据外媒报道,从去年十二月份东芝宣布旗下核能公司亏损数十亿,东芝方面打算出手其存储部门来缓解亏损危机。美国私募巨头KKR正在与东芝谈判,希望能成功购买东芝存储。 上述知情人士称,东芝支持KKR公司及其合作伙伴日本创新网络公司(Innovation Network Corp.)的提案,因为它简化了管制当局的审批程序,加快了兑现东芝所需要的现金。KKR公司及其合作伙伴——还包括日本政策投资银行(DBJ)——表示它们愿意支付1.8万亿日元(约合160亿美元)到2.1万亿日元。 东芝并没有最终决定是否接受KKR公司的提案。它可能仍然会选择走拍卖流程。东芝芯片部门的其他竞购者还包括台湾鸿海精密集团、韩国海力士半导体公司和美国博通芯片制造公司(Broadcom Ltd)。 在日本东京时间下午1:19,东芝的股价上涨了0.9%。此前,它的股价下跌了3.7%。 东芝销售资产的目的是为了填补它的资产负债表中的黑洞,因为它旗下的Westinghouse核能公司亏损额高得惊人。东芝的芯片部门主要为手机和其他设备生产内存芯片,是该公司最有价值的资产。东芝希望到2018年3月前完成出售。 从去年12月东芝宣布其旗下核能公司亏损数十亿美元以来,东芝的股价下跌了大约一半。它还有可能被从东京股票交易市场摘牌。 东芝的芯片部门引起了很多潜在买家的浓厚兴趣。但是,这些竞购者可能很难快速地完成交易。例如,鸿海表示它愿意支付3万亿日元,但是日本和美国政府可能会反对它进行收购,因为它们不愿意将东芝的技术传到中国。韩国的海力士和美国的博通可能会面临管制当局严格的审查,因为它们都是芯片公司。 上述知情人士称,西部数据(Western Digital)可能会与KKR和日本产业革新机构(INCJ)组团进行收购,但是西部数据自己也参与了竞标。这家位于加利福尼亚州圣何塞的公司已与东芝合资在日本四日市开办了一家大型芯片厂。它表示希望在东芝芯片部门出售后继续持有它的股份。西部数据反对东芝拍卖其芯片部门,声称它应该拥有购买该芯片部门的独占权。 拥有国资背景的DBJ和INCJ的参与,可能有助于潜在的购买者获得日本政府的审批。西部数据也表示,它已与DBJ和INCJ洽谈了相关事宜。 苹果在其iPhone中使用了东芝的芯片。它希望获得稳定的芯片供应,也希望投资东芝的芯片部门。上述知情人士称,苹果可能会与其他竞购者合作收购东芝的芯片部门,并持有少量股份。现在尚不清楚苹果是准备与KKR合作,还是与鸿海或其他潜在购买者合作。
英特尔和AMD的竞争从30年前开始到现在没停过,它们相互促进,推动了半导体产业的技术进步和发展。 此前,AMD曾透露,安排了超过300人的工程专家团队来为Ryzen“护航”,现在他们将拿出最新成果,即新的AGESA(微处理器封装架构)。 据悉,封包版本号刷新到了1.0.0.6,用以取代1.0.0.4a(也有说这是1005)。 按照技嘉的说法,本次更新极大提高了DDR4内存的兼容性,预计将有20+产品进入内存控制器的支持序列,包括更好的超频性能和时序管理等。 目前,AMD仍然强烈建议,用户挑选某些特定的内存来保证最好性能,比如使用三星B Die颗粒的芝奇Flare X,金邦的部分型号等。 而在AGESA分发给主板厂,并释放出BIOS更新后,Ryzen对于内存颗粒将不再挑剔,看齐Intel。
IC Insights最新调查显示,半导体产业前10大厂排名洗牌,不加计晶圆代工厂,今年首季英特尔、三星仍稳居冠亚军,不过存储器为主的海力士、美光排名提前,英飞凌则挤下联发科,入榜前10大。 IC Insights指出,今年首季前10大半导体供应商中,整体营收就达996亿美元,占整体市场比重达56%。预期今年第2季市场营收将是有史以来单季突破1000亿美元的大关。 德国芯片大厂英飞凌(Infineon)今年第一季营收年增6%,成功挤下无晶圆厂联发科,跻身全球半导体前十强。联发科首季营收18亿美元虽年增7%,但与前季相比下滑17%。 IC Insight指出,前十大厂首季占整体半导体业营收的56%,达996亿美元,预估第二季将突破一千亿美元大关。(据预测2017年Q2将成为有史以来首次销售额超过1000亿美元的季度) 去除晶圆代工厂,聚焦今年首季前10大厂商,排名依序为英特尔、三星、海力士、美光、博通、高通、TI、东芝、恩智浦,英飞凌。相较去年全年排行来看,英特尔、三星排名未变,不过,海力士、美光排名超前高通和博通,而英飞凌超车联发科,打入首季营收前10大。 IC Insight先前的报告指出,预估第二季三星半导体事业营收将成长至149.4亿美元,超越英特尔的144亿美元,且下半年内存报价持续看涨,三星半导体事业今年全年营收将超越600亿美元,可望打败英特尔成为半导体供货商龙头。 IC Insights预期,今年半导体产业随着新产品的推出,以及产业中的相关整并,在半导体成熟过程中,未来几年内10大厂的排行榜随时都会有洗牌变化。
