envelope)内提高约40%的计算性能，改善移动设备的应用性能，强化多任务处理能力。客户在广泛采用的Gate-First方法中的获益，现在也能在 HKMG工艺中取得。与40/45nm工艺相比，28nm HKMG工艺的结合能够提升30%的功耗效率，并将待机电池寿命延长了100%。　　FPGA　　Altera公司在今年2月初旧已经确定2010年将携手TSMC推出自己的28nmFPGA产品，同时在即将推出的28nm中采用的创新技术：嵌入式HardCopy模块、部分重新配置新方法以及嵌入式28/Gbs收发器，这些技术将极大的提高下一代Altera FPGA的密度和I/O性能，并进一步巩固相对于ASIC和ASSP的竞争优势。Altera总裁、主席兼CEO John Daane评论说：“随着向下一工艺节点的迈进，Altera的这些创新技术将引领业界超越摩尔定律，解决带宽挑战，同时满足成本和功耗要求。”　　赛灵思可编程平台开发全球高级副总裁 Victor Peng 指出：“在 28 nm这个节点上，静态功耗是器件总功耗的重要组成部分，有时甚至是决定性的因素。由我们选择了TSMC和三星的高介电层/金属栅 (HKMG)高性能低功耗工艺技术，以使新一代 FPGA 能最大限度地降低静态功耗，确保发挥28 nm技术所带来的最佳性能和功能优势。”赛灵思28nm工艺技术的相关产品将于 2010 年第四季度上市。    基带处理器　　规模最大的fabless企业高通资深副总裁兼通讯科技总经理Jim Clifford表示，高通借由领先业界的整合、兼具功耗及成本效益的产品，为客户带来“利用最少资源，获得更多效益”的重要优势，其关键在于与Foundny的紧密合作，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28nm进行量产。28nm工艺密度可较前一代工艺高出一倍，让进行移动计算的半导体器件能在更低耗电下提供更多功能。高通与TSMC目前在28nm的合作包括HKMG高效能工艺技术以及SiON的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年中投产首批 28nm产品。　　出货量最大的Fabless企业—博通公司的运作和中央工程执行副总裁Neil Y. Kim认为：“我们有计划向下一代的制程技术转移。博通公司也正在研发下一代制程技术的设计平台，向先进制程参数转移的首要原因就是它可以提升性能、降低功耗、减小芯片尺寸，并且实现更高的集成度。我们的评估显示下一代先进制程可以提供上述所有好处。”对于博通而言，由于产品线相对比较广，因此Kim介绍，博通会根据市场需求进行不同产品的评估。大部分采用28/32nm制程技术的产品更具竞争力，根据市场需要博通已经做好准备迎接新制程技术的采用，28nm工艺可以为手机和其他应用提供更高的带宽和更低的能耗。此外，新工艺还将持续着力于实现更高程度的系统集成并推动融合。随着融合不断的推进，拥有更强大IP的公司可以更受益于新的制程技术。(由于设计的复杂性)产品研发的平均成本将会继续提升，他们会要求更多的资源、计算和存储。这就像是提高了入门成本，但是相信消费者也更快地意识到新工艺的好处。　　未来：全代CPU和半代SoC?　　按照摩尔定律的指引，多年来制程更新的尺寸都是前一代的0.7倍，随着存储器行业不断在PC的推动下快速成长，存储器逐渐超越CPU成为制程工艺的领导者，而存储颗粒的尺寸直接决定了存储器单位面积上的存储容量，这就让存储器厂商在如何缩减工艺尺寸上绞尽脑汁。