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ST 28奈米FD-SOI研发取得新突破 将应用该制程技术
FD-SOI技术平台包括全功能且通过硅验证的设计平台和设计流程。技术平台包括全套的基础程式库(标準单元、记忆体产生器、 I/O、AMS IP以及高速介面);设计流程适合开发高速的高效能元件。意法半导体(ST)近日宣布其在28
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意法宣布晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布其在28纳米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶
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意法宣布晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布其在28纳米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂
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制程技术就定位GZO薄膜取代ITO有望
氧化锌镓(GZO)薄膜制程技术迈大步。找到材料稀少又昂贵的氧化铟锡(ITO)薄膜替代方案，已成触控面板厂降低模组成本的重要途径，因此，业者正加紧开发特性相近，价格仅ITO百分之一的GZO。目前在磁控溅镀(MS)、离子镀膜
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联电执行长由颜博文出任；孙世伟升任副董
联电 (2330)今(19)日举行董事会，决议通过任命原资深副总经理颜博文为新任执行长，前执行长孙世伟博士则升任为副董事长。联电指出，随公司于南科 12吋晶圆厂区的投资及发展规模与 ??日俱增，将倚重新任执行长颜博文成
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清惠看好触控尺寸大型化需求续扩光电玻璃产能
专业光电玻璃加工厂清惠光电（5259，原本公司名称为清惠实业）指出，在微软的Windows 8作业系统推出，以及低成本平板电脑需求带动下，预期未来大尺寸触控及OGS 触控面板玻璃需求将持续扩大。该公司2012年3大营运重心
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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台积电先进制程 维持独霸地位
晶圆代工龙头厂台积电第4季28奈米制程比重可望持续攀高，估计28奈米制程营收将逾新台币258亿元，逼近联电Q4整体业绩，先进制程独霸地位稳固。台积电与联电第3季受惠先进制程客户需求强劲，出货成长，业绩同步攀高；其
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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联电研发14nmFinFET技术 较28nm效能提升35～40%
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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联电14nmFinFET制程技术后年试产
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子
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台积电先进制程维持独霸地位
晶圆代工龙头厂台积电第4季28奈米制程比重可望持续攀高，估计28奈米制程营收将逾新台币258亿元，逼近联电Q4整体业绩，先进制程独霸地位稳固。台积电与联电第3季受惠先进制程客户需求强劲，出货成长，业绩同步攀高；其
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台积电先进制程 维持独霸地位
晶圆代工龙头厂台积电第4季28奈米制程比重可望持续攀高，估计28奈米制程营收将逾新台币258亿元，逼近联电Q4整体业绩，先进制程独霸地位稳固。 台积电与联电第3季受惠先进制程客户需求强劲，出货成长，业绩同步攀高
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导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相
联电14奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14奈米FinFET制程技术，预计效能可较现今28奈米制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与
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联电40纳米年底占比15%，Q4续处分业外转投资
联电(2303)执行长孙世伟表示，40纳米制程于今年底到达15%营收的内部目标可望提前完成。先进制程的28纳米进度符合预期。此外，第四季将持续处分业外持股以缓和认列日本子公司损失对损益的影响。 联电公司指出，40纳米
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研发进度超前台积电16nm明年底试产
台积电16奈米鳍式电晶体(FinFET)制程量产时程可望提前。台积电预估2013年6月即可提供IC设计客户，16奈米晶圆光罩共乘服务(Cyber??shuttle)，并将于明年底开始试产，后年初正式量产，借此巩固全球晶圆代工市场龙头地位
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三星转保守 DRAM可望趋稳
集邦科技表示，三星(Samsung)在全球DRAM市场独大，随著三星态度转趋保守，有助DRAM产业长期稳定均衡发展。集邦科技指出，三星不仅抢占全球动态随机存取存储器(DRAM)近一半市场，制程技术也领先其它竞争对手超过2个世
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产能制程落后政策推动 大陆晶圆朝差异化与MEMS平台发展
从2011年大陆晶圆代工业者营收排名观察，中芯仍以人民币85亿元营收规模稳居产业龙头，但在产业景气不佳、先进制程研发进度落后，加上经营团队更换等因素影响下，2011年营收仍较2010年衰退18.7%。 特别值得注意者，
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制程技术就定位 GZO薄膜取代ITO有望
氧化锌镓(GZO)薄膜制程技术迈大步。找到材料稀少又昂贵的氧化铟锡(ITO)薄膜替代方案，已成触控面板厂降低模组成本的重要途径，因此，业者正加紧开发特性相近，价格仅ITO百分之一的GZO。目前在磁控溅镀(MS)、离子镀膜