高性能传感器解决方案的全球领先供应商艾迈斯半导体公司近日宣布推出集成的颜色传感IC,标志着产品组合的突破,极大提升精确性的同时为手持颜色分析仪器的生产商降低了物料和生产成本。 新的AS7261 JENCOLOR® XYZ传感器是颜色传感的完备平台,为生产供专业人士和消费者使用的色度计和颜色分析仪的厂商简化了设计和制作工序。AS7261具有如下功能: · 传感器输出CCT和符合CIE 1931 2°标准观察者框架的XYZ三刺激值, 同时将XYZ转换到x,y(Y)二维色度系统和CIE 1976 u’v’色度系统中. · 多通道滤波器集成在硅片上,提供暗通道、透明通道、近红外通道和XYZ颜色传感通道。 · 经过校准的CCT, x,y,u ' v', duv和各通道的源数据可由I2C或UART接口输出 · 用于电子快门控制和同步的可编程LED驱动器 · 采用集成透镜的带开口的4.5 x 4.7mm LGA封装,提供±20.5°视域来提升传感的精确度 · 主控制器或处理器可以通过一个简单的基于文本的AT命令集来控制传感器的运行 AS7261精确的XYZ三刺激颜色传感功能模拟了CIE1931和CIE1976颜色系统中定义的标准观察者的人眼响应曲线。在CIE1976颜色系统中AS7261测量白光的典型精度为±0.002 du’v’。 与市场上所有同等级的颜色传感器相比AS7261的优异性能归功于集成在晶圆上的持久稳固的硅过滤器。硅过滤器能够有效抵御温度以及老化所带来的影响,而普通过滤器则无法解决这一问题。集成在传感器上的智能算法使得校准也成为了生产过程中的一部分。内嵌的校准程序使得终端生产者无需在生产线上校准每一台设备。 艾迈斯半导体高级市场经理Tom Griffiths表示:“艾迈斯半导体的AS7261 JENCOLOR三基色传感器标志着硅颜色传感技术的飞跃。通过将硅干涉滤光片的高度稳固性和精确度与精湛的校准能力相结合,艾迈斯半导体有能力以消费级产品的价格提供首款用于色彩分析的片上系统芯片, 而同类的其它产品要达到同等性能成本会显著增加。” AS7261的封装简化了光学和结构设计因此可快速实现系统设计和集成。有竞争力的单位定价是该传感器的一大优势,同时仅需外部LED和少量其他器件就能被应用于终端产品设计中。这意味着相比早期的颜色传感IC,采用AS7261的用户可在设计、物料和装配方面节省可观的成本。 来自于田纳西州查特努加市Variable公司的颜色传感专家兼首席执行官George Yu表示:“艾迈斯半导体的AS7261为我们在合理价格范围内提供了精确稳定的过滤器以及易于应用的设计,使我们能够专注于NODE这一工业标准颜色传感装置的核心设计并在启动项目后的 6个月内就设计并推出了一款全新的色彩识别设备——Color Muse。艾迈斯半导体创新的光谱传感产品帮助我们打开互联网色彩解决方案的新蓝图,并带来更多消费和移动光谱传感解决方案。” 将更优性能、更小尺寸和更低价格相结合,AS7261将在手持设备中获得广泛应用,包括油漆颜色匹配、液态颜色分析、显示屏管理、光计量以及其他便捷式光谱测定和颜色分析方面的应用。AS7261的低能耗使其非常适合应用于电池供电的产品中,只需最高5毫安电流和3.3伏电压即可运作。 艾迈斯半导体高级市场经理Tom Griffiths总结道:“AS7261的推出使色彩测量设备得以进入大众应用市场并开启一个全新的时代,能够为工业和消费领域的零售色彩配对、显示屏校准以及简化色彩分析工具等应用提供支持。”