于是，诞生了一个比标准工艺节点(全代工艺)更高密度的工艺，与其同属一代工艺而工艺尺寸只有全代的0.9。毫无疑问，这样的变化对Fab的改进不大，投入可以接受，却可以提供密度为全代工艺1.24倍的芯片，对客户来说，在成本支出不大的情况下可以让其产品更有性能竞争优势。对于这样的革新，某厂商赋予其一个带有些许感情色彩的称呼：半代!　　随着所有Foundry齐齐转向28nm的“半代”工艺，半导体极有可能以制程分成两个阵营，对于需要紧跟制程革新脚步的应用芯片来说，芯片的种类将直接决定了采用的制程工艺，由于大部分选择了代工，SoC及更接近SoC的FPGA等将绝大部分以“半代”工艺出现，而CPU依然在Intel的坚守下停留在“全代”工艺。当然，还有些许疑问等待未来证实：拥有CPU生产订单的GF是否会同时兼顾全代和半代两个阵营，还是将AMD的CPU推进到半代工艺;Intel重兵出击的SoC产品，比如Atom处理器等低功耗芯片，是继续坚持Intel的全代工艺还是转向更主流的SoC半代工艺。　　32nm的硝烟刚刚开始，22nm工艺的路线图也日渐清晰。旧金山秋季IDF 2009上，Intel总裁兼CEO Paul Otellini就展示了世界上第一块基于22nm工艺的晶圆，并宣布将于2011年下半年发布相应的处理器产品，开发代号Ivy Bridge。展示的测试晶圆采用22nm工艺结合第三代高K金属栅极(HK+MG)晶体管技术、193nm波长光刻设备制造而成，其上既有SRAM单元也有逻辑电路，并且切割出来的芯片已经可以实际工作，将成为Intel未来22nm处理器的基础。4月14日，TSMC蒋尚义博士谈到TSMC20nm工艺将比22nm工艺拥有更优异的栅密度以及芯片性价比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外，20nm工艺预计于2012年下半开始导入生产。TSMC20nm工艺系在平面电晶体结构工艺(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(HKMG)、创新的应变硅(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。同时，在其他晶体管结构工艺方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。从技术层面来看，由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力，TSMC因此决定直接导入20nm工艺。    如此看来，IDM与Foundry之间已经明显出现制程节点的不同，这一趋势将持续存在下去。现在尚不能评价半代和全代工艺哪个更适合半导体产业的发展，至少半代总算是一种技术上的进步，只是做出半代还是全代选择的权利还是应该留给芯片设计者，在选择中去体验两种技术的不同也许对半导体产业来说才是更健康的发展之路。　　参考文献：　　[1]李健. 半代工艺盛行 Fabless的幸福还是无奈[OL] .http://lijian1.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/72393　　[2]TSMC. TSMC宣布发展20nm工艺[R].2010.04.14　　[3]李健. 40nm工艺带来全新竞争力[J].电子产品世界，2009,16(9)　　[4]赛灵思.赛灵思 28 nm技术及架构发布背景[R].2010.02.23　　[5]高通.高通公司与TSMC在28nm工艺技术上携手合作[R].2010.01.11

