意法半导体(ST)推出全新系列功率MOSFET晶体管,新产品的击穿电压更高,抗涌流能力更强,电能损耗更低,特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步,以及性价比显著提高三个方面,从2008年发布的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在
日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP,该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装,具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步,以及性价比显著提高三个方面,从2008年发布的
意法半导体(ST)宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下,采用紧凑型功率封装,使能效和
意法半导体(ST)宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下,采用紧凑型功率封装,使能效和
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP,扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装,在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB,该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB,该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装,具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装,具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封
鉴于能源和原材料价格下降,人们认为,电子元器件制造商的赢利状况会有所改善,但另一个更大的挑战冒了出来,即需求的一蹶不振。通常而言,每年的这一时期,由于九月份定单的原因,电子元器件的出货量都会上升,而今年,九月份的定单并没有落实,因此,大多数元器件制造商都削減了产能,以准备应对困难的2009年上半年。