随着电子信息技术的日新月异,数码电子产品的更新换代速度越来越快,以平板电视(LCD和PDP)、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长,带动了电容器产业增长。在直流电路中,电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件,也是最常用的电子元件之一。 日本村田公司作为世界五百强的公司是世界上少数几家能够生产飞机,火箭,卫星等高端电子元器件的厂商,生产的产品有:电容,电阻,电感,射频头,滤波器,晶振,传感器等。 murata村田电容享誉世界,murata村田电容广泛应用于广泛应用于手机,蓝牙耳机,车载,音箱,IC模块,液晶显示屏,U盘,摇控器,数字模块,电动玩器等,电子电器产品,电子产器。 最近发现村田产品的仿造品正在以东亚地区为中心的世界各地大量地流通。经办这些仿造品的是一些正规代理店以外的电子元器件商社,以及本公司以外的互联网销售网站。 仿造品不仅会因为没有达到村田产品的质量标准而有可能导致机器发生故障,而且也许会使使用仿造品的客户在不知不觉的情况下被牵涉到参与了违法行为,所以买到murata村田电容正品十分重要。 深圳市创唯电子有限公司(以下简称“创唯电子”)是一家专业代理murata村田电容的公司,代理村田以下产品:murata传感器、murata电容器、murata连接器、murata晶振、murata电感器、murata电路保护、murata射频、murata滤波器、murata电源等等。 创唯电子在日本设有专门的采购机构,产品型号齐全,保证原装正品。公司拥有强大的原厂供货渠道,拒绝第三方订货渠道,保证货真价实,让客户对公司形成品牌的信任。 在电子元器件行业热烈竞争的时代,创唯电子之所以能成为深圳市电子元器件经销行业的龙头企业之一,主要是在于公司现代化的管理制度,高品德质量、多元化的产品以及一流的服务水平。公司全体员工的共同努力和广大客户的提携、支持下,不断创新,逐步发展,现已具备相当的规模和实力,在电子行业中享有较高的声誉!
日前,台积电工程师泄密事件引起人们广泛关注,半导体产业公司对此也更加谨慎。同时,全球的DRAM内存、NAND闪存主要被三星、SK Hynix、美光、东芝等少数公司垄断,国内尚无厂商有能力染指存储芯片领域,不过该领域已经成为中国发展半导体产业的突破口。 紫光公司收购了武汉新芯公司并在此基础上成立了长江存储科技,发力国产NAND闪存。该公司副总裁高启全日前在采访中表示长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存。 长江存储的背景我们之前的文章中介绍过多次了,高启全先后担任过台湾台积电公司厂商、南亚公司副总、华亚科董事长,被称为台湾DRAM教父,2015年加盟紫光公司,现在担任紫光旗下的长江存储科技公司副总,主导长江公司发展DRAM、NAND存储芯片事业。 这次采访还是Digitimes报道的,他提到长江存储公司将在2017年出样32层NAND闪存,预计2019年有能力量产64层堆栈的3D NAND闪存。到了2020年,长江存储将缩短与三星等国际长达的技术差距到2年时间。 长江存储目前正在增强公司的专利池,他们自信在未来两三年内比一些竞争对手做的更好。 高启全指出大陆与台湾公司在存储芯片上应该合作,因为他们的最大竞争对手是韩国公司。他称台湾公司在存储芯片上也没有自己的专利技术,他们应该考虑改变这个状况。 大陆积极发展存储芯片,必须要吸引更多人才加盟,为此不惜高薪从竞争对手那里挖人,这就涉及到另一个问题了——有些员工窃取前公司机密跳槽的新公司,最近TSMC公司就报案抓了一位工程师,而美光公司最近也加大了宣传力度,将会对窃取商业机密的员工采取法律行动。 对此高启全表示指出长江存储招聘员工时要求不能携带任何机密文档及信息,他们的目标是吸收人才加盟,绝不会允许员工窃取前公司的商业机密。 PS:对于国产3D NAND闪存进展,此前长江存储公司CEO杨士宁表示工厂的设备安装会在2018年Q1季度完成,2019年进入大规模量产阶段。不过长江存储目前只完成了32层堆栈的3D NAND闪存,首先量产的也是32层的,64层堆栈的3D NAND闪存应该在研发中了,何时量产之前并没有正式表态。看高启全的表态,长江存储在2019年也会开始量产64层堆栈闪存,虽然三星等厂商今年内就会开始量产64层堆栈闪存,不过确实能把差距缩小到两年左右了。