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  • Gartner：今年半导体设备市场急速膨胀

    进入2010年后，全球半导体接连扩大设备投资，将使半导体设备市场急速膨胀。据市调机构Gartner预测统计，因全球半导体企业自2009年底开始为因应逐渐转好的市场情况，纷纷进行大规模投资，2010年如光学设备等半导体制造设备将较2009年增加113%。三星电子(SamsungElectronics)投资了较原本预定的5.5兆韩元，多63.6%的9兆韩元资本额进行新产线及30奈米DRAM量产线建设。日前也发表对位于美国德州奥斯汀的半导体工厂进行36亿美元的投资计划。海力士(Hynix)也将年初设定的2.3兆韩元资本额提升32.6%至3.05兆韩元。东芝(Toshiba)投资3,500亿日圆建设产线、尔必达(Elpida)也发表将投资600亿日圆进行工程转换，南亚也将花费新台币220亿元进行设备投资。2010年初每颗价格约2.4美元的DDR3芯片最近的固定交易价约为2.7美元，与年初约为3美元的现货价格相比略微下跌，但5月底仍维持在2.6美元在线。Gartner表示，随着半导体需求持续增加，设备市场的成长趋势将持续至2011年，然至2012年将逐渐趋缓。

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  • 北美5月半导体设备B/B值1.12订单连升14个月

    国际半导体设备材料产业协会(SEMI)周四公布，北美2010年5月半导体设备产业订单出货比(B/B值)为1.12。今年4月B/B值则修正为1.13。5月数字显示，晶片设备业者出货100美元，即接获112美元订单。北美半导体设备制造商5月接获全球订单的三个月平均值为14.8亿美元，较2010年4月修正后的14.4亿美元成长2.8%，与2009年5月的2.878亿美元相比则激增415.3%。北美半导体设备商5月对全球出货的三个月平均值为13.2亿美元，较今年4月修正后的数字12.8亿美元增加3.1%，与2009年5月的3.926亿美元相比，则增加236.0%。SEMI总裁兼执行长StanleyT.Myers表示：「晶片设备订单已连续14个月走扬，与市场复甦及企业提升资本支出的现况相符合」。他强调，位在供应链中的SEMI成员，正努力履行客户订单，以因应这波上升的需求。

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  • 印度半导体市场增长15％

    按印度半导体联盟(ISA) 报道，随着印度国内电子市场的迅速增长，电子工业的发展己被国内提到议事日程上来。按ISA的一份研究报告，2009印度半导体市场达54亿美元及到2011年可能增长达到80亿美元以上，年均增长率可达22%。按ISA的数据，2009印度存储器芯片市场为13亿美元，ASSP芯片市场为11亿美元，微处理器芯片7.34亿美元，ASIC芯片5.81亿美元，模拟功率芯片3.38亿美元，模拟混合讯号芯片3.34亿美元，传感器芯片1.54亿美元，Logic/FPGA 1.34亿美元，微控制芯片8600万美元及DSP芯片市场3000万美元。据ISA报道，从应用类分，无线手机芯片占2009年印度半导体市场的27.5%，而通讯芯片占19%，讯息技术与办公室自动化占34%及消费电子占8%。按Frost & Sullivan的研究，印度半导体市场依2009与2008的比较增长15%以上，而全球半导体市场下降11％。ISA的总裁Poornima Shenoy认为，手机、3G网络、WiMAX、笔记本电脑、机顶盒和智能卡等是印度半导体市场的主要推手。随着印度的通讯设施完善，相应印度的半导体芯片消费会迅速增加，在2009-2011年期间增长达132%。按印度ISA的董事长及TI印度公司的头Biswadip Mitra的说法，在电子系统设计与制造(ESDM) 中可能有更大机会，印度电子工业市场估计可从2009的250亿美元增加到2011年的370亿美元。Mitra认为印度将通过多个方面，如通讯、工业、汽车、消费及保健电子等产品来推动ESDM的发展。ISA的任务是把终端电子产品和OEM联合起来，并加强紧密的合作来推动印度电子工业的进步。

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  • 传海力士债权机构于6月中出售5%股份

    据彭博(Bloomberg)报导，韩国经济日报(KoreaEconomicDaily)指出，海力士债权机构计划于2010年6月中之后，以成批出售(blocksale)的方式出售约5%的股份，然韩国经济日报并未提供消息来源。此外，该报导称海力士将采用毒性卖权(Poisonput)避免恶意购并竞标。海力士债权机构韩国外汇银行(KoreaExchangeBank)于先前表示，海力士的债权人将在2010年出售13%的股权，其中8%将在2010年上半卖出，其余5%将在下半年出售。

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  • 与Gartner下半年减缓警告相左， VLSI认为IC将全年冲高

