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甩开追兵台积电向20奈米挺进
在晶圆制程技术上，台积电一直与英特尔并驾齐驱，而三星则是紧追在后，虽然三家公司的商业模式不太相同，不过英特尔与三星都跨足了晶圆代工的领域，台积电如果一不小心，在制程技术上落后，那么纯粹代工的优势就会成
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斥重资入股ASML 英特尔力推新一代制程技术
为了加速导入更大尺寸的半导体晶圆以大幅降低营运成本，英特尔(Intel)再也无法坐待新一代制程技术的漫长开发过程。等待其它厂商采取行动并不是这家全球主要半导体公司的行事风格。为了确保公司能取得成功，英特尔不惜
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传高通与三星签署晶圆代工协议
7月6日午间消息(刘定洲)据韩国媒体报道，内部消息称为了解决供应短缺问题，高通(微博)近期会与三星(微博)电子签晶圆代工协议，双方拟明年起使用三星的28nm制程技术生产高通骁龙(Snapdragon)S4芯片组。产业信息显示，
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Zhaga联盟修正LED路灯标准
Zhaga联盟(Zhaga Alliance)近日正在积极修正发光二极体(LED)路灯现有规范。由于Zhaga联盟于2012年3月底定的LED路灯模组Book 4规范中，LED路灯模组面积尺寸制定较小，导致无法有效导入可达高流明的COB(Chip On Board)
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传高通与三星签署晶圆代工协议
C114讯 7月6日午间消息(刘定洲)据韩国媒体报道，内部消息称为了解决供应短缺问题，高通(微博)近期会与三星(微博)电子签晶圆代工协议，双方拟明年起使用三星的28nm制程技术生产高通骁龙(Snapdragon)S4芯片组。产业信息
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台积高阶产能 明年大爆发
台积电28纳米高阶产能吃紧，传客户可能「变心」，转至其它晶圆厂投片。台积电董事长张忠谋昨（4）日向客户信心喊话，强调高阶产能第4季可接近市场需求，明年将放量，客户与市场「仍要靠我们（台积电）。」曾任工研院
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台积高阶产能 明年大爆发
马英九总统（左）昨天出席工研院院士授证典礼，授证予台积电董事长张忠谋（右）等8名院士。张忠谋在马总统准备离开会场时，握住马总统的手低声讲了几句，还拍拍他的肩膀。记者卢振升／摄影 台积电28纳米高阶产能
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台积高阶产能 明年大爆发
台积电28纳米高阶产能吃紧，传客户可能「变心」，转至其它晶圆厂投片。台积电董事长张忠谋昨（4）日向客户信心喊话，强调高阶产能第4季可接近市场需求，明年将放量，客户与市场「仍要靠我们（台积电）。」 曾任工研
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亚德诺与台积电合作开发类比制程技术平台
亚德诺(ADI)与台积电合作开发完成适用于精密类比IC的0.18微米的类比制程技术平台，该平台能改善许多元件的类比性能，包括可广泛使用于消费性、通讯、电脑、工业与汽车应用领域的A/D(类比/数位)与D/A(数位/类比)转换器
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台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台
台积电(TSM-US)(2330-TW)与美商亚德诺(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布双方合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。此平台适合许多电脑、工业电子及消费性电子产品的应用。此
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台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台
美商亚德诺(ADI)与台积电(2330)今（20）日共同宣布，双方已合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。而台积电的0.18微米BCD（Bipolar(双载子)-CMOS(双极)-DMOS(扩散)，互补金属氧化半导体）整
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台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台
美商亚德诺 (ADI)与台积电 (2330)今（20）日共同宣布，双方已合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。而台积电的0.18微米BCD（Bipolar(双载子)- CMOS (双极)-DMOS(扩散)，互补金属氧化半导体
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台积抗三星 张忠谋：我们不会像友达一样
台积电上午举行股东会，董事长张忠谋出席主持。记者曾吉松／摄影 晶圆龙头台积电今天召开股东会，会中顺利通过去年度配发每股3元现金股息，对于市场担心下半年半导体市场需求将转弱的问题，董事长张忠谋维持上季
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瑞萨电子与台积电携手40奈米制程技术合作
瑞萨电子(Renesas Electronics)与台积电共同宣布，双方已签署协议，扩大在微控制器(MCU)技术方面的合作至40奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程，以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。 瑞萨电子资深
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瑞萨：与台积电扩大结盟，40nm以下制程MCU委外代工
瑞萨：与台积电扩大结盟，40nm以下制程MCU委外代工
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英特尔开始7nm和5nm制程工艺研究
英特尔制程工艺路线图。北京时间5月17日消息，英特尔(微博)CEO保罗·欧德宁(Paul Otellini)表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部
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英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺
英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面
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制程技术向7nm大跃进，3D IC硬着头皮也要上
GlobalFoundries 公司正在仔细考虑其 20nm 节点的低功耗和高性能等不同制程技术，而在此同时，多家芯片业高层也齐聚一堂，共同探讨即将在2014年来临的 3D IC ，以及进一步往 7nm 节点发展的途径。IBM 的专家指出，下
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制程技术向7nm大跃进，3D IC硬着头皮也要上
GlobalFoundries 公司正在仔细考虑其 20nm 节点的低功耗和高性能等不同制程技术，而在此同时，多家芯片业高层也齐聚一堂，共同探讨即将在2014年来临的 3D IC ，以及进一步往 7nm 节点发展的途径。 IBM 的专家指出，
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格罗方德晶圆八厂实现20奈米3D晶片制程技术
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技术，将可为新一代的行动与消费性应用实现三维(3D)晶片堆叠，位于纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立矽穿孔(TSV)技术，作业于20奈米技术平台上
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