· Guavus是实时大数据处理和分析领域的先锋企业 · 收购金额:高达2.15亿美元 · 泰雷兹强化其帮助客户进行数字化转型的高科技产品组合 泰雷兹今日宣布,已签署收购美国公司Guavus的最终协议。Guavus是一家实时大数据分析领域的先锋企业。 继此前在互联网、移动和网络安全领域开展的一系列收购,泰雷兹此次收购Guavus将强化其在大数据处理与预测性分析领域的实力。大数据技术作为数字化转型的核心科技之一,在实时决策过程中发挥着日益重要的作用。 泰雷兹董事长兼首席执行官Patrice Caine表示:“泰雷兹在其他各项关键性数字技术方面拥有深厚的经验。而此次对Guavus的收购能够结合我们已有的经验、大幅加快泰雷兹数字化战略的实施,从而为客户创造价值。我们将把Guavus在大数据分析领域的技术和专长应用于泰雷兹的核心业务,更好地支持我们在航空航天、轨道交通信号系统、防务以及安全等几大领域的客户实现数字化转型。” Guavus创始人兼首席执行官Anukool Lakhina补充道:“如今,大数据及其工业化处理,尤其是实时化的处理,在政府部门、企业和城市的数字化转型中发挥着至关重要的作用。Guavus在此时加入全球科技巨头泰雷兹可谓适逢其会。Guavus团队热切期待着能为泰雷兹的客户在关键时刻提供更智慧的决策能力,同时致力于为全球客户和合作伙伴提供更丰富的产品和服务。” 从航空公司、卫星、空中交通管制,到地铁或铁路运营商,再到武装部队乃至负责大型城市或能源基础设施的安保部门,各行各业的组织和人员都依赖泰雷兹的高科技解决方案,以做出最明智的实时决策。随着传感器的互联程度日渐提高,全球将迎来数据量的指数级增长。而收购Guavus将为泰雷兹在预测性维护、网络安全、关键基础设施监控、网络和电信系统优化等诸多领域开辟广阔的机遇。 日趋互联的全球生态系统对实时的大数据处理和分析有着越来越高的需求,作为该领域的龙头企业之一,Guavus能够充分把握这一市场机遇。Guavus业已建立广受认可的工业大数据平台,该平台尤其适用于实时分析,并可轻松为任何新涌现的市场进行部署。此外,Guavus还拥有多达160人的研发工程团队,其丰富的专业知识将有力地强化泰雷兹在该领域的实力。 Guavus成立于2006年,专注于电信和有线网络运营商市场,每天为客户分析超过5Pb(5000Tb)的数据。其每天分析的数据量相当于约300万部电影长片,或是美国国会图书馆所有藏书的500倍。Guavus为全球20多家主要运营商提供支持,其中包括北美最大的5家移动运营商(AT&T、Rogers、Sprint、T-Mobile和Verizon)、五大互联网骨干网运营商中的四家,以及八大有线网络运营商中的七家。 Guavus总部位于加利福尼亚州的圣马特奥,地处硅谷,拥有250名员工,其中50人常驻加拿大蒙特利尔、140人常驻印度古尔冈。 当前财政年度,公司营收预计超过3000万美元。此次收购预计不会对泰雷兹2017年息税前利润造成重大影响。 本次交易的最高估值达2.15亿美元,实际数额将取决于能否实现销售显著增长的目标。交易有待监管部门审批,并需满足其他惯例成交条件,预计将于2017年第三季度完成。
今年高通、三星携手打造的10nm制程旗舰芯片Snapdragon 835,可说让两家公司与供应商吃尽了苦头,出货时间一再延宕,如今现在相关消息指出,不仅三星、台积电,高通也将针对新一代处理芯片Snapdragon 845导入7nm的制程,其他像是华为、联发科和Nvidia也相继都将导入7nm制程。 因应5G、VR/AR、物联网,不仅智能产品越来越多元,智能旗舰手机的性能需求也越来越高,而全新推出的骁龙835发表之后话题不断,相较前代芯片来说,不仅晶片组更小、整体效能也有感提升27%,在今年MWC 2017,由Sony mobile抢到头香,旗下怪兽级Sony Xperia XZ Premium为全球首款搭载Qualcomm Snapdragon 835的智能手机,下载速度可达1Gbps。 然而根据可靠消息指出,高通全新的S845旗舰芯片预计从10nm制程提升至7nm制程,最明显的就是芯片尺寸变得更小,但是性能还会再提高25%至35%,整体系统的设计同样也会在10月份完成,另外还有一项消息指出,这次7nm制程的共同开发厂商,仍然会是三星电子,相信有了先前的合作经验,新一代处理器的开发,双方将会更有默契。 除此之外,高通公司还被传出将于本周发表中阶处理芯片Qualcomm Snapdragon 660,它是一颗八核心处理芯片,共提供四颗Cortex-A73,主频为2.3GHz、四颗Cortex-A53,主频为1.9GHz,搭配的视频处理芯片为Adreno 512 GPU,并且内置X10 LTE数据芯片,支持Quick Charge 4.0快充,并支持LPDDR4X 1866 MHz RAM和UFS 2。 传闻还指出,该芯片将会被应用在新一代三星Galaxy C系列(C10)、红米Pro 2、小米Max 2、Oppo R11、Vivo X9s Plus和Nokia 7、Nokia 8。