    按VLSI报道2010年全球半导体业冲高，但是2011年有所回落。尽管全球宏观经济仍不乐观，但是半导体制造商仍对下半年的前景表示看涨。它们看到Q3的市场需求上升及库存有小幅增加。按VLSI最新报告，它们的看法与Gartner最近关于下半年可能减缓的警告有所不同。VLSI最新报告2010年半导体增长28%，而修正之前的增长25％。其中最大的修正是2010年全球IC出货量由之前的增长24％至31%。显然IC的平均售价ASP下降2，6％，与之前预测ASP将上升形成极大的反差，也是未来产业的变数之一。IC的ASP按月比较下降，而且低于去年同期水平。从近期看，开始时ASP是上升的，处于正常态势。然而由于在好形势下芯片制造商不能有节制的控制产能，丧失了控制价格的能力，等于向未来透支的现象发生(即现在赚的钱到头来要吐出来)。VLSI调低了2011年IC预测。预测2011年IC增长由之前的增长8%下调为4％。对于半导体设备业，由于投资的持续增长效应，估计2011年仍有增长，但是2012年可能下降。按VLSI报道，2010年全球半导体设备增长82，6%。而SEMI报道Q1全球半导体设备销售额为74，6亿美元，与去年Q4相比增长32％及比去年同期增长142%。按SEMI报道，2010年Q1半导体设备的订单为94.1亿美元，与09Q4相比增长28%及与去年同期相比增长484%。以上半导体设备的数据是由SEMI及SEAJ通过对于全球超过120家以上的设备公司的调查所得，依月度计。

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  • 三洋电气计划在欧洲开拓9.8亿美元的太阳能和能源业务

    三洋电气公司计划在2016年之前，在欧洲投入8亿欧元（9.75亿美元）的风险投资，以开拓其太阳能和能源业务。今年年初，公司已经启动了几个发展和扩张项目，以实现这个目标。该公司为日本主要电气公司之一，意图加强其光伏生产能力，同时促进与其相关的锂离子电池和能源管理系统业务，如遥控器和其它能源系统产品。三洋公司在欧洲的长期目标是，将其位于匈牙利的光伏模块装配厂的生产能力从165兆瓦扩大到315兆瓦。三洋将提供一套名为“智能能源系统”（SmartEnergySystem）的产品，它可以削减能源成本，并减少工厂、学校和商店排放的二氧化碳。该系统综合了三洋公司的能源生产技术，包括光伏系统、能源储存和能源效率技术，对供应空调和照明系统的清洁能源实现了最大化控制。该系统能够被小规模安装，例如家用；也方便于中型安装，例如商店；甚至适用于像工厂这样的大型安装。不断增长的需求Sanyo(美国场外交易板代码:SANYY)公司表示，公司的主要发展动力，来自于各国不断增长的清洁能源的需求，以及实现碳减排目标的需求。公司期望各国政府能够针对减缓气候变化，制定最优惠的政策。今年2月，该公司对英国可再生能源资助计划表示赞赏。公司还表示对进入德国成熟的太阳能市场非常期待，因为德国从2000年就开始实行类似的资助计划。三洋欧洲太阳能部门负责人ShigekiKomatsu说，这些资助计划使德国可再生能源市场每年增长大约3亿瓦，并建立了全球最大、最先进的太阳能市场。作为这次投资计划的附带宣传，公司还希望证明，怀疑北欧的气候环境不利于太阳能技术是没有必要的。该公司的说法是，从2003年开始，就曾成功地向英国销售太阳能模块。为了在欧洲建立其品牌知名度，三洋公司还积极参加了各种太阳能展览会。在3月举行的伦敦绿色建筑展览会（EcoBuild）和本月在慕尼黑举行的太阳能展览会（Intersolar）上，公司展出了其采用了本征薄层异质结（HIT）技术的太阳能电池。今年五月，由三洋公司的锂离子电池系统驱动的Mira电动汽车，打破了一次充电行驶里程的世界纪录，行驶了1000公里。原纪录也由三洋公司保持。

