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《主笔室》大尺寸OLED制程技术有新解？仍要看成本
有机发光二极体显示器OLED（Organic Light Emitting Diode, OLED）被视为薄膜电晶体液晶显示器TFT-LCD（Thin film transistor liquid crystal display）最大竞争者。但目前仍只有韩厂三星Samsung顺利量产中小尺寸OLE
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台积新晶圆制程技术加速实现3D IC
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加
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台积新晶圆制程技术加速实现三维芯片
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加
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台积新晶圆制程技术加速实现3D IC
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加
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多管齐下 台积电新晶圆制程技术加速实现3D IC
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加
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台积新晶圆制程技术加速实现3D IC
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善晶体管漏电流问题，台积电除携手硅智财业者，推进鳍式晶体管(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手，加
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催生新世代处理器 台积电翻新晶圆制程技术
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善电晶体漏电流问题，台积电除携手矽智财(IP)业者，推进鳍式电晶体(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手
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应用产品日益多元 CMOS/MEMS制程技术抬头
CMOS/MEMS制程技术可在单一裸晶(Die)中，同时整合MEMS感测元件与讯号处理晶片，可较现今大多数MEMS感测器采用的系统封装(SiP)设计，实现更小尺寸且更低成本的解决方案，因而有愈来愈多半导体厂开始采用，且应用产品已
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可挠式玻璃“连续卷轴式制程技术”研发成功
全球首次成功针对可挠式玻璃开发的制程——“连续卷轴式制程技术”由工研院开发，並和群创(3481-TW)、友达(2409-TW)等面板厂、F-TPK宸鸿(3673-TW)、胜华(2384-TW)触控面板商及LED厂商亿光(2393-
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短期供过于求 面板双虎看好后市
面板双虎展望面板市况，群创总经理王志超表示，中国国内节能补贴政策结束后，不可避免1~2个月将会有短暂时间的影响，不过群创去年进行尺寸差异化，避开32、42英寸补贴尺寸，看好市场需求将会回笼，对未来审慎乐观，友
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联电加入IBM芯片联盟 共同开发10nm制程技术
联电(2303-TW)(UMC-US)与IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。拥有IBM的支援与kno
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联华电子加入IBM芯片联盟 共同开发10奈米制程技术
联华电子与IBM日前(13日)共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。IBM半导体研发副总Gary Patton表示：「IBM联盟成立至今已逾十年，联盟伙伴可整合运用我们的专业知识，团队研究合作与
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联电加入IBM芯片联盟 共同开发10nm制程技术
联电(2303-TW)(UMC-US)与IBM(IBM-US)今(13)日共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。 联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。拥有IBM的支援与
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2013年大陆晶圆代工成长产业产值将达40.8亿美元
从产能规模或微缩制程技术比较，中芯虽在大陆晶圆代工产业居于领先地位，但若与台积电、GlobalFoundries等全球前四大晶圆代工厂相较，中芯则处于远远落后的位置。对其他只拥有6寸晶圆、8寸晶圆产能，制程技术亦未跨入
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2013年大陆晶圆代工产业前景依旧乐观
从产能规模或微缩制程技术比较，中芯虽在大陆晶圆代工产业居于领先地位，但若与台积电、GlobalFoundries等全球前四大晶圆代工厂相较，中芯则处于远远落后的位置。对其他只拥有6寸晶圆、8寸晶圆产能，制程技术亦未跨入
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2013年大陆晶圆代工成长产业产值将达40.8亿美元
从产能规模或微缩制程技术比较，中芯虽在大陆晶圆代工产业居于领先地位，但若与台积电、GlobalFoundries等全球前四大晶圆代工厂相较，中芯则处于远远落后的位置。对其他只拥有6寸晶圆、8寸晶圆产能，制程技术亦未跨入
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2013年大陆晶圆代工产业前景依旧乐观
从产能规模或微缩制程技术比较，中芯虽在大陆晶圆代工产业居于领先地位，但若与台积电、GlobalFoundries等全球前四大晶圆代工厂相较，中芯则处于远远落后的位置。对其他只拥有6寸晶圆、8寸晶圆产能，制程技术亦未跨入
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英特尔2015年量产10nm 台积电竞争压力大
半导体巨擘英特尔发布最新的先进制程技术蓝图，其中众所关注的10纳米预计2015年量产，比原先规划时间提早一年，并进一步拉大领先台积电的时间。台积电的10纳米预计2017年量产，较英特尔晚两年。半导体业界人士表示，
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英特尔10nm计划将提前 进一步领先台积电
半导体巨人英特尔发布最新的先进制程技术蓝图，其中众所关注的10纳米预计2015年量产，比原先规划时间提早一年，并进一步拉大领先台积电的时间。台积电的10纳米预计2017年量产，较英特尔晚两年。半导体业界人士表示，
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台积电10纳米 竞争压力大
半导体巨擘英特尔发布最新的先进制程技术蓝图，其中众所关注的10纳米预计2015年量产，比原先规划时间提早一年，并进一步拉大领先台积电(2330)的时间。台积电的10纳米预计2017年量产，较英特尔晚两年。半导体业界人士