全球物联网、大数据中心、智能家居、便携设备等应用的发展不断丰富着我们的物质生活和精神生活,这些应用的正常运行都离不开半导体数据存储芯片。近年来,随着市场需求的猛增,存储芯片影响力不断增强。 电子产品的粮食 存储芯片作为集成电路的三大品类之一,目前广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域,其销售额占整个芯片产业的比重超过25%,反映了一个国家或地区的半导体发展水平。 对电子产品而言,存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展,存储产业与信息安全等息息相关。 数据显示,目前我国市场所消耗的DRAM量超过全球20%,而NAND的数据更是惊人,2017年预计将占全球30%以上,到2020年该占比将有望超过40%。 与此形成鲜明对比的是,在存储器领域,我国几乎完全依赖于进口,存储器已经成为我国半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一,存储器国产化也成了我国半导体发展大战略中的重要一步。 国产存储芯片崛起 2014年6月,国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》,将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。我国半导体业的发展必定会跨入全球存储器的行列之中。至于未来能有多大作为,要看自身的努力程度和机遇,但是必须要在研发方面有所突破,或者在存储器生产线的运营中能够掌握它的独特规律。 存储芯片产业迎三大利好 当前,全球集成电路进入重大调整变革期,为我国发展自主可控的存储芯片产业提供了重大机遇。 目前,我国存储芯片产业发展迎来三大利好。一方面,对于移动终端存量市场,我国是全球最大的生产基地和消费市场,相配套的存储芯片从美日韩向我国转移加速进行;其次,云存储和物联网是最大增量市场,大视频时代流量爆发,而我国是全球最大的数据生产地和消费地,云存储芯片需求量快速爆发;此外,我国拥有全球最优秀的互联网公司、终端品牌和电子产业链,有望引领物联网应用端创新。
台积电当前的10nm工艺尚处于拉抬良率过程中,已经开始急急高调宣传7nm工艺,并且传闻指高通可能回归采用其7nm工艺生产下一代高端芯片骁龙 845 / 840,对于这个笔者认为很可能是又一个谎言! 台积电7nm工艺能否按时量产存疑 自16nm FinFET工艺以来,台积电一直都落后于三星。三星于2015年初量产14nm FinFET工艺,台积电的16nm FinFET工艺则到同年三季度才量产;前者于去年10月量产10nm工艺,台积电方面虽然说今年初量产10nm工艺,但是采用该工艺的联发科helio X30迟迟未能上市,让人对其10nm工艺的规模量产存有较大疑问。 当前台积电同时开发16nmFinFET的改进工艺12nm FinFET,10nm工艺良率还需要改善,目前已将大量精力投入采用10nm工艺生产苹果的A11处理器,这一切都给它推进7nm工艺的研发造成干扰。 高通与三星的合作日益密切 2015年三星采用自己14nm FinFET工艺的Exynos 7420处理器性能和功耗表现卓越。台积电的16nm FinFET工艺量产时间太晚导致高通不得不采用20nm工艺生产其高端芯片骁龙810,由于台积电在20nm工艺上优先照顾苹果的A8处理器导致高通的骁龙810量产时间太晚缺乏足够的时间进行优化导致骁龙810出现发热问题,进而导致2015年高通的高端芯片出货量大跌六成,而让三星的Exynos 7420独霸这一年的Android市场。 受此影响,高通一怒之下离开台积电,将其高端芯片转由三星制造。