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  • 演绎中国集成电路产业30年历程的转变排行榜

    NO.1　行业规模迅速扩大 从1979年到1993年这期间，国内集成电路产业发展比较缓慢，总产量一直未能超过1亿块的规模，直到1994年产量才开始迅速上升，并以高增长率稳步提高。1997年到2007年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率达到37.7%，集成电路销售额的年均增长率则达到37.3%。国内集成电路总产量在2003年首次突破100亿块，总销售额则在2006年首次突破千亿元大关。到2007年，国内集成电路产量已经达到411.7亿块，销售额达到1251.3亿元，分别是1997年产量和销售额的24.5倍和23.8倍。中国集成电路产业规模已经由1997年不足世界集成电路产业总规模的千分之六提高到2007年的百分之八。中国成为同期世界集成电路产业发展最快的地区之一。图1为1997年～2007年中国集成电路产业规模增长情况。 NO.2　产业链格局日渐完善 经过几十年的发展，特别是从20世纪90年代开始，中国集成电路产业结构逐步由大而全的综合制造模式走向设计、制造、封装测试三业并举，各自相对独立发展的格局。到目前，中国集成电路产业已经形成了IC设计、芯片制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。 IC设计业方面，自1986年北京成立了国内第一家专业设计公司（现中国华大集成电路设计公司）至今，各类IC设计大量涌现。目前我国以各种形态存在的设计公司、设计中心、设计室以及具备设计能力的科研院所等IC设计单位已有近500家，设计行业从业人员超过5万人。国内IC的年设计能力目前已超过1000种，产品设计的门类已经涉及计算机与外设、网络通信、消费电子以及工业控制等各个整机门类和信息化工程的许多方面。在企业规模上，2007年国内销售额过亿元的IC设计企业已有近30家。IC设计业已经成为带动国内集成电路产业整体发展的龙头。 芯片制造业方面，20世纪90年代908工程（无锡华晶项目）和909工程（上海华虹NEC项目）的建成，分别使我国拥有了第一条6英寸和第一条8英寸芯片生产线。2004年中芯国际北京芯片生产线的建成投产则使我国拥有了首条12英寸芯片生产线。截至2007年底，国内已经有集成电路芯片制造企业近50家，拥有各类集成电路芯片生产线50条。其中，12英寸生产线3条，8英寸生产线12条，6英寸生产线12条，5英寸生产线9条，4英寸生产线14条。 在国内封装测试业的发展上，1995年之前行业主体一直由无锡华晶（现华润微电子）、华越、首钢NEC等芯片制造企业内部的封装测试线和江苏长电、南通富士通、天水永红（现华天科技）等国内独立封装测试企业组成。 NO.3　产业群聚效应日益凸现 近年来国内集成电路产业在高速发展的同时，其地区群聚效应也日益凸现，长江三角洲、京津环渤海以及珠江三角洲地区已经成为国内集成电路产业集中分布的地区。全国集成电路产业95%以上的销售收入集中于以上三个地区。其中，包括上海、江苏和浙江的长三角地区是国内最主要的集成电路制造基地，在国内集成电路产业中占有重要地位，全国55%的集成电路制造企业、80%的封装测试企业以及近50%的集成电路设计企业集中在该地区。2007年该地区集成电路产业销售收入占全国的70%。目前，长江三角洲地区已初步形成了包括研究开发、设计、芯片制造、封装测试及支撑在内的较为完整的集成电路产业链。 