鉴于能源和原材料价格下降,人们认为,电子元器件制造商的赢利状况会有所改善,但另一个更大的挑战冒了出来,即需求的一蹶不振。通常而言,每年的这一时期,由于九月份定单的原因,电子元器件的出货量都会上升,而今年,九月份的定单并没有落实,因此,大多数元器件制造商都削減了产能,以准备应对困难的2009年上半年。
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封
鉴于能源和原材料价格下降,人们认为,电子元器件制造商的赢利状况会有所改善,但另一个更大的挑战冒了出来,即需求的一蹶不振。通常而言,每年的这一时期,由于九月份定单的原因,电子元器件的出货量都会上升,而今年,九月份的定单并没有落实,因此,大多数元器件制造商都削減了产能,以准备应对困难的2009年上半年。
鉴于能源和原材料价格下降,人们认为,电子元器件制造商的赢利状况会有所改善,但另一个更大的挑战冒了出来,即需求的一蹶不振。通常而言,每年的这一时期,由于九月份定单的原因,电子元器件的出货量都会上升,而今年,九月份的定单并没有落实,因此,大多数元器件制造商都削減了产能,以准备应对困难的2009年上半年。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二极管--- SiB800EDK,该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出,意味着Vishay将其
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二极管--- SiB800EDK,该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出,意味着Vishay将其
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45