2015年底的骁龙820、今年的骁龙835分别由三星的14nm FinFET、10nm工艺制造,性能和功耗都表现优秀。作为对比的是,华为海思选用台积电的16nm FinFET生产的麒麟950、联发科采用其10nm工艺生产的helio X30俱出现量产时间延迟的问题。 去年高通的中端芯片骁龙625、近期的中高端芯片骁龙660都采用三星的14nmFinFET工艺,而这两款芯片的上一代产品俱是采用台积电的28nm工艺。从高端到中端芯片,高通正将更多的芯片订单转到三星,双方的合作关系不断加深。 台积电的产能难以满足高通和苹果 高通和苹果都是全球手机芯片的领导者,前者是全球最大的手机芯片企业,后者凭借iPhone、iPad等产品的热销每年消耗自家的A系处理器达到3亿片左右,对先进制造工艺产能需求很大。 从台积电获得苹果的A8处理器订单开始,其每年都将其最先进工艺的产能优先提供给苹果,确保其A系处理器的规模量产,而其他芯片企业包括高通都因此受到影响,可见台积电每年的先进工艺产能难以同时满足高通和苹果这两个全球领先的芯片企业。 假如台积电能如期在明年初量产其7nm工艺,初期由于良率较低恐怕难以同时满足高通、华为海思、联发科等的需求,而到了二季度又要将大量产能用于生产苹果的A12处理器,这自然不得不让高通思考转用其7nm工艺所面临的产能困扰。 相反,从三星之两代先进工艺直都领先于台积电量产来看,笔者认为其很可能再次在7nm工艺上取得领先。由于高通是三星7nm工艺的最大客户,后者自然愿意提供最好的服务和更优惠的价格,此前在与台积电争夺苹果A系处理器的订单时三星就显示出更进取的态度,两厢比较之下显然高通选择三星会比台积电更合适。 其实在高通的骁龙835确定采用三星的10nm工艺生产之前,台媒方面就一再传出消息指高通会回归结果被证实是谎言,如今高通回归台积电采用其7nm工艺可能是又一个谎言!
IC Insights预计今年二季度Intel的营收为144亿美元,三星则可能高达149亿美元,这将是三星首次在半导体市场超过Intel夺得全球老大的位置。面对巨大的压力,一直在存储芯片业务上摇摆的Intel将需要在扩建大连工厂或收购美光上尽快做出抉择,以确保自己在半导体市场的竞争优势。 Intel摇摆的存储芯片业务战略 面对三星的步步紧逼,Intel当然看在眼里,早在2012年存储巨头之一的尔必达倒闭,媒体报道指Intel开始大量招聘尔必达的工程师。发展存储芯片业务除了对抗三星外,当时Intel的计划是将内存整合到处理器中,这样可以大幅度提升整机的性能,增强Intel的处理器业务竞争力,毕竟随着制造工艺的提升越来越困难,处理器的频率提升受到功耗和目前硅材料的限制也有极限。 Intel是PC和服务器芯片市场的霸主,占有PC市场处理器约八成的市场份额,在服务器芯片市场更是占据超过九成的市场份额。近几年PC市场的发展出现停滞迹象,ARM阵营推出的平板电脑侵占了部分PC市场,主要采用ARM架构处理器的chromebook已在教育市场迅猛发展,这迫使Intel将希望放在依然拥有垄断性优势的服务器芯片市场。 Intel占有竞争优势的服务器芯片市场也面临着ARM阵营的进攻,高通、AMD都已开发出ARM架构的服务器芯片,全球第四大服务器供应商华为也是中国最强大的手机芯片企业已针对服务器市场获取ARM的授权开发自主架构服务器芯片,面对着竞争对手的进攻如何强化自己的服务器芯片优势就成为Intel的重中之重,而发展存储芯片业务如上述恰可以增强其服务器芯片的整体性能。 Intel发展存储芯片业务的战略却一再摇摆,2015年底Intel宣布在中国大连投资55亿美元生产存储芯片,但是到去年7月却又暂停了扩建大连工厂的计划,消息指它有可能收购或控股美光,时至今日这两个计划都没有明确的消息,如今面对三星的赶超将迫使它做出抉择,到底要如何发展自己的存储芯片业务。 发展存储芯片业务有助于Intel加快工艺研发 Intel同时拥有芯片设计和半导体制造业务。早几年其通过Tick-Tock战略成功压制AMD的发展,即是第一年升级半导体制造工艺次年升级微架构,由于AMD缺乏足够的资金同时进行这两项研发工作,迫使后者出售了半导体制造业务并衰落至今天的地位。 ARM阵营则与Intel不同,当前全球领先的两大半导体制造企业三星和台积电专注于半导体制造,ARM负责核心架构研发,高通、苹果、华为海思、三星等芯片设计企业负责设计芯片,形成一条完整的芯片设计制造链条,通过这种共同协作的方式与Intel的模式竞争,从目前来看ARM阵营的这种模式是相当有效的。 