此外，包括北京、天津、河北、辽宁和山东5省市的京津环渤海湾地区也是国内重要的集成电路研发、设计和制造基地，该地区已初步形成了从设计、制造、封装、测试到设备、材料较为完整的集成电路产业链，具备了相互支撑、协作发展的条件。该地区2007年的集成电路产业销售收入占国内产业总销售收入的17.8%。珠江三角洲地区作为国内重要的电子整机生产基地和主要的集成电路市场，依托发达的电子整机制造业，近年来它的集成电路设计业发展较快。除以上三大区域外，近几年西安、成都、武汉等中西部地区的集成电路产业也快速发展并已开始形成规模。 NO.4　技术水平取得突破性发展 在产业规模迅速扩大的同时，中国集成电路行业的整体技术水平在近几年也得到了全面提高。制造技术方面，随着国内多条8英寸生产线的建成量产，国内芯片大生产技术的主体已经由五六英寸、0.5微米以上工艺水平过渡至8英寸、0.25微米～0.18微米，中芯国际（北京）、中芯国际（上海）以及海力士——意法无锡12寸芯片厂的相继投产标志着国内芯片大生产技术的最高水平已经达到12英寸、90纳米乃至65纳米的国际先进水平。中国芯片制造行业已经开始向国际先进行列迈进。与此同时，封装技术也有了长足的进步，传统封装形式如DIP、SOP、QFP等都已大批量生产，随着跨国公司来华投资设厂和现有封装企业的改造升级，PGA、BGA、MCM等新型封装形式业已开始形成规模生产能力。 国内各IC设计企业的技术开发实力也有显著的提高，并已经取得多项掌握核心技术的研发成果。2000年以来，以“龙芯”等为代表的国产CPU联手中国华大、大唐微电子等开发的第二代身份证卡芯片、中星微电子的“星光”系列音视频解码芯片、展讯通信的GSM/GPRS基带处理芯片和TD-SCDMA手机核心芯片等大量具有自主知识产权的国内产品研制成功并投向市场，标志着国内集成电路设计业的水平已经步入世界先进行列。 NO.5　投资瓶颈得到根本缓解 资金不足一直是困扰国内集成电路产业发展的主要瓶颈之一。20世纪90年代中期以前，我国集成电路产业发展主要依赖国家直接投入，外资和民间投资很少。但近20年来，随着对外开放的深入，外国企业纷纷来华合资或独资建立集成电路企业，国内集成电路行业的投入规模迅速扩大，外资所占的比重也逐步上升。“八五”期间，国内集成电路行业累计投资达到110亿元，其中外资近60亿元，远远高于“七五”期间8亿元的行业总投资和0.8亿元的外商投资规模。而到了“九五”期间，产业累计投入已经达到140亿元，其中外资近70亿元。 自2000年开始，受国务院18号文件颁布的鼓舞，国内集成电路领域掀起了一轮前所未有的投资热潮，包括中芯国际（上海、北京）、宏力半导体（上海）、和舰科技（苏州）、台积电（上海）等多个大型芯片制造项目，以及Infineon（苏州）、NS（苏州）、Fairchild（苏州）、Intel（成都）等一大批封装测试项目相继开工建设并陆续投产。2000年到2007年这八年间，国内集成电路领域投资额累计超过200亿美元，相当于过去20年投资总额的5倍。 在新增投资规模迅速扩大的同时，现有企业的融资渠道也有了很大拓展，股票上市正在成为国内集成电路企业的一种重要融资方式。自20世纪90年代中国集成电路行业出现第一家上市公司——上海贝岭股份有限公司开始，我国已有杭州士兰、长电科技等多家集成电路企业在国内上市。2004年中芯国际在美国纽约交易所，以10亿美元的融资规模创下中国IT类上市公司之最。随后又有珠海炬力、中星微、展讯通信等多家企业在海外成功上市，困扰中国集成电路产业发展多年的资金瓶颈得到了极大缓解。 NO.6　产业环境日臻完善 中国集成电路产业蓬勃发展的背后是产业环境的不断完善。基于集成电路对于国民经济和国家安全的高度重要性，中国政府对集成电路产业的发展给予了一贯的高度关注，并先后采取了多项优惠措施。