功率MOSFET

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  • 新款20V P沟道功率MOSFET(Vishay)

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA4

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  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

    通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在开关转化的瞬态过程中,上述理论并不成立,因此在实际的应用中会产生一些问题,本文将详细地论述这些问题,以纠正传统认识的局限性和片面性。

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  • 理解功率MOSFET的开关损耗

    本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

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  • 采用射频功率MOSFET设计功率放大器

    1. 引言  本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计,使之更适用于射频功率放大器

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  • 新型20V P沟道功率MOSFET (Vishay)

    该器件在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%,在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%、TrenchFET® Gen III P沟道技术在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣

  • 60V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装,在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω,比市场上可供比较的最接近器件减