Intel则由于PC市场的衰落,导致这几年在半导体工艺研发方面有逐渐落后于三星和台积电的危险(当前Intel的14nmFinFET工艺其实与三星和台积电目前最先进的10nm工艺相当),预计明年后两者量产7nm工艺后将有可能真正实现在工艺方面超越Intel,如果在半导体制造工艺方面被超越,ARM阵营对Intel的进攻将会更猛。 当前ARM阵营的苹果开发的A10X处理器性能有望达到Intel的酷睿i水平,该芯片采用的正是台积电的10nm工艺,由此可以推测苹果的A11X处理器如果采用台积电更先进的7nm工艺将有多么可怕的性能。 在这样的情况下Intel急需加快其半导体制造工艺的研发,而发展存储芯片业务恰恰有利于Intel加快工艺研发进度。三星作为全球最大的存储芯片企业正是通过存储芯片业务来锤炼自家的半导体制造工艺,而其在存储芯片市场所获得的丰厚利润也为它研发半导体制造工艺提供了资金,帮助它成功赶超第一大半导体代工企业台积电。 因此,笔者认为Intel有很大可能会加快其存储芯片业务的发展,以应对三星和ARM阵营的挑战,只不过目前不知道它会采取与美光合作还是收购后者的方式进行。对于美光来说其实也非常需要Intel的支持,它在存储芯片业务方面与三星、东芝、SK海力士的竞争中已处于劣势。
近日,GPU技术大会正式拉开序幕,期间包括多达600场的主题演讲。 昨天,我们认为AMD有望借此机会公布Vega的性能,但现在看来,事情推迟到了16日的专门活动中。 不过在日程中,依然有老朋友出现,NVIDIA CEO黄仁勋。 按计划,周三,他将登台演说,其中一个重要的议题就是NVIDIA的下一代GPU架构,代号“Volta(伏特)”。 不过,也许他并不会谈及消费级产品的进展,因为此次的Volta主要是服务IBM Power9高性能服务器的,后者支持NVlink 2,预计明年底发布。 目前,NV已经宣布了多个集成Volta GPU的产品,包括人工智能超算SoC Xaiver。 现在已知的Volta核心规格并不多,包括HBM2显存、12nm工艺等。 可能AMD被Ryzen转移走太多资源,显卡这块的步伐明显没有NV快了。
苹果启动新一代手机零组件备货,台积电以10奈米为苹果生产A11处理器下月正式放量投片,预估7月下旬量产交货,等于宣告苹果新机iPhone 8将于7月密集备货,让整个苹果供应链动起来。 台积电预定在年底前为苹果备货1亿颗的A11处理器,颢示苹果仍看好十周年新机销售,仍可缔造历年来最佳销售纪录。 法人看好,台积电下半年营收成长动能强劲,买盘持续敲进,本周股价有机会挑战站上200元,带领台股再攻万点,其股价、市值将再改写历史新高纪录。 台积电上季法说会时曾释出本季因主要客户处于新旧产品交替或进行库存调整,预估本季合并营收将季减8~9%,营收将介于2,130亿元至2,160亿元;毛利率略降至50.5%~52.5%;营业利益率约小幅下滑至39%~41%,预估4月合并营收将会明显下滑,但法人认为利空已逐步消散,随10奈米制程下半年量产,台积电营收仍可展现强劲成长力道。 台积电的10奈米制程是继16奈米制程后的另一技术重要里程碑,虽然后来只导入联发科、海思和苹果三家公司的手机芯片,其余客户决定大举导入7奈米,但10奈米制程,几乎是为苹果新一代处理器A11量身打造的制程,因此何时放量投片,也成为全球关注苹果启动新手机备货的重要指针。 台积电供应链透露,台积电原订6月4日开始放量投片A11处理器,但时期延后一周至6月10日,虽凸显10奈米制程遭遇难度比先前的16奈米还大,但在台积电全力投入下,仍如期在6月初启动放量投片,7月大量交货。 台积电预估,将在7月底为苹果新机备货5,000万颗,凸显台积电10奈米制程正放量投片,以制程预估50天的周期计算,估计7月下旬密集交货,等于宣告苹果新机iPhone 8将于7月密集备货,让整个苹果供应链动起来。 苹果启动新一代手机零组件备货,台积电以十奈米为苹果代工A 11处理器下月正式放量投片,预估七月下旬量产交货,意谓整个苹果供应链将动起来。 台积电预定在年底前为苹果备货一亿元的A 11处理器,反应苹果仍看好十周年新机销售,仍可缔造历年来最佳销售纪录。 法人看好台积电下半年营收成长动能强劲,买盘持续敲进,本周股价有机会挑战站上两百元,台积电股价、市值将再改写历史新高。 