1986年国务院第122次常务会议决定对集成电路等四种电子产品实行四项优惠政策：从销售额中提取不超过10%的资金用于技术与产品的开发；重大技术改造项目，经批准其进口设备、仪器和备品备件可免征进口关税；企业免征产品增值税和减半征收所得税；国家财政每年拨给一定数额的电子发展基金，用于支持集成电路等电子产品的开发和生产发展。四项优惠政策的实施和电子发展基金的使用极大地推动了我国集成电路产业的发展。2000年6月，在广泛调查研究和征求意见的基础上，国务院发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发18号文），2001年国务院又以国办函[2001]51号函的方式，对集成电路产业政策做了补充和完善。18号文件和51号函从鼓励产业发展、税收减免、投资优惠、进出口政策扶持、加速设备折旧、支持研究开发、加强人才培养、鼓励设备本地化以及知识产权保护等多个方面对国内集成电路产业的发展给予了诸多优惠政策。 除在产业政策方面的鼓励外，中国政府对集成电路行业的知识产权保护也给予了高度重视。2001年国务院颁布实施了《半导体集成电路布图设计保护条例》。条例吸收了各主要国家和国际组织关于集成电路图设计保护的法律内容，并结合中国产业的特点，对知识产权的保护客体、权利主体、权利内容、保护范围、权利限制以及权利产生的条件、登记与保护期做了相应的规定。 NO.7　基础研究取得良好进展 在国家863计划、科技攻关计划和企业技术开发经费的支持下，中国集成电路产业在基础研究方面也取得了很大成果。国内已经形成了一支由高等院校、研究院所和企业科技人员组成的上万名的科技队伍，这为微电子技术进步、集成电路生产工艺和产品开发提供了良好的基础研究条件。在超大规模集成电路工艺、超大规模集成电路设计方法学与设计工具、超深亚微米(VDSM)器件及其机理、SOI等器件与电路、硅基纳米器件、微光-机-电系统(MOEMS)、生物信息分析芯片、新材料研究等诸多研究领域，国内已经形成了一批具有自主知识产权的科研成果。近几年，国家在SOC设计、CPU开发、工艺技术研发、关键设备研制、重点材料攻关等方面继续加大投入力度。这些研究工作对于提高我国集成电路产业的创新能力起到了积极的促进作用，并将为集成电路产业今后的持续健康发展打下良好的基础。 NO.8　人才培养和引进开始显现成果 集成电路产业是知识密集型的高技术产业，其持续快速健康的发展需要大量高水平的人才，但是人才匮乏、人员流失严重却一直是国内集成电路产业面临的主要问题之一。为扭转这一局面，加大集成电路专业人才的培养力度，2003年国务院科教领导小组批准实施国家科技重大专项—集成电路与软件重大专项，并实施了“国家集成电路人才培养基地”计划。随后，教育部、科技部批准了清华大学、北京大学、浙江大学、复旦大学、西安电子科技大学、上海交通大学、东南大学、电子科技大学、华中科技大学等9所大学为首批国家集成电路人才培养基地，2004年8月，教育部又批准了北京航空航天大学、西安交通大学、哈尔滨工业大学、同济大学、华南理工大学和西北工业大学等6所高校为国家集成电路人才培养基地建设单位，并同意北京工业大学和中山大学开展筹建。至此国家集成电路人才培养基地布局初步形成。其目标是通过６～８年的努力，培养４万名集成电路设计人才和１万名集成电路工艺人才。这无疑将为国内集成电路产业的发展提供必要的人才保障。 在加大国内人才培养力度的同时，吸引留学海外回国创业的海外人才也成为国内各地方政府和各家企业的重要举措。2000年以来，海外大量学有所成的留学生和具备丰富经验的专业人员回国工作和创业。这些人才的回流为国内集成电路产业的发展带来了先进的理论知识、国际化的管理经验和广阔的商业机会。目前海外回国人员已经成为国内集成电路行业，特别是IC设计业的一支重要力量。  

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  • 海力士半导体斥资3.73亿美元用于扩大芯片产能

    韩国芯片制造企业海力士半导体周二表示，公司将投资4560亿韩圆(约合3.734亿美元)用于扩大及升级芯片产能。报道称，海力士半导体是全球第二大存储器芯片制造商，公司最近将其2010年资本支出计划规模提高了三分之一，达到3.05万亿(兆)韩圆。

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  • 应对工程知识半衰期的良策：实现“抛却细节”？

    有一次，我上网搜寻一些培训资料，偶然地浏览了一个网站，其声称工程知识的半衰期为两年左右。这也就意味着，作为一个工程师，我至今所掌握的知识中有一半会在两年内就过时。而到10年之后，这些知识中只有3%还仍然能用！这一观点是发布在一个宣传培训服务的网站上，因此我或多或少对它的准确性产生怀疑。但是，随后我又进行了网络搜索，其结果是一般普遍认为工程知识半衰期为2-8年。这样一来，尽管我们对于半衰期的准确时间范围存在争议，但可以确定的是，作为工程师，我们的知识正随着时间的推移逐渐减少。我们唯有做点什么才能应对这一问题，否则我们存在的价值也会随着时间的推移而慢慢降低。似乎最佳的应对策略是：以更新、更多的信息来补充我们的知识。只要我们能够跟上最新的芯片发展和技术发展的步伐，我们就能不断维持我们的价值。但这就是我们唯一需要做的吗？或是还另有其他的选择呢？我最近参加了一个Web讨论小组，该小组旨在讨论高级设计工具对领域专家和细节设计师角色的影响。争论的焦点集中在“高级设计工具正在增加领域专家的影响并取代细节设计师的工作”，其中部分争论围绕着“高级设计工具解决低级的运行问题从而将领域专家从必须了解底层的设计束缚中解放出来”的观点而展开。事实上，存在一种极端情况，即设计师甚至可能对有关底层的细节一无所知。这让我不禁想问：我们何时才能抛却细节？变革的最大障碍是知识。如果我们抱着已经过时的知识不放，就会限制自己发现颠覆性技术、利用其优点的能力。也许是时候放弃那种“我们牢牢掌握的知识拥有某种内在价值”的观点了。作为有细节偏好的人群来说，我们工程师们多多少少都会对自己在日常工作中使用和管理复杂信息的能力感到自豪。这种想法如此根深蒂固，使得我们如果设计某些系统而不知其内部工作原理就好像是在欺骗似的。但如果考虑到我们知识的有效期正在不断缩短这一事实后，我们就会知道，许多时候真的不值得花时间去掌握一些价值短暂的知识。虽然作为工程师来说也许会对这种观点感到格格不入，但我们确实需要逐渐接受“我们不再掌握细节”这一现实。

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  • 三洋电机2013年起贩售次世代太阳能电池

    日厂三洋电机表示，2013年将对外贩售号称为全球转换率最高的次世代太阳能电池。据悉，三洋电机拟将其转换率由以往的20%左右提高至23%，可望超越目前以21%居全球之首的美国业者SunPower。该次世代太阳能电池系以三洋电机独力研发的HIT(HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer)太阳能电池为基准所研发的新产品，因采用独家的薄型化技术，成功将厚度缩减为100微米，较旧有产品减半，且可因减少矽用量，而有助于降低材料费。三洋电机计划2012年将先行在Panasonic位于兵库县尼崎市的电浆面板厂内进行量产，并考虑自2013年起在匈牙利、美国等海外据点生产。三洋向来致力于太阳能电池转换效率的提升，然过去5年的努力，仅拉高不到1个百分点，三洋希望透过引进新技术，加快性能提升速度。另一方面，三洋电机为因应市场需求，拟增强旗下二色之滨厂及滋贺事业所HIT太阳能电池产能，二色滨厂年产能将由目前的35百万瓦(MWp)增为40百万瓦；滋贺事业所年产能则将由200百万瓦增为250百万瓦。

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