台积电的十奈米制程,是继十六奈米制程后的另一技术重要里程碑,虽然后来只导入联发科、海思和苹果三家公司的手机芯片,其余客户决定大举导入七奈米,但十奈米制程,几乎是为苹果新一代处理器A 11量身打造的制程,因此何时放量投片,也成为全球关注苹果启动新手机备货的重要指针。 台积电供应链透露,台积电原订六月四日放量投片A 11处理器,但延后一周至六月十日,虽凸显十奈米制程遭遇难度比十六奈米大,但台积电全力投入下,仍如期在六月初启动放量投片,七月大量交货。 台积电预估将在七月底为苹果新机备货五千万颗,显示台积电十奈米制程正放量投片,以制程预估五十天的周期计算,估计七月下旬密集交货,等于宣告苹果新机iPhone 8将于七月密集备货,让整个苹果供应链动起来。 台积电除了以十奈米为苹果打造全新的A 11处理器外,也以新一代的整合型扇形封装(InFO)提供封测服务,台积电预估今年十奈米制程占全年营收约可达一成,以全年合并营收超越兆元的规模计算,估计可缔造千亿元的销售金额;至于高阶封测InFO,到今年第四季营收也可达一亿美元。 台积电除以10奈米为苹果打造全新的A11处理器外,也以新一代的整合型扇形封装(InFO)提供封测服务,预估今年10奈米制程占全年营收约可达10%,以全年合并营收超越兆元的规模计算,估计可缔造千亿元的销售金额;至于高阶封测InFO,到今年第4季,单季营收也可达1亿美元,估计创造30多亿元营收。 台积电在本季也持续扩充28奈米产能,法人预估,下半年在10奈米/16奈米及28奈米制程同步增产下,台积电全年营收和获利仍可再创新猷。
高通的Snapdragon 835芯片组疑似又出现问题,导致三星电子(Samsung)的Galaxy S8、小米的小米6手机都出现自动重开机的情况。 由于重开机不是出现在为手机充电时,就是出现在插入MicroSD记忆卡时,因此业界推测,这次事件的根源可能与电源管理的设计有关。 所幸这个问题不大,业界认为应可透过更新软件来解决。 近来许多Galaxy S8及小米6手机用户都在网站上留言表示,自己的智能型手机经常会无故自动重开机。 其中,用户最常遇到的问题是手机会在充电时自动重开机。 但也有Galaxy S8用户发现,只要停用SD记忆卡,重开机的情况就能改善许多。 综合网络上用户所描述的情况,芯片设计业内人士认为,出问题的环节应该与电源管理的设计有关。 由于小米6和出问题的Galaxy S8,均采用高通Snapdragon 835处理器,因此与该处理器搭配,同样由高通提供的电源管理芯片,很可能是造成问题的主因。 据了解,由于处理器芯片制程日益先进,电压衰退(IR Drop)对处理器运作的影响变得更加明显,只要电源管理芯片供应给处理器的电压稍微衰退,就会让处理器的时序(TIming)大幅飘移而无法正常运作,导致系统重开机。 事实上,除了Snapdragon 835,Snapdragon 820处理器也曾经出现过类似问题。 后来业者透过修改韧体,提高电源管理芯片的输出电压,问题便获得解决。 因此,这次用户所遭遇到的问题,最后应该也会用类似的方法处理。 提高电源管理芯片的输出电压,会带来电池续航力缩短、芯片温度上升等副作用,但至少能让手机维持正常运作。
近日,北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。 微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的艰苦攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%,可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。 在北京市科委的大力支持下,该工作完全采用了可兼容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程,具备向产品化、产业化转移的条件,对我国存储器产业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用。 图1. STT-MRAM存储芯片器件原理图 图2. 直径80nm MTJ器件俯视图 图3. 直径80nm MTJ器件 图4. TMR效应测试结果 图5. STT效应测试结果